半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本技术涉及一种使得可形成MIM电容元件而没有引起工艺损伤的半导体装置及其制造方法。该半导体装置通过将形成在第一半导体基板中的第一多层布线层的布线层和形成在第二半导体基板中的第二多层布线层的布线层经由晶片键合而键合在一起而配置，并且该半导体装置设置有上电极、下电极和电容元件，该电容元件包括在上电极和下电极之间的电容绝缘膜。上电极和下电极中的一个电极包括第一多层布线层的第一导电层和第二多层布线层的第二导电层。例如，本技术可应用于通过将两个半导体基板键合在一起而配置的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本技术涉及一种半导体装置及其制造方法，并且更具体地，涉及一种其中可形成MIM电容元件而没有任何工艺损伤的半导体装置，以及一种用于制造该半导体装置的方法。
技术介绍
可预料，安装在模拟CMOS电路上的电容元件的重要性会增加。例如，电容元件包括在线路前端(FEOL)区域中的金属氧化物半导体(MOS)电容、金属绝缘体金属(MIM)电容和线路后端(BEOL)区域中的金属氧化物金属(MOM)电容等。然而，需要大的安装面积(占地面积)，电容元件与晶体管尺寸减小的趋势不一致，并且对芯片尺寸具有很大的影响。为了增加电容元件的电容，可将高介电常数膜用作电容绝缘膜，或者可使表面积更大。例如，对于其中在电极之间插入薄的电容绝缘膜的结构的MIM电容，已经提出了三维结构以增加表面积(例如，参见专利文献1)。引文列表专利文献专利文献1：日本专利申请特开第2002-324851号
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在形成MIM电容的过程中，存在如下担忧：由于在形成电容绝缘膜之后形成电极的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一多层布线层和第二多层布线层，所述第一多层布线层形成在第一半导体基板上，所述第二多层布线层形成在第二半导体基板上，所述第一多层布线层和所述第二多层布线层的布线层通过晶片键合而彼此键合；和/n电容元件，包括上电极、下电极以及在所述上电极和所述下电极之间的电容绝缘膜，其中，/n利用所述第一多层布线层的第一导电层和所述第二多层布线层的第二导电层形成所述上电极和所述下电极中的一个电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171221 JP 2017-2449411.一种半导体装置，包括：
第一多层布线层和第二多层布线层，所述第一多层布线层形成在第一半导体基板上，所述第二多层布线层形成在第二半导体基板上，所述第一多层布线层和所述第二多层布线层的布线层通过晶片键合而彼此键合；和
电容元件，包括上电极、下电极以及在所述上电极和所述下电极之间的电容绝缘膜，其中，
利用所述第一多层布线层的第一导电层和所述第二多层布线层的第二导电层形成所述上电极和所述下电极中的一个电极。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
构成所述一个电极的所述第一导电层和所述第二导电层彼此直接连接。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
构成所述一个电极的所述第一导电层和所述第二导电层在所述晶片键合的接合平面彼此连接。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
构成所述一个电极的所述第一导电层和所述第二导电层的接合平面在同一平面上。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一导电层和所述第二导电层的接合平面的面积被设计为使得所述第一导电层和所述第二导电层中的一个导电层较大。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述一个电极包括在沿绝缘层的深度方向形成的凹槽的内壁上形成的屏蔽金属，并且
所述屏蔽金属的上表面的位置比所述绝缘层的上表面的位置低预定量。


7.一种半导体装置的制造方法，包括：
通过晶片键合将形成在第一半导体基板上的第一多层布线层的布线层和形成在第二半导体基板上的第二多层布线层的布线层彼此键合，以形成电容元件，所述电容元件包括上电极、下电极和在所述上电极和所述下电极之间的电容绝缘膜；和
利用所述第一多层布线层的第一导电层和所述第二多层布线层的第二导电层形成所述上电极和所述下电极中的一个电极。


8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈野仁志，川岛寛之，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP