一种晶体管的集成基板制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种晶体管的集成基板，包括底基，所述底基表面均设置有条形纹，且在所述底基双面上均设置有镀膜层，所述镀膜层由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层和位于相邻两组薄膜导电层之间的绝缘层组成，所述薄膜导电层和所述绝缘层的表面均设置有相互嵌合的凹坑和凸点，在所述镀膜层上设置有穿孔，且所述穿孔内均充填有绝缘树脂层，所述绝缘树脂层内开设有通孔；本实用新型专利技术在空间结构内通过凹坑和凸点以提高层与层之间的稳定性和可靠性，能够有效的将不同层位上的薄膜导电层连通以满足不同条件下的导电需求，并且在通孔内通过绝缘树脂层安装晶体管，实现连通薄膜导电层的同时还不影响其他的薄膜导电层。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管的集成基板
本技术实施例涉及晶体管
，具体涉及一种晶体管的集成基板。
技术介绍
集成基板是电子产品中的主要结构，其主要作用在于提供电路的载位以及用于设置晶体管等电学器件，以完成对整个电路结构的设计。在实际中，对于电路的主体结构是确定的，往往是通过外接结构的设计以改变电路的功能。因为在电路的设计中可以先完成对集成基板的设计和制备，再通过外设电子器件等设置以达到改进的作用。但是在现有技术中，由于基板是通过腐蚀的方式来实现制造电路的，在设置空间结构时由于层间结构的存在，导致其容易由于外力作用发生滑移，导致基板的空间结构被破坏，另外，还可能存在穿孔不到位或者过度导致晶体管引脚不能有效连通的问题。
技术实现思路
为此，本技术实施例提供一种晶体管的集成基板，以解决现有技术中层间结构连接不稳定以及空间结构内晶体管引脚不好安装的问题。为了实现上述目的，本技术的实施方式提供如下技术方案：一种晶体管的集成基板，包括底基，所述底基表面均设置有条形纹，且在所述底基双面上均设置有镀膜层，所述镀膜层由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层和位于相邻两组薄膜导电层之间的绝缘层组成，所述薄膜导电层和所述绝缘层的表面均设置有相互嵌合的凹坑和凸点；在所述镀膜层上根据设定薄膜导电层的深度设置有达到所述薄膜导电层的穿孔，且所述穿孔内均充填有绝缘树脂层，所述绝缘树脂层内开设有用于安装晶体管引脚的通孔。作为本技术的一种优选方案，所述凹坑的深度和所述凸点的高度相等，且两者的深度或高度小于薄膜导电层或所述绝缘层的1/10。作为本技术的一种优选方案，所述绝缘树脂层的厚度不小于穿孔内直径的1/5。作为本技术的一种优选方案，所述镀膜层的外表面均设置有包裹层，所述包裹层表面设置有硬化层。本技术的实施方式具有如下优点：本技术通过设置多层的镀膜层，能够在立体空间内形成安装晶体管的多维结构，且在空间结构内通过凹坑和凸点以提高层与层之间的稳定性和可靠性，另外通过在空间内设置通孔，能够有效的将不同层位上的薄膜导电层连通以满足不同条件下的导电需求，并且在通孔内通过绝缘树脂层安装晶体管，实现连通薄膜导电层的同时还不影响其他的薄膜导电层。附图说明为了更清楚地说明本技术的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。图1为本技术实施方式中的结构示意图；图2为本技术实施方式中镀膜层的剖面结构示意图。图中：1-底基；2-条形纹；3-镀膜层；4-包裹层；5-硬化层；301-薄膜导电层；302-绝缘层；303-凹坑；304-凸点；305穿孔；306-绝缘树脂层；307-通孔。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1和图2所示，本技术提供了一种晶体管的集成基板，包括底基1，所述底基1表面均设置有条形纹2，且在所述底基1双面上均设置有镀膜层3，在本实施方式中通过条形纹2将镀膜层3设置在底基1上，提高层间结构之间的稳定性和可靠性。