覆铜层压板和印制电路板制造技术

本公开提供一种覆铜层压板及印制电路板。所述覆铜层压板包含介质基板层，和铜箔层，所述铜箔层位于所述介质基板层的至少一个表面上，其中在所述铜箔层中，铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm。所述覆铜层压板具有小于‑158dBc(700MHz/2600MHz)的无源互调PIM。

【技术实现步骤摘要】
覆铜层压板和印制电路板
本专利技术属于电子材料
，涉及一种覆铜层压板和印制电路板。
技术介绍
随着电子信息技术的发展，数字电路逐渐步入信息处理高速化、信号传输高频化阶段，为了处理不断增加的数据，电子设备的频率变得越来越高，这时电路基板的电性能将严重影响数字电路的特性，因此对印制电路板(PCB)基板的性能提出了更新的要求。无源互调(PassiveInter-Modulation)，简称PIM，又叫互调失真，是由射频系统中各种无源器件的非线性特性引起的。在大功率、多信道系统中，这些无源器件的非线性会产生相对于工作频率的一些频率分量，而这些频率分量和工作频率混合在一起进入工作系统，如果这些无用的频率分量足够大，就会影响通信系统的正常工作。当杂散互调信号落在基站的接收频带内，接收机的灵敏度就会降低，从而导致通话质量或系统载波干扰比的降低，和通信系统的容量减少，PIM成为了限制系统容量的重要参数。无源互调问题早期主要对环行器、波导、同轴连接器、双工器、衰减器和天线等大功率微波器件产生干扰。随着印刷电路板被越来越广泛地应用于微波电路领域研发平板型集成射频前端，信号功率增大使得PCB基板自身的PIM问题成为阻碍高性能射频电路发展的一个拦路虎。目前，电子通信技术向更快传输速度、更大传输容量、更高的集成度发展，现代微波通信电路中大功率多通道发射机、更灵敏的接收机、共用天线、复杂调制信号和密集的通讯频带都对PCB电路设计和制造中的功率容量及PIM指标提出了比传统PCB基板更高的性能要求，低PIM高性能电路基板成为这个领域的基础和关键技术。CN205793612U和CN107197592A主要选用聚四氟乙烯(PTFE)作为介质绝缘层制作低PIM高性能陶瓷基板。但是，仍然需要提供一种无源互调值较低的覆铜层压板和包含覆铜层压板的印制电路板。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种具有无源互调性能小于-158dBc(700MHz/2600MHz)的覆铜层压板和包含覆铜层压板制备的印制电路板。本专利技术的另一个目的在于提供一种具有在700MHz-2600MHz条件下无源互调性能均小于-158dBc并且能够满足电子信息领域的高频高速的要求的覆铜层压板和包含覆铜层压板的印制电路板。本专利技术的专利技术人经深入细致的研究，发现覆铜层压板的铜箔层中的铁元素、镍元素、钴元素和钼元素会对印制电路板的PIM造成恶化。当铜箔层中铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm时，可以获得PIM较低的印制电路板，例如可以获得PIM值小于-158dBc(700MHz/2600MHz)的印制电路板。铜箔层中各元素的重量含量是指，该元素的重量除以铜箔总重量。在一个方面，本公开提供一种覆铜层压板一种覆铜层压板，包括：介质基板层，和铜箔层，所述铜箔层位于所述介质基板层的至少一个表面上，其中在所述铜箔层中，铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm。在一个实施方案中，所述覆铜层压板具有在700MHz-2600MHz下小于-158dBc的无源互调值。在另一个实施方案中，所述铜箔的毛面粗糙度为0.5-3μm。在另一个实施方案中，所述介质基板层包括聚合物基质材料；和填料；其中按所述介质基板层的重量计，所述聚合物基质材料为30至70重量百分比；并且所述填料为30至70重量百分比。在另一个实施方案中，所述聚合物基质材料包括改性或未改性的聚丁二烯树脂、改性或未改性的聚异戊二烯树脂和改性或未改性的聚芳醚树脂中的一种或多种组合。在另一个实施方案中，所述介质基板层在10GHz处具有小于3.5的介质常数和小于0.006的损耗因子。在另一个实施方案中，所述聚丁二烯树脂是聚丁二烯均聚物或共聚物树脂。在另一个实施方案中，所述聚丁二烯共聚物树脂是聚丁二烯-苯乙烯共聚物树脂。在另一个实施方案中，所述改性的聚丁二烯树脂选自羟基封端的聚丁二烯树脂、甲基丙烯酸酯封端的聚丁二烯树脂和羧基化的聚丁二烯树脂中的一种或多种。在另一个实施方案中，所述聚异戊二烯树脂是聚异戊二烯均聚物或共聚物树脂。在另一个实施方案中，所述聚异戊二烯共聚物树脂是聚异戊二烯-苯乙烯共聚物树脂。在另一个实施方案中，所述改性的聚异戊二烯均聚物或共聚物树脂是羧基化的聚异戊二烯树脂。在另一个实施方案中，所述改性的聚芳醚树脂为羧基官能化的聚芳醚、甲基丙烯酸酯封端的聚芳醚、含乙烯基封端的聚芳醚中的一种或多种。在另一个实施方案中，所述聚合物基质材料还包括除聚丁二烯树脂、聚异戊二烯树脂和聚芳醚树脂以外的可共固化聚合物、自由基固化单体、弹性体嵌段共聚物、引发剂、阻燃剂、粘结调节剂和溶剂中的一种或多种组合。在另一个实施方案中，所述介质基板层包含增强材料或者无增强材料。在另一个实施方案中，所述覆铜层压板还包括位于所述铜箔与所述介质基板层之间的粘结剂层和/或树脂薄膜层。在另一个方面，本公开提供一种包括根据上面任一项所述的覆铜层压板制备的印制电路板。在又一个方面，本公开提供一种包括根据上面所述的印制电路板的电路。在再一个方面，本公开提供一种包括根据上面所述的印制电路板的多层电路。在另一个实施方案中，包括所述的印制电路板的多层电路的电路或多层电路被用于天线。根据本专利技术，通过限制铜箔层中铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm，可以提供具有无源互调性能小于-158dBc(700MHz/2600MHz)的覆铜层压板和包含覆铜层压板的印制电路板。此外，还可以提供一种具有无源互调性能小于-158dBc(700MHz/2600MHz)并且能够满足电子信息领域的高频高速的要求的覆铜层压板和包含覆铜层压板的印制电路板。具体实施方式下面将结合本公开的具体实施方案，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本公开一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本公开中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。本公开中，所有数值特征都指在测量的误差范围之内，例如在所限定的数值的±10％之内，或±5％之内，或±1％之内。本公开所述的“包含”、“包括”或“含有”，意指其除所述组份外，还可以具有其他组份，这些其他组份赋予所述预浸料不同的特性。除此之外，本公开所述的“包含”、“包括”或“含有”，还可以包括“基本上由......组成”，并且可以替换为“为”或“由......组成”。在本公开中，如果没有具体指明，量、比例等是按重量计的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆铜层压板，包括：/n介质基板层，和/n铜箔层，所述铜箔层位于所述介质基板层的至少一个表面上，/n其中在所述铜箔层中，铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm。/n

