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本发明提供一种功率MOSFET、半导体器件及其衬底的减薄方法，所述功率MOSFET至少包含：在衬底的下面形成的粘附阻挡层；以及在所述粘附阻挡层的下面形成的电镀铜层；其中，所述功率MOSFET的厚度为300μm以下。所述方法包括如下步骤：在半...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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