灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法技术

本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。灵敏放大器包括：放大模块；控制模块，与放大模块电连接；其中，在灵敏放大器的失调补偿阶段，控制模块用于将放大模块配置为包括二极管结构、电流镜结构和输入输出相连的反相器；在灵敏放大器的第一放大阶段，控制模块用于将放大模块配置为反相器。本公开可以实现灵敏放大器的失调补偿，进而提高半导体存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法
本公开涉及半导体存储器
，具体而言，涉及一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法。
技术介绍
随着新型密集型应用的发展，新型计算模式的产生(存内计算)，以及片上处理器核心数的不断增加，半导体存储器件变得越来越重要。根据半导体存储器件在断电后内部存储的数据是否会消失大致可分为两类：易失性存储器(在断开电源后丢失存储数据)和非易失性存储器(在断开电源后保留存储数据)。易失性存储器包括静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)。非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、电可编程只读存储器、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、NAND闪存、NOR闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FeRAM)等。而易失性存储器中的DRAM由于高带宽、低延迟、低成本、低功耗等优点，成为目前主流的半导体存储器。在DRAM中，灵敏放大器用于读取存储单元中的数据，具有一个位线BL(读取位线)输入端和一个位线BLB(参考位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：/n放大模块；/n控制模块，与所述放大模块电连接；/n其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为包括二极管结构、电流镜结构和输入输出相连的反相器；在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为反相器。/n

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
放大模块；
控制模块，与所述放大模块电连接；
其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为包括二极管结构、电流镜结构和输入输出相连的反相器；在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为反相器。


2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大模块包括：
第一PMOS管；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极通过第一节点与所述第一PMOS管的漏极连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与第一位线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一节点连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与第二位线连接，所述第二NMOS管的漏极通过第二节点与所述第二PMOS管的漏极连接；
其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第二NMOS管被配置为二极管结构，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为电流镜结构，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置为输入输出相连的反相器。


3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述控制模块包括：
第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一节点连接，所述第一开关的第二端与所述第一PMOS管的栅极连接；
第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一开关的第二端连接，所述第二开关的第二端与所述第二节点连接；
第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一节点连接，所述第三开关的第二端与所述第一位线连接；
第四开关，所述第四开关的第一端与所述第二位线连接，所述第四开关的第二端与所述第二节点连接；
其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一开关、第三开关、第四开关闭合，所述第二开关断开。


4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极接收第一电压，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极接地。


5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管被控制为处于截止区，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置为反相器。


6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述控制模块还包括：
第五开关，所述第五开关的第一端与所述第二节点连接，所述第五开关的第二端与所述第一位线连接；
第六开关，所述第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭春雨，葛骏林，何军，应战，李新，曹堪宇，卢文娟，蔺智挺，吴秀龙，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34