【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体集成电路装置
本专利技术涉及使用鳍式FET(场效应晶体管：FieldEffectTransistor)或纳米线FET的半导体集成电路装置，特别是涉及用于保护电路免受静电放电破坏的ESD(静电放电：FlectroStaticDischarge)保护电路的布置结构。
技术介绍
如图14所示，ESD保护电路251、252一般分别设置于信号端子(输入输出端子)253与电源端子254之间，或者设置于信号端子253与接地端子255之间。ESD保护电路根据不同的用途使用各种不同的保护元件，因二极管的放电特性良好，故多使用二极管作为保护元件。
技术实现思路
-专利技术要解决的技术问题-本专利技术的目的在于提供一种使用了具有良好的放电特性的二极管的ESD保护电路。-用以解决技术问题的技术方案-在本专利技术的第一方式中，半导体集成电路装置包括鳍式场效应晶体管，还包括静电放电保护电路。所述静电放电保护电路包括第一鳍片构造部、第二鳍片构造部、电源供给用第一电源布线、信号传输用第一信号布线以及电源供给...
【技术保护点】
1.一种半导体集成电路装置，包括鳍式场效应晶体管，还包括静电放电保护电路，其特征在于：/n所述静电放电保护电路包括第一鳍片构造部、第二鳍片构造部、电源供给用第一电源布线、信号传输用第一信号布线以及电源供给用第二电源布线，/n所述第一鳍片构造部包括多个沿第一方向延伸并沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列的第一导电型鳍片，/n所述第二鳍片构造部包括多个沿所述第一方向延伸并沿着所述第二方向排列的第二导电型鳍片，且在所述第二方向上与所述第一鳍片构造部对置，/n所述电源供给用第一电源布线形成在位于所述第一鳍片构造部和所述第二鳍片构造部的上层的第一布线层，沿第三方向延伸，与所述第一鳍片...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体集成电路装置，包括鳍式场效应晶体管，还包括静电放电保护电路，其特征在于：
所述静电放电保护电路包括第一鳍片构造部、第二鳍片构造部、电源供给用第一电源布线、信号传输用第一信号布线以及电源供给用第二电源布线，
所述第一鳍片构造部包括多个沿第一方向延伸并沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列的第一导电型鳍片，
所述第二鳍片构造部包括多个沿所述第一方向延伸并沿着所述第二方向排列的第二导电型鳍片，且在所述第二方向上与所述第一鳍片构造部对置，
所述电源供给用第一电源布线形成在位于所述第一鳍片构造部和所述第二鳍片构造部的上层的第一布线层，沿第三方向延伸，与所述第一鳍片构造部相连接，
所述信号传输用第一信号布线形成在所述第一布线层，沿所述第三方向延伸，与所述第二鳍片构造部相连接，
所述电源供给用第二电源布线形成在所述第一布线层的上层的第二布线层，沿与所述第三方向垂直的第四方向延伸，与所述第一电源布线相连接，
在所述第二方向上，所述第二鳍片构造部所占据的宽度比所述第一鳍片构造部所占据的宽度大，
在所述第四方向上，所述第一信号布线的宽度比所述第一电源布线的宽度大。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述第三方向与所述第一方向相同，所述第四方向与所述第二方向相同。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述第三方向与所述第二方向相同，所述第四方向与所述第一方向相同。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述第二鳍片构造部的鳍片的个数比所述第一鳍片构造部的鳍片的个数多。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述第一鳍片构造部和所述第二鳍片构造部分别包括在鳍片上以沿所述第二方向延伸的方式形成的栅极。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述第二鳍片构造部的栅极处于浮置状态。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述静电放电保护电路包括第三鳍片构造部，
所述第三鳍片构造部配置在所述第二鳍片构造部的所述第一方向的至少任一端，且包括多个沿所述第一方向延伸并沿着所述第二方向排列的所述第一导电型鳍片，
电源电压经由所述第一电源布线和第二电源布线供给所述第三鳍片构造部。
8.一种半导体集成电路装置，包括纳米线场效应晶体管，还包括静电放电保护电路，其特征在于：
所述静电放电保护电路包括第一焊盘构造部、第二焊盘构造部、电源供给用第一电源布线、信号传输用第一信号布线以及电源供给用第二电源布线，
所述第一焊盘构造部包括沿第一方向延伸并沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列有多列的第一导电型焊盘，
所述第二焊盘构造部包括沿所述第一方向延伸并沿着所述第二方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤千夏，祖父江功弥，田中英俊，
申请(专利权)人：株式会社索思未来，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。