其中，所述镀膜层3由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层301和位于相邻两组薄膜导电层301之间的绝缘层302组成，薄膜导电层301即为基板中起到导电作用的主体结构，而绝缘层302是作为层间填充物填充在镀膜层3内。为了提高层间结构之间的可靠性，在所述薄膜导电层301和所述绝缘层302的表面均设置有相互嵌合的凹坑303和凸点304，通过设置的凹坑303和凸点304相互嵌合以实现结构之间连接的稳定性，防止由于剪切力等导致的层间结构发生滑移。在所述镀膜层3上根据设定薄膜导电层301的深度设置有达到所述薄膜导电层301的穿孔305，穿孔305的深度不相同，实则是将位于空间内不同位置上的薄膜导电层301连通起来，且所述穿孔305内均充填有绝缘树脂层306，绝缘树脂层306的作用在于绝缘其它层可以被钻开的薄膜导电层301，所述绝缘树脂层306内开设有用于安装晶体管引脚的通孔307。在实际安装的过程中，晶体管的引脚就防止在通孔307内，通过通孔的安装将薄膜导电层连接起来。在本技术中，所述凹坑303的深度和所述凸点304的高度相等，且两者的深度或高度小于薄膜导电层301或所述绝缘层302的1/10。所述绝缘树脂层306的厚度不小于穿孔内直径的1/5。通过限制凹坑303、所述凸点304和绝缘树脂层306等具体参数，旨在防止由于这类结构的破坏整体空间结构的完整性。另外，需要对镀膜层3进行进一步的保护，具体的方法为：在所述镀膜层3的外表面均设置有包裹层4，所述包裹层4表面设置有硬化层5。通过设置的包裹层4和硬化层5可以提高对镀膜层3的保护，防止其受到应力作用，也能够减少其基板表面的损伤。综合上述，在本技术中：本技术通过设置多层的镀膜层，能够在立体空间内形成安装晶体管的多维结构，且在空间结构内通过凹坑和凸点以提高层与层之间的稳定性和可靠性，另外通过在空间内设置通孔，能够有效的将不同层位上的薄膜导电层连通以满足不同条件下的导电需求，并且在通孔内通过绝缘树脂层安装晶体管，实现连通薄膜导电层的同时还不影响其他的薄膜导电层。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本技术作了详尽的描述，但在本技术基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本技术精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管的集成基板，包括底基(1)，其特征在于，所述底基(1)表面均设置有条形纹(2)，且在所述底基(1)双面上均设置有镀膜层(3)，所述镀膜层(3)由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层(301)和位于相邻两组薄膜导电层(301)之间的绝缘层(302)组成，所述薄膜导电层(301)和所述绝缘层(302)的表面均设置有相互嵌合的凹坑(303)和凸点(304)；/n在所述镀膜层(3)上根据设定薄膜导电层(301)的深度设置有达到所述薄膜导电层(301)的穿孔(305)，且所述穿孔(305)内均充填有绝缘树脂层(306)，所述绝缘树脂层(306)内开设有用于安装晶体管引脚的通孔(307)。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的集成基板，包括底基(1)，其特征在于，所述底基(1)表面均设置有条形纹(2)，且在所述底基(1)双面上均设置有镀膜层(3)，所述镀膜层(3)由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层(301)和位于相邻两组薄膜导电层(301)之间的绝缘层(302)组成，所述薄膜导电层(301)和所述绝缘层(302)的表面均设置有相互嵌合的凹坑(303)和凸点(304)；
在所述镀膜层(3)上根据设定薄膜导电层(301)的深度设置有达到所述薄膜导电层(301)的穿孔(305)，且所述穿孔(305)内均充填有绝缘树脂层(306)，所述绝缘树脂层(306)内开设...

【专利技术属性】
技术研发人员：高苗苗，
申请(专利权)人：深圳市冠禹半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44