灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法技术

本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块；偏移电压存储单元，与放大模块电连接，用于在灵敏放大器的偏移消除阶段，存储放大模块的偏移电压；负载补偿单元，与放大模块电连接，用于在灵敏放大器的放大阶段，补偿所述放大模块的负载的差异。本公开可以提高灵敏放大器读取数据的准确性。

Control method of sense amplifier, memory and sense amplifier

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法
本公开涉及半导体存储器
，具体而言，涉及一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法。
技术介绍
随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。例如DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)、SRAM(StaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器)的存储器由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。灵敏放大器(SenseAmplifier，简称SA)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号进行放大，从而执行读取或写入操作。随着技术的不断进步，半导体存储器的尺寸不断减小，在这种情况下，灵敏放大器中，由于晶体管的失配造成的失调电压越来越大，会严重影响半导体存储器的性能。在一些失调补偿方案中，虽然抑制了失调电压，然而，由于电路结构的缺陷，仍可能出现读取数据错误的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：/n放大模块；/n偏移电压存储单元，与所述放大模块电连接，用于在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，存储所述放大模块的偏移电压；/n负载补偿单元，与所述放大模块电连接，用于在所述灵敏放大器的放大阶段，补偿所述放大模块的负载的差异。/n

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
放大模块；
偏移电压存储单元，与所述放大模块电连接，用于在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，存储所述放大模块的偏移电压；
负载补偿单元，与所述放大模块电连接，用于在所述灵敏放大器的放大阶段，补偿所述放大模块的负载的差异。


2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大模块包括：
第一PMOS管；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极、所述偏移电压存储单元的第一端连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述偏移电压存储单元的第二端连接；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为电流镜，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均被配置为二极管连接方式，以将所述放大模块的偏移电压存储在所述偏移电压存储单元中。


3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接于第一节点，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接于第二节点；所述灵敏放大器还包括：
第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一节点连接，所述第一开关的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接；
第二开关，所述第二开关的第一端与所述第二节点连接，所述第二开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；
第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三开关的第二端与所述第二PMOS管的栅极连接；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关均处于闭合状态。


4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：
上拉单元，用于响应上拉控制信号，控制所述第一PMOS管的源极与电源电压的连接状态；
下拉单元，用于响应下拉控制信号，控制所述第一NMOS管的源极是否接地；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第一PMOS管的源极与所述电源电压连接，所述第一NMOS管的源极接地。


5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：
第四开关，所述第四开关的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第四开关的第二端与所述第二节点连接；
第五开关，所述第五开关的第一端与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第五开关的第二端与所述第二NMOS管的栅极连接；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第五开关断开。


6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：
第六开关，所述第六开关的第一端与第一位线连接，所述第六开关的第二端与所述第一节点连接；
第七开关，所述第七开关的第一端与第二位线连接，所述第七开关的第二端与所述第二节点连接；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第六开关和所述第七开关均断开。


7.根据权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述负载补偿单元的第一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述负载补偿单元的第二端与第二节点连接；
其中，在所述灵敏放大器的偏移消除阶段，所述第四开关断开，所述负载补偿单元存储所述放大模块的偏移电压。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秀龙，赵丽，赵阳扩，何军，李新，应战，曹堪宇，卢文娟，彭春雨，蔺智挺，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34