半导体装置的制造方法及膜状粘接剂制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在上述基板上的压接工序；以及通过在加压气氛下加热上述压接工序后的粘接剂、将上述粘接剂进行固化处理的加热加压工序。通过经过加热加压工序，将上述第一导线的至少一部分及上述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。固化处理前的上述粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法及膜状粘接剂
本专利技术涉及半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的膜状粘接剂。
技术介绍
随着手机等的多功能化，将半导体元件多段地层叠而进行了高容量化的堆叠式MCP(MultiChipPackage，多芯片封装体)正在普及。半导体元件的安装中，膜状粘接剂作为芯片接合用的粘接剂被广泛使用。作为使用了膜状粘接剂的多段层叠封装体的一例，可举出导线埋入型的封装体。其是通过使用高流动性的膜状粘接剂进行压接，在利用粘接剂对连接于被压接一侧的半导体元件上的导线进行覆盖的同时进行压接的封装体，被搭载于手机、便携式音频设备用的存储封装体等中。作为上述堆叠式MCP等半导体装置所要求的重要特性之一，可举出连接可靠性。为了提高连接可靠性，开发了考虑到耐热性、耐湿性及耐回流性等特性的膜状粘接剂。作为这种膜状粘接剂，例如专利文献1中提出了含有包含高分子量成分和以环氧树脂为主成分的热固化性成分的树脂及填充物的厚度为10～250μm的粘接片材。另外，专利文献2中提出了包含含环氧树脂和酚醛树脂的混合物及丙烯酸共聚物的粘接剂组合物。半导体装置的连接可靠性很大程度上取决于是否能够在粘接面上不产生空隙的情况下安装半导体元件。因此，下功夫在使用高流动性的膜状粘接剂以使得在不产生空隙的情况下能够压接半导体元件，或者使用熔融粘度低的膜状粘接剂以使得能够在半导体元件的密封工序中使所产生的空隙消失等。例如专利文献3中提出了低粘度且低粘附强度的粘接片材。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2005/103180号公报专利文献2：日本特开2002-220576号公报专利文献3：日本特开2009-120830号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，最近在堆叠式MCP的制造中，有时在介由具有热固化性的粘接剂将半导体元件压接在基板上之后、通过在使用了加压烘箱等的加压气氛下进行加热来实施粘接剂的固化处理。加压烘箱是能够对内部的气氛进行加热及加压的装置，在加压烘箱中，粘接剂变成在受到来自周围气体的压力的同时被加热。由此，可以更有效地使半导体元件的粘接面的空隙减少或消失。但是，以往的粘接膜由于并未设想过要在加压烘箱中被使用，因此在发生半导体元件的位置偏移或者导线等的埋入性变得不足等方面仍有改善的余地。本专利技术鉴于上述事实而作出，其目的在于提供即便是通过加压气氛下的加热来实施粘接剂的固化处理时、导线等的埋入性也优异、且能够抑制发生半导体元件的位置偏移的半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的粘接剂。用于解决技术问题的手段本专利技术的半导体装置的制造方法具备以下工序：介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在上述基板的压接工序；以及通过在加压气氛下加热上述压接工序后的粘接剂、将上述粘接剂进行固化处理的加热加压工序。通过经过上述加热加压工序，将上述第一导线的至少一部分及上述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。上述半导体装置的制造方法中，固化处理前的上述粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。本专利技术人们获知了以下事项：为了实现由加压气氛下被加热的热固化性粘接剂所带来的优异埋入性，同时高度地抑制介由该粘接剂层叠的半导体元件的位置偏移，在加压气氛下被加热的过程中粘接剂不会变得过硬、也不会变得过软是有用的。进而，以各种温度条件及粘接剂的组成反复进行评价试验的结果发现，粘接剂的120℃下的熔融粘度反映了在加压气氛下进行加热时的粘接剂的流动性，而且在其特定范围(1000～3000Pa·s)下可以实现优异的埋入性，且可以高度地抑制半导体元件的位置偏移，从而完成了上述专利技术。因此，可以获得显示良好的连接可靠性的半导体装置。在上述半导体装置的制造方法的上述加热加压工序中，优选在0.1～1.0MPa的加压气氛下、60～175℃下将上述粘接剂加热5分钟以上。通过在上述条件下进行加热加压，更易获得埋入性。上述半导体装置的制造方法还可以在上述加热加压工序之后具备在上述第二半导体元件上进一步层叠第三半导体元件的工序。此时，可以增加所得半导体装置的容量。