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本技术涉及一种使得可形成MIM电容元件而没有引起工艺损伤的半导体装置及其制造方法。该半导体装置通过将形成在第一半导体基板中的第一多层布线层的布线层和形成在第二半导体基板中的第二多层布线层的布线层经由晶片键合而键合在一起而配置，并且该半导体装...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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