过渡电压保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了过渡电压保护装置。过渡电压保护装置(101A、101B)具备：一个共用端子(Pc)、多个输入输出端子(P1、P2)、以及第1端(T1)与共用端子(Pc)直接地或者间接地连接的过渡电压抑制元件(10)，在过渡电压抑制元件(10)的第2端(T2)与多个输入输出端子(P1、P2)之间连接逆流防止电路(11、12)，该逆流防止电路的击穿电压比过渡电压抑制元件(10)的击穿电压高，将过渡电压抑制元件(10)的击穿电流流动的方向设为正向。通过该结构，对于过渡电压保护装置的多个端子，针对过渡电压适当地进行保护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】过渡电压保护装置
本技术涉及保护电子电路免受由静电放电等引起的过渡电压的过渡电压保护装置。
技术介绍
在专利文献1中示出半导体集成电路，该半导体集成电路具备保护电子电路免受静电放电(ESD：ElectrostaticDischarge)的静电放电保护电路。专利文献1所示的半导体集成电路具备：将输入输出信号的外部焊盘和内部电路连接的连接路径、以及与该连接路径连接的二个保护电路。第1保护电路由连接在连接路径与接地线之间的二极管构成，第2保护电路由连接在连接路径与电源线之间、或者连接路径与接地线之间的二极管构成。专利文献1：日本特开2009－54851号公报专利文献1所记载的半导体集成电路是对于单一的输入输出端子，针对来自外部的静电放电保护内部电路的电路，但若构成对于多个输入端子，针对静电放电等的过渡电压进行保护的电路，则产生以下描述的问题。图11是为了对本技术的课题进行说明而构成的、具备二个输入输出端子P1、P2和共用端子Pc的过渡电压保护装置的电路图。该过渡电压保护装置在输入输出端子P1、P2与共用端子Pc之间具备齐纳二极管ZD0、ZD1、ZD2。通常，输入输出端子P1、P2是外部端子，共用端子Pc是接地端子。齐纳二极管ZD1的阳极与输入输出端子P1连接，齐纳二极管ZD2的阳极与输入输出端子P2连接，齐纳二极管ZD0的阳极与共用端子Pc连接，将齐纳二极管ZD1、ZD2、ZD3的阴极进行共用连接。但是，在像这样在多个输入输出端子与共用端子之间连接有齐纳二极管等过渡电压抑制元件(TVS：transient-voltage-suppressor)的电路中，例如在对输入输出端子P1施加过渡电压而齐纳二极管ZD0发生击穿时，导致齐纳二极管ZD2也会发生击穿。由此，导致过渡电流i0向共用端子Pc流动，并且过渡电流i2向输入输出端子P2泄漏。因此，针对与输入输出端子P2连接的电路的过渡电压保护不能有效地进行。同样，在对输入输出端子P2施加过渡电压而齐纳二极管ZD0发生击穿(breakdown)时，导致齐纳二极管ZD1也会发生击穿。由此，导致过渡电流向共用端子Pc流动，并且向输入输出端子P1泄漏。因此，针对与输入输出端子P1连接的电路的过渡电压保护不能有效地进行。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供过渡电压保护装置，在多个输入输出端子与共用端子之间连接有过渡电压抑制元件的电路中，能够对于多个端子针对过渡电压进行适当保护。作为本技术的一例的过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，在所述过渡电压抑制元件的第2端与多个所述输入输出端子之间连接逆流防止电路，所述逆流防止电路的击穿电压比所述过渡电压抑制元件的击穿电压高，所述逆流防止电路将所述过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向。根据上述结构，在过渡电压抑制元件发生击穿的状态下，通过逆流防止电路的作用而对于没有被从外部施加过渡电压的输入输出端子而言，不会被从过渡电压保护装置侧施加过渡电压。因此，保护与各输入输出端子连接的电路。本技术涉及的过渡电压保护装置中，所述过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，在所述过渡电压抑制元件的第2端与多个所述输入输出端子之间连接逆流防止电路，所述逆流防止电路的击穿电压比所述过渡电压抑制元件的击穿电压高，所述逆流防止电路将所述过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向，所述逆流防止电路包括齐纳二极管。本技术涉及的过渡电压保护装置中，所述过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，在所述过渡电压抑制元件的第2端与多个所述输入输出端子之间连接逆流防止电路，所述逆流防止电路的击穿电压比所述过渡电压抑制元件的击穿电压高，所述逆流防止电路将所述过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向，所述逆流防止电路具备与供所述故障电流流动的路径串联连接的电感器。并且，所述过渡电压抑制元件是以应保护与所述输入输出端子连接的电路的电压进行击穿的齐纳二极管。此外，所述逆流防止电路包括连接栅极和漏极的MOS-FET。并且，所述逆流防止电路包括形成于P层与N层的接合部的PN接合二极管。根据本技术，得到过渡电压保护装置，在多个输入输出端子与共用端子之间连接有过渡电压抑制元件的电路中，能够对于多个端子，针对过渡电压进行适当地保护。附图说明图1(A)是第1实施方式的过渡电压保护装置101A的电路图。图1(B)是第1实施方式的过渡电压保护装置101B的电路图。图2是示出连接有过渡电压保护装置101B的电子电路的主要部分的电路图。图3是过渡电压保护装置101B由单一的半导体集成电路构成的情况下的半导体集成电路的主要部分的剖视图。图4是具有三个输入输出端子P1、P2、P3的过渡电压保护装置101C的电路图。图5是第2实施方式的过渡电压保护装置102的电路图。图6是第3实施方式的过渡电压保护装置103的电路图。图7是第4实施方式的过渡电压保护装置104的电路图。图8是第5实施方式的过渡电压保护装置105的电路图。图9是第6实施方式的过渡电压保护装置106A的电路图。图10是第6实施方式的其他的过渡电压保护装置106B的电路图。图11是为了对本技术的课题进行说明而构成的、具备二个输入输出端子P1、P2和共用端子Pc的过渡电压保护装置的电路图(比较例)。具体实施方式首先，对本技术的过渡电压保护装置的几个方式进行记载。在本技术的第1方式的过渡电压保护装置中，具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，该过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接。而且，在过渡电压抑制元件的第2端与多个输入输出端子之间连接逆流防止电路，该逆流防止电路的击穿电压比过渡电压抑制元件的击穿电压高，将过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向。根据该结构，在过渡电压抑制元件发生击穿的状态下，通过逆流防止电路的作用而对于没有被从外部施加过渡电压的输入输出端子，不会被从过渡电压保护装置侧施加过渡电压。因此，保护与各输入输出端子连接的电路。在本技术的第2方式的过渡电压保护装置中，所述过渡电压抑制元件是以应保护与所述输入输出端子连接的电路的电压进行击穿的齐纳二极管。根据该结构，能够设置以比较低的电压发生击穿的过渡电压抑制元件，能够在电源电压较低的电子设备中进行过渡电压保护。在本技术的第3方式的过渡电压保护装置中，所述逆流防止电路包括连接栅极和漏极的MOS-FET。根据该结构，由于正向偏置状态下的电压下降较小，接通电阻较低，因此将过渡电压保护动作时的输入输出端子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过渡电压保护装置，其特征在于，/n所述过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，/n在所述过渡电压抑制元件的第2端与多个所述输入输出端子之间连接逆流防止电路，所述逆流防止电路的击穿电压比所述过渡电压抑制元件的击穿电压高，所述逆流防止电路将所述过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向，/n所述逆流防止电路包括齐纳二极管。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180905 JP 2018-1663261.一种过渡电压保护装置，其特征在于，
所述过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，
在所述过渡电压抑制元件的第2端与多个所述输入输出端子之间连接逆流防止电路，所述逆流防止电路的击穿电压比所述过渡电压抑制元件的击穿电压高，所述逆流防止电路将所述过渡电压抑制元件的击穿电流流动的方向设为正向，
所述逆流防止电路包括齐纳二极管。


2.一种过渡电压保护装置，其特征在于，
所述过渡电压保护装置具备一个共用端子、多个输入输出端子以及过渡电压抑制元件，所述过渡电压抑制元件的第1端与所述共用端子直接或间接地连接，
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂井宣夫，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本;JP