上述半导体装置的制造方法还可以进一步具备：介由第二导线将上述基板与上述第二半导体元电连接的第二引线接合工序；和用树脂将上述第二半导体元件密封的工序。此时，所得半导体装置的可靠性进一步提高。另外，本专利技术的粘接剂在半导体装置的制造工艺中使用。上述制造工艺包含以下工序：经过在加压气氛下加热上述粘接剂的固化处理，形成将基板上的导线的至少一部分及半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的上述粘接剂中的状态。上述粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。上述粘接剂由于在加压气氛下被加热的过程中不会变得过硬、也不会变得过软，因此在半导体装置的制造的加热加压工序中，可以在表现良好的埋入性的同时、抑制发生半导体元件的位置偏移。因此，可以获得显示良好的连接可靠性的半导体装置。上述粘接剂与涂布有阻焊剂油墨的上述基板的固化后粘接力优选为1.0MPa以上。此时，所得半导体装置的连接可靠性变得更良好。专利技术效果根据本专利技术，可以提供即便是通过加压气氛下的加热来实施粘接剂的固化处理时、导线等的埋入性也优异、且能够抑制发生半导体元件的位置偏移的半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的粘接剂。附图说明图1为表示本专利技术一个实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。图2为表示图1的后续工序的图。图3为表示图2的后续工序的图。图4为表示图3的后续工序的图。图5为表示图4的后续工序的图。图6为表示图5的后续工序的图。图7为表示本专利技术一个实施方式的粘接剂的截面图。图8为表示使用本专利技术一个实施方式的粘接剂获得的粘接片材的一例的截面图。图9为表示使用本专利技术一个实施方式的粘接剂获得的粘接片材的另一例的截面图。图10为表示使用本专利技术一个实施方式的粘接剂获得的粘接片材的另一例的截面图。图11为表示使用本专利技术一个实施方式的粘接剂获得的粘接片材的另一例的截面图。具体实施方式以下一边参照附图一边详细地说明本专利技术的优选实施方式。以下的说明中，相同或相当部分带有相同符号，且重复的说明省略。另外，上下左右等位置关系在没有特别限定的情况下是基于附图所示的位置关系。进而，附图的尺寸比例并不限定于图示的比例。此外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”及与其相对应的“甲基丙烯酸”。(半导体装置的制造方法)以下对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。首先，如图1所示，在基板14上的电路图案94上压接带有粘接剂41的第一半导体元件Wa，介由第一导线88将基板14上的电路图案84与第一半导体元件Wa电接合连接(第一引线接合工序)。接着，获得图2所示的带有膜状粘接剂的半导体元件。首先，准备在基材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：/n介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；/n介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在所述基板上的压接工序；以及/n通过在加压气氛下加热所述压接工序后的粘接剂、将所述粘接剂进行固化处理的加热加压工序，/n所述固化处理前的粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s，并且经过所述加热加压工序，将所述第一导线的至少一部分及所述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：
介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；
介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在所述基板上的压接工序；以及
通过在加压气氛下加热所述压接工序后的粘接剂、将所述粘接剂进行固化处理的加热加压工序，
所述固化处理前的粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s，并且经过所述加热加压工序，将所述第一导线的至少一部分及所述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述加热加压工序中，在0.1～1.0MPa的加压气氛下、60～175℃下将所述粘接剂加热5分钟以上。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村祐树，大久保惠介，彼谷美千子，山中大辅，矢羽田达也，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP