灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法技术

本公开提供了一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法，涉及半导体存储器技术领域。该灵敏放大器包括：放大模块，用于读取位线或参考位线上存储单元的数据；第一开关模块，被配置为当灵敏放大器针对位线读第一状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线断开；当灵敏放大器针对位线读第二状态且灵敏放大器处于放大阶段时，控制放大模块与参考位线连接。本公开可以减小灵敏放大器的功耗。

Control method of sense amplifier, memory and sense amplifier

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法
本公开涉及半导体存储器
，具体而言，涉及一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法。
技术介绍
随着手机、平板、个人计算机等电子设备的普及，半导体存储器技术也得到了快速的发展。例如DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)、SRAM(StaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器)的存储器由于高密度、低功耗、低价格等优点，已广泛应用于各种电子设备中。灵敏放大器(SenseAmplifier，简称SA)是半导体存储器的一个重要组成部分，其主要作用是将位线上的小信号进行放大，从而执行读取或写入操作。功耗作为评价灵敏放大器性能的一个重要指标，直接影响着存储器的应用场景。目前，如何减小灵敏放大器的功耗，已成为亟待解决的问题。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种灵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：/n放大模块，用于读取位线或参考位线上存储单元的数据；/n第一开关模块，被配置为当所述灵敏放大器针对所述位线读第一状态且所述灵敏放大器处于放大阶段时，控制所述放大模块与所述参考位线断开；当所述灵敏放大器针对所述位线读第二状态且所述灵敏放大器处于放大阶段时，控制所述放大模块与所述参考位线连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：
放大模块，用于读取位线或参考位线上存储单元的数据；
第一开关模块，被配置为当所述灵敏放大器针对所述位线读第一状态且所述灵敏放大器处于放大阶段时，控制所述放大模块与所述参考位线断开；当所述灵敏放大器针对所述位线读第二状态且所述灵敏放大器处于放大阶段时，控制所述放大模块与所述参考位线连接。


2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关模块被配置为当所述灵敏放大器处于放大阶段时，基于所述位线传输的电压以及数据来源控制信号，控制所述放大模块与所述参考位线的连接状态；
其中，所述放大模块与所述参考位线的连接状态包括所述放大模块与所述参考位线断开以及所述放大模块与所述参考位线连接。


3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关模块包括：
第一或非门，所述第一或非门的第一输入端通过第一节点与所述放大模块连接，所述第一或非门的第二输入端用于接收所述数据来源控制信号；
第一开关单元，所述第一开关单元的第一控制端与所述第一或非门的输出端连接，所述第一开关单元的第一端通过第二节点与所述放大模块连接，所述第一开关单元的第二端与所述参考位线连接。


4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关模块还包括：
第二开关单元，所述第二开关单元的控制端与所述第一节点连接，所述第二开关单元的第一端与所述第一或非门的输出端连接，所述第二开关单元的第二端与所述参考位线连接。


5.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关模块基于所述位线传输的电压以及所述数据来源控制信号，控制所述放大模块与所述参考位线的连接状态，包括：
所述第一开关模块被配置为响应所述位线传输的电压、所述数据来源控制信号以及第一控制信号，控制所述放大模块与所述参考位线的连接状态；
其中，所述第一开关单元还包括第二控制端，用于接收所述第一控制信号。


6.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大模块包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏极与第一节点连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一节点连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏极与第二节点连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第二节点连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接；
第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极用于接收第一控制信号，所述第三PMOS管的源极用于接收电源电压；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管的栅极用于接收第二控制信号，所述第三NMOS管的源极接地；
其中，所述第一PMOS管的栅极与所述第二节点连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第一节点连接。


7.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一开关单元包括：
第四PMOS管，所述第四PMOS管的栅极与所述第一或非门的输出端连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第二节点连接，所述第四PMOS管的源极与所述参考位线连接。


8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭春雨，王子健，卢文娟，吴秀龙，何军，李新，应战，曹堪宇，蔺智挺，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34