一种ARC镀膜生产线制造技术

本实用新型专利技术提供了一种ARC镀膜生产线，包括呈直线依次连接的旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组、后过渡室和旋转室，工艺室组包括至少一个工艺室，进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室和后过渡室均沿着所述直线方向对称分隔成两个腔室，形成连通的U形通道，基于上述生产线的ARC镀膜生产工艺，包括两个依次进行、运行方向相反的流程，无需对基片镀过渡层。本实用新型专利技术的同一工艺室腔室内布置多个旋转阴极进行连续镀膜，无需过渡层；工艺室数量可根据具体需求增加或减少而不影响其它功能室的工作；折线形生产线使基片架上端磁连接、下端内凹的传动轮接力传送，对基片的传动平稳可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种ARC镀膜生产线
本技术涉及镀膜生产
，具体为一种ARC镀膜生产线。
技术介绍
真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜，从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰灯许多优于固体材料本身的优越性能，达到提高产品质量、延长产品寿命、节约能源和获得显著技术经济效益的作用。需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。溅射镀膜已成为真空镀膜中最主要的方法，该技术是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上。镀膜生产线包括多个连续的功能室，经过前期的抽真空等步骤后进入工艺室进行镀膜操作。对于ARC(减反射)和其它镀膜，为了增强功能效果，往往需要进行多层镀膜，然而现有许多生产工艺中，每进行一层镀膜时，都需要在基片上增加一层过渡层，如此不仅增加了生产线和生产工艺的复杂性，且增加了膜的厚度。另外，多层镀膜时，现有许多工艺需要在多条独立的、非连续的生产线上完成。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的是提供一种ARC镀膜生产线，同一工艺室腔室内布置多个旋转阴极进行连续镀膜，无需过渡层；工艺室数量可根据具体需求增加或减少而不影响其它功能室的工作；折线形生产线使基片架上端磁连接、下端内凹的传动轮接力传送，对基片的传动平稳可靠。为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种ARC镀膜生产线，包括呈直线依次连接的旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组、后过渡室和旋转室，工艺室组包括至少一个工艺室，进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室和后过渡室均沿着所述直线方向对称分隔成两个腔室，形成连通的U形通道。作为上述技术方案的进一步改进为：旋转台和进出口室之间、进出口室和缓冲室之间、缓冲室和前过渡室之间、后过渡室和旋转室之间均设有隔断门阀。工艺室包括彼此独立且对称的第一工艺室和第二工艺室，第一工艺室和第二工艺室沿所述直线方向各设有两组溅射阴极。沿着所述U形通道的顺时针方向，四组所述溅射阴极对应的靶材均为Si靶。所述溅射阴极为旋转阴极。所述旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组和后过渡室均安装在底架上，底架支撑在地面上。所述生产线还包括将待镀膜的基片在所述U形通道进行传送的基片传送机构，基片传送机构包括基片架、多个磁导向和多个内传动轮，多个磁导向和多个内传动轮均匀间隔布置在进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室、后过渡室和旋转室内，沿着所述U形通道形成U形传送路径，磁导向位于内传动轮上方，装载基片的基片架位于多个磁导向和多个内传动轮之间、沿着所述U形传送路径运行。基片架垂直于水平面，基片架上端和磁导向磁性连接，下端滑设在多个内传动轮上。内传动轮外表面沿着周向内凹，基片架下端接触并滑设在所述内凹表面上。基片传送机构还包括磁流体、多个伺服电机、多个同步带和多个同步轮，每个同步轮通过磁流体连接一内传动轮，同一腔室内多个同步轮通过同步带连接，伺服电机连接并驱动一同步轮。所述生产线还包括冷却作用的冷却机构，冷却机构包括回水主冷却管道、进水主冷却管道和多个水冷板，多个水冷板分别安装在前过渡室、工艺室和后过渡室，多个水冷板并联连接，进水主冷却管道、水冷板和回水主冷却管道依次连接，进水主冷却管道和回水主冷却管道连接外部冷却水系统。进水主冷却管道和回水主冷却管道与所述直线方向平行。所述生产线还包括抽真空机构，抽真空机构包括多个分子泵，缓冲室、前过渡室、工艺室和后过渡室各自的两个腔室上各设有两个分子泵。每个所述腔室上的两个分子泵连线垂直于水平面。