电子设备制造技术

本公开的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子设备
本公开涉及电子设备。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种摄像装置，通过在像素部设置电容元件，能够进行高动态范围摄影。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2016－76921号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在专利文献1所记载的摄像装置中，电容元件的电容越大，则能够实现越高的动态范围。像这样，在具备电容元件的电子设备中，期待电容进一步增大。为了使电容元件的电容增大，例如增大电极的面积即可。但是，由于电极的面积增大，存在电子设备大型化的问题。于是，本公开提供具备大电容的电容元件的小型的电子设备。用于解决课题的手段本公开的非限定性的例示的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，具备：/n电容元件；/n绝缘层；/n至少1个沟槽，被设置在所述绝缘层；以及/n第1导电插塞，至少一部分被所述绝缘层包围，/n所述电容元件包含：/n第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；/n介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及/n上部电极，被设置在所述介电体层上，/n所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 JP 2018-0724091.一种电子设备，具备：
电容元件；
绝缘层；
至少1个沟槽，被设置在所述绝缘层；以及
第1导电插塞，至少一部分被所述绝缘层包围，
所述电容元件包含：
第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；
介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及
上部电极，被设置在所述介电体层上，
所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。


2.如权利要求1所述的电子设备，
所述至少1个沟槽包含多个沟槽，
所述第1下部电极沿着所述多个沟槽各自的内壁和所述绝缘层的所述上表面设置。


3.如权利要求1所述的电子设备，
所述电容元件还包含被设置在所述绝缘层的所述上表面与所述第1下部电极之间的第2下部电极，
在所述第2下部电极，设置了使所述至少1个沟槽的上部开口的开口部，
所述第1下部电极将所述至少1个沟槽的所述内壁和所述第2下部电极连续地覆盖。


4.如权利要求3所述的电子设备，
所述第2下部电极的至少一部分在平面视下与所述第1导电插塞重叠，
所述第1导电插塞与所述第2下部电极连接。


5.如权利要求4所述的电子设备，还具备：
光电转换部，将入射的光转换为电荷；以及
扩散区域，积蓄所述电荷，
所述第2下部电极经由所述第1导电插塞与所述扩散区域连接。


6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高濑雅之，矶野俊介，留河优子，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP