半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及具有多孔金属氧化膜的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
例如，通过在酸性电解液中对铝进行阳极氧化时形成柱状的规则的细孔结构的自组织化来设置多孔金属氧化膜。这样的多孔金属氧化膜利用增大的表面积、细孔的内部空间、较高的规则性等，而研究了向滤波器、光子晶体、记录介质、传感器等的应用。例如，专利文献1公开了如下的阳极氧化膜的制造方法：预先在支承基板设置通孔，之后将被阳极氧化膜粘合于支承基板，通过通孔取出阳极氧化的阳极用导线，在吸附支承基板的背面的同时使被阳极氧化膜整体浸渍于阳极氧化液来进行阳极氧化。然而，在阳极氧化用的支承基板之上设置被阳极氧化膜来进行阳极氧化的方法中，需要从支承基板剥离通过阳极氧化制造出的多孔金属氧化膜(阳极氧化膜)，并转印到半导体装置等。另外，即使将具备被阳极氧化膜的半导体装置粘合于支承基板，在为了设置电路、元件等而在内部具有绝缘层的半导体装置中，也不能够进行基于相同的方法的阳极氧化膜的制造。例如，在专利文献2的半导体装置的制造方法中，公开了在半导体装置的表面设置蚀刻为规本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n半导体基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；以及/n多孔金属氧化膜，形成在上述半导体基板的上述第一主面侧，并且具有多个细孔，/n上述半导体基板构成为：在上述第一主面侧具有与上述多孔金属氧化膜电连接的连接部，并且从上述第二主面侧到上述第一主面侧的上述连接部提供供电路径。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 JP 2017-2440611.一种半导体装置，具备：
半导体基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；以及
多孔金属氧化膜，形成在上述半导体基板的上述第一主面侧，并且具有多个细孔，
上述半导体基板构成为：在上述第一主面侧具有与上述多孔金属氧化膜电连接的连接部，并且从上述第二主面侧到上述第一主面侧的上述连接部提供供电路径。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述多个细孔在上述多孔金属氧化膜中向与上述半导体基板侧的相反侧开口，并且沿与上述半导体基板的上述第一主面交叉的方向延伸。


3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
还具备第一绝缘膜，上述第一绝缘膜设置在上述半导体基板与上述多孔金属氧化膜之间，并且形成有通孔，
上述多孔金属氧化膜通过上述第一绝缘膜的上述通孔与上述连接部电连接。


4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，
上述半导体基板的电阻率在100Ω·cm以下。


5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，
上述连接部具有杂质浓度比周围高的高浓度区域。


6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其中，
还具备第一金属膜，上述第一金属膜具备将上述连接部与上述多孔金属氧化膜电连接的供电线。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
上述供电线与上述多孔金属氧化膜的上述半导体基板侧的面接触。


8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
上述供电线与上述多孔金属氧化膜的端部接触。


9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的半导体装置，其中，
还具备电极焊盘，上述电极焊盘设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，并且与外部电路电连接，
上述多孔金属氧化膜具有上述电极焊盘所包含的金属材料的氧化物。


10.根据权利要求6～8中的任意一项所述的半导体装置，其中，
上述多孔金属氧化膜具有上述供电线所包含的金属材料的氧化物。


11.根据权利要求6～10中的任意一项所述的半导体装置，其中，
上述第一金属膜还具备信号线，上述信号线与上述供电线电分离，并且与外部电路电连接。


12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
还具备电容器电极，上述电容器电极设置在上述多孔金属氧化膜的与上述半导体基板侧的相反侧，并且向上述多个细孔的内部延伸，
将上述多孔金属氧化膜作为介电膜，在上述供电线与上述电容器电极之间形成静电电容。


13.根据权利要求1～11中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原弘，泉谷淳子，大江秀明，根本益太郎，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP