System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:44567400 阅读:7 留言:0更新日期:2025-03-11 14:25
本发明专利技术提供一种半导体装置,其具有:第1鳍和第2鳍,形成在基板上,并在平面视图中沿第1方向延伸;第1电路和第2电路,形成在所述第1鳍上;第1抽头单元,形成在所述第2鳍上;及第1虚拟栅极,配置在所述第1电路和第2电路之间且配置在所述第1鳍和所述第2鳍之上,并在平面视图中沿与所述第1方向不同的第2方向延伸,其中,所述第1鳍中位于所述第1虚拟栅极的下方的区域经由形成所述第1抽头单元的所述第2鳍与所述第1虚拟栅极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置


技术介绍

1、半导体装置中,有时在设置于鳍(fin)的多个晶体管之间配置(布置/设置)虚拟晶体管(dummy transistor),并对虚拟晶体管的两侧的晶体管进行电隔离(电气隔离)。半导体装置中设置有抽头单元(tap cell),其用于向晶体管的阱(well)区即基板提供电源电位。

2、[引证文件]

3、[专利文件]

4、[专利文件1]美国专利第11562994号说明书

5、[专利文件2]美国专利第11257826号说明书

6、[专利文件3]美国专利第10236302号说明书


技术实现思路

1、[要解决的技术问题]

2、随着半导体装置的微细化的进展,在虚拟晶体管中对虚拟栅极和基板进行电连接(电气连接)的情况下,例如,需要设置用于连接虚拟栅极(dummy gate)和基板的新的配线(布线)等。新的配线等会招致电路面积的增大。

3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,在不增大电路面积的前提下对虚拟晶体管的虚拟栅极和基板进行电连接。

4、[技术方案]

5、本专利技术的一个方式中,半导体装置具有:

6、第1鳍和第2鳍,形成在基板上,并在平面视图中沿第1方向延伸;

7、第1电路和第2电路,形成在所述第1鳍上;

8、第1抽头单元,形成在所述第2鳍上;及

9、第1虚拟栅极,配置在所述第1电路和第2电路之间且配置在所述第1鳍和所述第2鳍之上,并在平面视图中沿与所述第1方向不同的第2方向延伸,

10、其中,所述第1鳍中位于所述第1虚拟栅极的下方的区域经由形成所述第1抽头单元的所述第2鳍与所述第1虚拟栅极电连接。

11、[有益效果]

12、根据公开的技术,能够在不增大电路面积的前提下对虚拟晶体管的虚拟栅极和基板进行电连接。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置,具有:

2.如权利要求1所述的半导体装置,具有:

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

4.如权利要求1所述的半导体装置,具有:

5.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

6.如权利要求5所述的半导体装置,具有:

7.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,具有:

2.如权利要求1所述的半导体装置,具有:

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

4.如权利要求1所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员:户田和夫
申请(专利权)人:株式会社索思未来
类型:发明
国别省市:

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