模制设备、模制半导体装置的制造方法及模制半导体装置制造方法及图纸

一种模制设备被配置成用于对半导体装置进行模制且所述模制设备包括下部模具及上部模具。所述下部模具被配置成承载所述半导体装置。所述上部模具设置在所述下部模具上方以接纳所述半导体装置且所述上部模具包括模具部件及动态部件。所述模具部件被配置成覆盖所述半导体装置的上表面。所述动态部件围绕所述上部模具的装置接纳区设置且被配置成相对于所述模具部件移动。另提供一种模制方法及一种模制半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
模制设备、模制半导体装置的制造方法及模制半导体装置
本专利技术的实施例是涉及一种半导体设备、半导体装置与其制造方法，特别是涉及一种模制设备、模制半导体装置及其制造方法。
技术介绍
根据传统的半导体封装技术，多个半导体芯片在衬底上以恒定的间距及节距设置成阵列。在芯片与衬底之间的电连接工艺之后，在衬底的顶部上形成模制材料以包封芯片。接着，将模制材料固化且通过切割刀或通过激光来将模制材料单体化以获得多个单独的半导体装置。当注入模制材料以包封芯片且使模制材料填充到衬底与芯片之间的间隙中时，在衬底与芯片之间的间隙中可能形成其中未形成模制材料的区(即空隙)。这是由于在存在凸块电极(导电端子)的区与不存在凸块电极的区之间模制材料的流动速度出现差异。在不存在凸块电极的区中，模制材料在下游流动得较快，并且以迂回(roundabout)方式进入存在凸块电极的区。由于模制材料以迂回方式进行的这种流动，在存在凸块电极的区附近会出现被模制材料环绕的空间(即空隙)。在利用模制材料填充衬底与芯片之间的间隙之后，执行用于使模制材料热定型(thermallyse本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对半导体装置进行模制的模制设备，其特征在于，包括：/n下部模具，被配置成承载所述半导体装置；以及/n上部模具，设置在所述下部模具上方以接纳所述半导体装置且包括：/n模具部件，被配置成覆盖所述半导体装置的上表面；以及/n动态部件，围绕所述上部模具的装置接纳区设置，并且被配置成相对于所述模具部件移动。/n

【技术特征摘要】
20190429 US 16/398,1641.一种用于对半导体装置进行模制的模制设备，其特征在于，包括：
下部模具，被配置成承载所述半导体装置；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：翁圣丰，谢静华，刘重希，林志伟，邱圣翔，赖耀东，林家民，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71