【技术特征摘要】
1.一种覆铜层压板，包括：
介质基板层，和
铜箔层，所述铜箔层位于所述介质基板层的至少一个表面上，
其中在所述铜箔层中，铁元素重量含量＜10ppm，镍元素重量含量＜10ppm，钴元素重量含量＜10ppm，并且钼元素重量含量＜10ppm。


2.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述覆铜层压板具有在700MHz-2600MHz下小于-158dBc的无源互调值。


3.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述铜箔的毛面粗糙度为0.5-3μm。


4.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述介质基板层包括
聚合物基质材料；和
填料；
其中按所述介质基板层的重量计，所述聚合物基质材料为30至70重量百分比；并且所述填料为30至70重量百分比。


5.根据权利要求4所述的覆铜层压板，其中所述聚合物基质材料包括改性或未改性的聚丁二烯树脂、改性或未改性的聚异戊二烯树脂和改性或未改性的聚芳醚树脂中的一种或多种组合。


6.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述介质基板层在10GHz处具有小于3.5的介质常数和小于0.006的损耗因子。


7.根据权利要求5所述的覆铜层压板，其中所述聚丁二烯树脂是聚丁二烯均聚物或共聚物树脂。


8.根据权利要求7所述的覆铜层压板，其中所述聚丁二烯共聚物树脂是聚丁二烯-苯乙烯共聚物树脂。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈广兵，曾宪平，许永静，朱泳名，
申请(专利权)人：广东生益科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44