一种半导体靶材组件及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体靶材组件及其制备工艺，所述制备工艺包括：将铸造得到靶材坯体依次进行第一压延、第一热处理、第二压延、第二热处理、第三压延及第三热处理得到靶坯，之后将所述靶坯和背板焊接，经粗加工及精加工，得到所述半导体圆靶材组件。本发明专利技术提供的工艺，通过对工艺中各步骤及参数的合理设计，使得制备得到的靶材在磁控溅射中能够避免弧光放电现象的产生，并不对内部晶体的组织结构造成影响，加工流程简化，提高生产效率，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体靶材组件及其制备工艺
本专利技术涉及靶材领域，具体涉及一种半导体靶材组件及其制备工艺。
技术介绍
磁控溅射过程中，由于某些原因，靶材表面附近区域的气体放电由稳定的辉光放电变为电流密度很大的弧光放电，这种现象对溅射过程有害，需要关注并制止。当前防止弧光放电现象产生的方法主要有靶材尺寸调整、增加靶材组织结构致密性等。如CN202786408U公开了一种镀膜设备，提供了一种新的布气方式，其布气管道设置在真空腔室内的进气口具体为两组，包括第一组进气口和第二组进气口，其中的第一组进气口设置在靠近靶材的一侧，第二组进气口设置在远离靶材，且靠近基片的一侧，气体分别从这两组进气口进入镀膜腔室，气体中一部分从靶材附近进气，另一部分从远离靶材靠近基片位置处进气，这样就会减少靶材表面生成反应生成化合物(绝缘层)，从而减少弧光放电、脱膜现象；同时这种布气方式更容易控制气体分布的均匀性，从而有利于控制膜厚的均匀；进一步的，通过优化从靶材附近进气量与远离靶材靠近基片位置处进气量之比，可以获得膜层的均匀性好而同时大大较少弧光放电、脱膜现象等效果。C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体靶材组件的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：将铸造得到靶材坯体依次进行第一压延、第一热处理、第二压延、第二热处理、第三压延及第三热处理得到靶坯，之后将所述靶坯和背板焊接，经粗加工及精加工，得到所述半导体圆靶材组件。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体靶材组件的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：将铸造得到靶材坯体依次进行第一压延、第一热处理、第二压延、第二热处理、第三压延及第三热处理得到靶坯，之后将所述靶坯和背板焊接，经粗加工及精加工，得到所述半导体圆靶材组件。


2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一压延的速度为40-80m/min；
优选地，所述第一热处理的温度为230-270℃；
优选地，所述第一热处理的时间为25-40min；
优选地，所述第一热处理和第二压延之间设置水冷；
优选地，所述水冷的终点温度为25-30℃。


3.如权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于，所述第二压延的速度为40-80m/min；
优选地，所述第二压延至少进行2次；
优选地，所述第二热处理的温度为230-270℃；
优选地，所述第二热处理的时间为25-35min；
优选地，所述第二热处理和第三压延之间设置水冷；
优选地，所述水冷的终点温度为25-30℃。


4.如权利要求1-3任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述第三压延的速度为40-80m/min；
优选地，所述第三压延至少进行2次；
优选地，所述第三热处理的温度为130-170℃；
优选地，所述第三热处理的时间为10-20min；
优选地，所述第三热处理完成后进行水冷；
优选地，所述水冷的终点温度为25-30℃。


5.如权利要求1-4任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述焊接的方式为扩散焊接；
优选地，所述焊接的温度为375-425℃；
优选地，所述焊接的时间为3-3.5h；
优选地，所述焊接的压力为100-110MPa。


6.如权利要求1-5任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述背板包括铜背板或铝背板。


7.如权利要求1-6任一项所述的制备工艺，其特征在于，所述粗加工为将焊接后的靶胚和背板中的靶胚表面进行车削至余量为0.3-0.5mm；
优选地，所述车削的进刀量为0.15-0.2mm；
优选地，所述车削的切削速度为130-150mm/min。


8.如权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，所述精加工为将粗加工车削剩余余量车削至所述靶材组件所需的厚度；
优选地，所述精加工依次进行三次；
优选地，所述精加工进行第一次时的进刀量为0.1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，袁波，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33