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本发明涉及一种半导体靶材组件及其制备工艺，所述制备工艺包括：将铸造得到靶材坯体依次进行第一压延、第一热处理、第二压延、第二热处理、第三压延及第三热处理得到靶坯，之后将所述靶坯和背板焊接，经粗加工及精加工，得到所述半导体圆靶材组件。本发明提供...
该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。

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