功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法技术

本发明专利技术提供一种功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法，所述功率MOSFET至少包含：在衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。所述方法包括如下步骤：在半导体器件的正面形成临时粘附载体；翻转所述半导体器件并将所述衬底减薄；在所述衬底上依次形成粘附阻挡层和电镀铜层；以及去除所述临时粘附载体。上述方法不仅可以工艺简单、费用低廉地将功率MOSFET器件的衬底减薄到100μm以下，而且减小了功率MOSFET的总电阻，尤其是在低压功率MOSFET中这种电阻的下降非常明显，并由此提高了功率MOSFET的性能。

Thinning methods of power MOSFET, semiconductor devices and their substrates

【技术实现步骤摘要】
功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法。
技术介绍
功率MOSFET，即功率MOS场效应晶体管。功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET(VerticalMOSFET)，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。现有技术中常见的一种功率MOSFET具有如图1所示的结构，其为一种沟槽型功率MOSFET，所述功率MOSFET包含位于n+衬底102之上的漂移区103，所述漂移区103为n-外延层。在漂移区103之上设置有p-阱或p-体区104，在p-阱104中设置有重掺杂n+区105。功率MOSFET还包括位于漂移区103之上的栅极106，在栅极106与p-阱104之间还设置有栅介质层107。在p-阱104之上设置有源极108，同时在衬底另一侧还设置有背金101以作为漏极。功率MOSFET的开态电阻由几部分组成，其中包括源极扩散电阻、沟道电阻、结电阻、漂移区电阻和衬底电阻。对于不同电压的功率MOSFET，各部分电阻对功率MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET至少包含：/n衬底；/n在所述衬底的上面形成的漂移区；/n在所述漂移区上面形成的体区、栅极和源极；/n在所述衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及/n在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；/n其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET至少包含：
衬底；
在所述衬底的上面形成的漂移区；
在所述漂移区上面形成的体区、栅极和源极；
在所述衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及
在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；
其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。


2.根据权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括垂直导电型VMOSFET。


3.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括PMOSFET或NMOSFET。


4.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括沟槽MOSFET或平面MOSFET。


5.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述漂移区包括n-外延层或p-外延层。


6.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述源极包括金属。


7.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述栅极包括多晶硅、金属或金属硅化物中的至少一种。


8.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述粘附阻挡层包括Ta、TaN、Ti、TiN中的至少一种。


9.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述电镀铜层包括由在铜籽晶层上通过电镀法生长的铜薄膜层。


10.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述衬底包括硅。


11.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述衬底的厚度为100μm以下。


12.根据权利要求1或2所述的功率MOSFET，其特征在于，所述电镀铜层的厚度为50～300μm。


13.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1-12任一项所述的功率MOSFET。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑英豪，严大生，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37