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一种提高磁控溅射靶材利用率的装置制造方法及图纸

技术编号:26132627 阅读:56 留言:0更新日期:2020-10-31 10:21
实用新型专利技术提供一种提高磁控溅射靶材利用率的装置。所述提高磁控溅射靶材利用率的装置,包括磁轭以及磁体组;所述磁体组设置于所述磁轭上部,并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体,所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体,并且所述直道区磁体呈水平平行设置,所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体,所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路,并在靶材表面形成磁场。实用新型专利技术提供的提高磁控溅射靶材利用率的装置能够有效改善平面阴极靶材环形区域和过渡区域刻蚀速度过快的问题,提升靶材利用率,并且降低磁控溅射镀膜成本。

【技术实现步骤摘要】
一种提高磁控溅射靶材利用率的装置
技术涉及磁控溅射
,尤其涉及一种提高磁控溅射靶材利用率的装置。
技术介绍
物理气相沉积是一种利用物理方式在基材上沉积薄膜的技术。磁控溅射技术是物理气相沉积技术的一种。在磁控溅射镀膜技术中,在被处理材料即靶材背面配置磁场发生装置的磁控溅射技术为溅射法中的主流。磁控溅射通过磁体在靶材的表面形成磁场,利用电子的漂移运动将等离子体约束于靶材的表面附近,因此形成高密度的等离子体;高能离子(通常为电场加速的氩离子)轰击靶材表面,靶材表面离子或原子与入射的高能离子交换能量后从靶材表面飞溅出来,并在基材上沉积成膜。磁控溅射平面阴极的磁场发生装置在靶材表面形成的磁场分布决定了靶材被高能粒子刻蚀消耗后的刻蚀沟道形状,同时也决定了靶材的溅射效率和利用率。请参阅图1,为现有常见的磁控溅射平面阴极示意图,一般包含靶材23和磁场发生装置(包含磁体组22和磁轭21),磁体组置于磁轭和靶材之间,通常是三道磁体,磁化极轴垂直于靶材平面,相邻两道磁体磁极相反,两侧磁体由端部磁轭连接形成闭合磁回路,并在靶材表面形成磁场约束等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高磁控溅射靶材利用率的装置,其特征在于,包括磁轭以及磁体组;/n所述磁体组设置于所述磁轭上部,并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体,所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体,并且所述直道区磁体呈水平平行设置,所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体,所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路,并在靶材表面形成磁场;/n所述提高磁控溅射靶材利用率的装置分别采用通过所述磁轭上设置凹槽、降低环形区磁体的高度或增加辅助磁铁三种改进技术方案实现提升磁控溅射靶材利用率。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高磁控溅射靶材利用率的装置,其特征在于,包括磁轭以及磁体组;
所述磁体组设置于所述磁轭上部,并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体,所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体,并且所述直道区磁体呈水平平行设置,所述环形区磁体包含一组中心磁体和一组外侧磁体,所述环形区磁体与所述直道区磁体的中心磁体和外侧磁体与磁轭共同形成闭合磁回路,并在靶材表面形成磁场;
所述提高磁控溅射靶材利用率的装置分别采用通过所述磁轭上设置凹槽、降低环形区磁体的高度或增加辅助磁铁三种改进技术方案实现提升磁控溅射靶材利用率。


2.根据权利要求1所述的提高磁控溅射靶材利用率的装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢斌李明籍伟杰
申请(专利权)人:谢斌
类型:新型
国别省市:安徽;34

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