半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包含：多个第1信号输出电路，其具有第1晶体管(MN101、MN105)和第2晶体管(MN102、MN106)，输出两个晶体管的连接点的电压，该第1晶体管和该第2晶体管串联连接在提供电源电压的信号线与提供基准电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压；以及多个第2信号输出电路，其具有第3晶体管(MN103、MN107)和第4晶体管(MN104、MN108)，输出两个晶体管的连接点的电压，该第3晶体管和该第4晶体管串联连接在提供电源电压的信号线与提供基准电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压，第3晶体管与第1晶体管布局相同但特性不同，第4晶体管与第2晶体管布局相同但特性不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，详细而言涉及使半导体装置免于逆向工程的保护技术。
技术介绍
近年来，半导体装置的不当的逆向工程日益增加。作为逆向工程的方法，不仅是从安装有半导体装置的芯片表面进行光学分析，也使用以下这样的技术：将布线层一层层地剥离并拍摄，将所取得的图像叠加，用软件工具来提取布线信息以再现电路图。提出有用于防止逆向工程的各种方法(例如，参照专利文献1～9)。为了防止逆向工程，提出有以下这样的方法：例如通过对布线层下功夫、或者利用比布线层靠下层的扩散层或体(bulk)来改变晶体管的特性或连接信息，使得仅通过读取布线层的话无法再现功能。另外，例如，在专利文献1中提出了以下这样的技术：将栅极设为浮置状态地使用晶体管，利用由晶体管的特性偏差所引起的输出电压之差而生成信号，由此使得很难通过逆向工程来再现半导体装置。但是，在上述专利文献1所记载的技术中，存在以下问题。由于栅极处于浮置状态，因此会从电源电压向接地端流动无用的消耗电流，并且如果因串扰等而导致噪声进入，则会引起电压变动，导致动作或消耗电流不稳定。另外，由多个晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，/n该半导体装置包含：/n多个第1信号输出电路，其具有第1晶体管和第2晶体管，输出所述第1晶体管与所述第2晶体管的连接点的电压，所述第1晶体管和所述第2晶体管串联连接在提供第1电压的信号线与提供比所述第1电压低的第2电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压；以及/n多个第2信号输出电路，其具有第3晶体管和第4晶体管，输出所述第3晶体管与所述第4晶体管的连接点的电压，所述第3晶体管和所述第4晶体管串联连接在提供所述第1电压的信号线与提供所述第2电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压，所述第3晶体管与所述第1晶体管布局相同但特性不同，所述第4晶体管...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180215 JP 2018-0251911.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置包含：
多个第1信号输出电路，其具有第1晶体管和第2晶体管，输出所述第1晶体管与所述第2晶体管的连接点的电压，所述第1晶体管和所述第2晶体管串联连接在提供第1电压的信号线与提供比所述第1电压低的第2电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压；以及
多个第2信号输出电路，其具有第3晶体管和第4晶体管，输出所述第3晶体管与所述第4晶体管的连接点的电压，所述第3晶体管和所述第4晶体管串联连接在提供所述第1电压的信号线与提供所述第2电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压，所述第3晶体管与所述第1晶体管布局相同但特性不同，所述第4晶体管与所述第2晶体管布局相同但特性不同。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1晶体管和所述第3晶体管与提供所述第1电压的信号线连接，所述第1晶体管的阈值电压与所述第3晶体管的阈值电压不同，所述第2晶体管的阈值电压与所述第4晶体管的阈值电压不同。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电压是电源电压，
所述第2电压是基准电压，
所述半导体装置包含：
所述第1信号输出电路，在该第1信号输出电路中，所述第1晶体管的阈值电压比所述电源电压高，所述第1晶体管和所述第2晶体管是栅极与提供所述第1电压的信号线连接的N型晶体管；以及
所述第2信号输出电路，在该第2信号输出电路中，所述第4晶体管的阈值电压比所述电源电压高，所述第3晶体管和所述第4晶体管是栅极与提供所述第1电压的信号线连接的N型晶体管。


4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有以二极管的方式连接在提供所述第1电压的信号线与提供第3电压的信号线之间的N型晶体管，
所述第1晶体管和所述第2晶体管串联连接在提供所述第3电压的...

【专利技术属性】
技术研发人员：长友春敏，
申请(专利权)人：株式会社吉川希斯泰克，
类型：发明
国别省市：日本;JP