半导体装置以及电力变换装置制造方法及图纸

提供提高散热性的模制型半导体装置。半导体装置具备：电路部件(2)，具有表面和背面，具有平面部；端子部(2a)，比电路部件(2)的平面部的表面靠上侧且与平面部平行地形成；半导体元件(4)，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠下侧的位置，形成于电路部件(2)的平面部的表面；树脂层(6)，配置于半导体元件(4)上，具有半导体元件(4)露出的多个第一开口部(10)；导电层(7、8)，配置于树脂层(6)上，上表面处于比端子部(2a)的上表面靠上侧的位置，在多个第一开口部(10)与半导体元件(4)接合；以及密封部件(9)，具有与平面部平行的上表面，对电路部件(2)、半导体元件(4)、树脂层(6)、导电层(7、8)及端子部(2a)的一部分一体地进行密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置
本专利技术涉及经由树脂层接合半导体元件上的电极和导电层的半导体装置以及具备该半导体装置的电力变换装置。
技术介绍
一般而言，在半导体装置中，针对半导体元件上的电极和其他部位利用铝等的键合线进行布线，为了电路的绝缘进行树脂密封。以往以来，已知在作为布线使用铝等的键合线的半导体装置中，在可靠性试验中，由于键合线的断裂、在半导体元件和键合线的界面发生剥离，半导体装置的寿命变短，成为半导体装置的可靠性劣化的原因之一。为了提高半导体装置的可靠性，公开了在半导体元件上的连接中从键合线用焊料连接金属板的半导体装置(例如专利文献1)。然而，在该构造中，仅半导体元件的发射极电极用金属板接合，对栅极电极、传感电极，如以往那样使用键合线。因此，用于对键合线进行密封的密封树脂的厚度变厚，所以从半导体元件的表面侧至密封树脂外部的距离较远，散热性劣化。因此，要求作为布线不使用键合线而仅用金属层连接所有电极的半导体装置。作为其对策，公开了使用功率覆盖(POL：PowerOverLay)来布线的构造(例如专利文献2)。...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n电路部件，具有表面和背面，具有平面部；/n端子部，比所述电路部件的所述平面部的所述表面靠上侧且与所述平面部平行地形成；/n半导体元件，上表面处于比所述端子部的上表面靠下侧的位置，形成于所述电路部件的所述平面部的所述表面；/n树脂层，配置于所述半导体元件上，具有所述半导体元件露出的多个第一开口部；/n导电层，配置于所述树脂层上，上表面处于比所述端子部的上表面靠上侧的位置，在所述多个第一开口部与所述半导体元件接合；以及/n密封部件，具有与所述平面部平行的上表面，对所述电路部件、所述半导体元件、所述树脂层、所述导电层及所述端子部的一部分一体地进行密封。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180307 JP 2018-0405771.一种半导体装置，具备：
电路部件，具有表面和背面，具有平面部；
端子部，比所述电路部件的所述平面部的所述表面靠上侧且与所述平面部平行地形成；
半导体元件，上表面处于比所述端子部的上表面靠下侧的位置，形成于所述电路部件的所述平面部的所述表面；
树脂层，配置于所述半导体元件上，具有所述半导体元件露出的多个第一开口部；
导电层，配置于所述树脂层上，上表面处于比所述端子部的上表面靠上侧的位置，在所述多个第一开口部与所述半导体元件接合；以及
密封部件，具有与所述平面部平行的上表面，对所述电路部件、所述半导体元件、所述树脂层、所述导电层及所述端子部的一部分一体地进行密封。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在配置有所述半导体元件的所述电路部件的所述平面部上具备连接部件，该连接部件为与所述半导体元件相同的高度，从所述半导体元件未露出的所述多个第一开口部露出并与所述导电层连接。


3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
所述树脂层具有第二开口部，该第二开口部在俯视时包括所述电路部件的表面的配置有所述半导体元件的区域以外的区域而开口，被填充所述密封部件。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述树脂层的所述半导体元件的外周部上的厚度比所述树脂层的所述半导体元件的外周部的外侧的厚度厚。


5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，
所述电路部件是引线框架。


6.根据权利要求1至4中的任意一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：六分一穗隆，平松星纪，森崎翔太，矢野新也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP