一种芯片封装方法技术

本申请公开了一种芯片封装方法，该方法包括：在多个芯片的侧面和功能面一侧形成第一塑封层，其中，芯片的功能面上的焊盘从第一塑封层中露出，且相邻芯片之间的第一塑封层上形成有第一开口；在第一塑封层上形成电连接结构，电连接结构与焊盘电连接且覆盖第一开口表面；切割掉相邻芯片之间的部分第一塑封层和部分电连接结构，以获得包含单颗芯片的封装体，其中，封装体的侧面保留有与焊盘电连接的电连接结构。通过上述方式，本申请能够将芯片功能面上的焊盘从芯片的侧面引出，进而与其他电气元件电连接，提高连接的可靠性和芯片的结构强度。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装方法
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种芯片封装方法。
技术介绍
随着电子产品的更新换代，愈发要求电子产品的功能更多元化而体积更精小化，因此对于能够实现不能功能的芯片的堆叠方式需要尽可能压缩其堆叠后的体积。现有技术中，在3D堆叠时，通常采用硅通孔技术(TSV，ThroughSiliconVia)在堆叠后的芯片上打一个贯穿的通孔，在通孔内填充导电材料以使芯片上的焊盘能够与其他芯片的焊盘电连接；或者，采用交错层叠的方式，将芯片正面的焊盘露出，进而通过打线的方式使芯片与芯片之间的焊盘能够电连接。但是，硅通孔技术的对于工艺的精度要求极高，且会降低芯片的良品率，减小芯片的强度，而交错层叠再打线的方式，芯片交错层叠后所占的体积较大，并且打线连接存在不牢固的问题。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，能够将芯片功能面上的焊盘从芯片的侧面引出，进而与其他电气元件电连接。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装方法，该方法包括：在多个芯片的侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括：/n在多个芯片的侧面和功能面一侧形成第一塑封层，其中，所述芯片的所述功能面上的焊盘从所述第一塑封层中露出，且相邻所述芯片之间的所述第一塑封层上形成有第一开口；/n在所述第一塑封层上形成电连接结构，所述电连接结构与所述焊盘电连接且覆盖所述第一开口表面；/n切割掉相邻所述芯片之间的部分所述第一塑封层和部分所述电连接结构，以获得包含单颗所述芯片的封装体，其中，所述封装体的侧面保留有与所述焊盘电连接的所述电连接结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括：
在多个芯片的侧面和功能面一侧形成第一塑封层，其中，所述芯片的所述功能面上的焊盘从所述第一塑封层中露出，且相邻所述芯片之间的所述第一塑封层上形成有第一开口；
在所述第一塑封层上形成电连接结构，所述电连接结构与所述焊盘电连接且覆盖所述第一开口表面；
切割掉相邻所述芯片之间的部分所述第一塑封层和部分所述电连接结构，以获得包含单颗所述芯片的封装体，其中，所述封装体的侧面保留有与所述焊盘电连接的所述电连接结构。


2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在多个芯片的侧面和功能面一侧形成第一塑封层，包括：
将多个所述芯片的非功能面一侧黏贴于第一载板上；
在多个所述芯片的功能面一侧设置第一模具，其中，所述第一模具面向所述芯片一侧设有多个第一凸部，所述第一凸部对应相邻所述芯片之间的区域；
在所述芯片的侧面和功能面一侧形成所述第一塑封层，所述芯片的所述功能面上的焊盘从所述第一塑封层中露出，且所述第一塑封层在对应所述第一凸部的位置处形成所述第一开口；
移除所述第一模具。


3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在多个芯片的侧面和功能面一侧形成第一塑封层，包括：
将多个所述芯片的非功能面一侧黏贴于第一载板上；
在所述第一载板设有所述芯片的一侧形成所述第一塑封层，所述芯片的所述功能面上的焊盘从所述第一塑封层中露出；
在所述第一塑封层对应相邻所述芯片之间的位置处开设所述第一开口。


4.根据权利要求2或3所述的芯片封装方法，其特征在于，
所述第一开口的底部与所述第一载板之间具有预设间隔；或，...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴颖，姜艳，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32