抽真空机构还包括多个分子泵管道、多个耦合器、多个波纹管和两个主抽气管道，每个所述腔室上的两个分子泵通过分子泵管道连接，多个分子泵管道并联连接，分子泵管道依次通过耦合器和波纹管连接主抽气管道。两个主抽气管道平行间隔设置于底架上。所述旋转室设有旋转机构，旋转机构包括依次连接的旋转架、回转磁流体和电机，电机通过回转磁流体驱动旋转架在旋转室内旋转。所述旋转架的上端均匀安装有多个磁导向，旋转架的下端均匀安装有多个内传动轮、磁流体和同步轮。旋转架的下端连接回转磁流体。旋转架的下端为腔体结构，所述内传动轮和磁流体位于所述腔体结构外部，同步轮通过同步带连接伺服电机，腔体结构外部的底端连接回转磁流体。旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室、后过渡室和旋转室均为具有内腔的箱体。进出口室的箱体壁上开设有供设备进出的门。基于上述生产线的ARC镀膜生产工艺，包括两个依次进行、运行方向相反的流程：第一流程：基片依次经过旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室、后过渡室和旋转室，在工艺室完成两层镀膜；第二流程：基片通过第一流程到达旋转室，在旋转室进行旋转掉头后，再依次经过后过渡室、工艺室、前过渡室、缓冲室、进出口室和旋转台，在工艺室对同一面再完成两层镀膜，所述基片通过旋转台退出所述生产线；第一流程和第二流程均无需对基片镀过渡层。所述第一流程中，在工艺室通过两个磁控溅射设备依次镀第一层膜和第二层膜，第一层膜和第二层膜均为SiO2，膜厚根据膜系设计选择，靶材均为Si靶，工作气体Ar，流量为50～500sccm；反应气体为O2，流量为50～500sccm。所述第二流程中，在工艺室通过两个磁控溅射设备依次镀第三层膜和第四层膜，第三层膜和第四层膜均为Si3N4，膜厚根据膜系设计选择，靶材均为Si靶，工作气体Ar，流量为50～500sccm；反应气体为N2，流量为50～500sccm所述基片载体在工艺室中的运行速率为0.5～1.8m/min。与现有技术相比，本技术的有益效果是：同一工艺室腔室内布置多个旋转阴极进行连续镀膜，无需过渡层；工艺室数量可根据具体需求增加或减少而不影响其它功能室的工作；折线形生产线使基片架上端磁连接、下端内凹的传动轮接力传送，对基片的传动平稳可靠。附图说明图1为本技术一个实施例的俯视示意图；图2为本技术一个实施例的主视结构示意图；图3为本技术一个实施例的后视结构示意图；图4为图2中B向示意图；图5为图2中A向示意图；图6为本技术一个实施例的进出口室结构示意图；图7为本技术一个实施例的缓冲室结构示意图；图8为本技术一个实施例的过渡室结构示意图；图9为本技术一个实施例的工艺室结构示意图；图10为本技术一个实施例的旋转室结构示意图；图11为图10的侧视图；图12为图10的俯视图。具体实施方式下面结合实施例对本技术提供的ARC镀膜生产线作进一步详细、完整地说明。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。一种ARC镀膜生产线，如图1～图12所示，包括呈直线依次连接的旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ARC镀膜生产线，其特征在于：包括呈直线依次连接的旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组、后过渡室和旋转室，工艺室组包括至少一个工艺室，进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室和后过渡室均沿着直线方向对称分隔成两个腔室，形成连通的U形通道，工艺室包括彼此独立且对称的第一工艺室和第二工艺室，第一工艺室和第二工艺室沿直线方向各设有两组溅射阴极，沿着所述U形通道的顺时针方向，四组所述溅射阴极对应的靶材均为Si靶，所述溅射阴极为旋转阴极。/n

【技术特征摘要】
1.一种ARC镀膜生产线，其特征在于：包括呈直线依次连接的旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组、后过渡室和旋转室，工艺室组包括至少一个工艺室，进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室和后过渡室均沿着直线方向对称分隔成两个腔室，形成连通的U形通道，工艺室包括彼此独立且对称的第一工艺室和第二工艺室，第一工艺室和第二工艺室沿直线方向各设有两组溅射阴极，沿着所述U形通道的顺时针方向，四组所述溅射阴极对应的靶材均为Si靶，所述溅射阴极为旋转阴极。


2.根据权利要求1所述的ARC镀膜生产线，其特征在于：旋转台和进出口室之间、进出口室和缓冲室之间、缓冲室和前过渡室之间、后过渡室和旋转室之间均设有隔断门阀。


3.根据权利要求1所述的ARC镀膜生产线，其特征在于：所述旋转台、进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室组和后过渡室均安装在底架上，底架支撑在地面上。


4.根据权利要求1所述的ARC镀膜生产线，其特征在于：所述生产线还包括将待镀膜的基片在所述U形通道进行传送的基片传送机构，基片传送机构包括基片架、多个磁导向和多个内传动轮，多个磁导向和多个内传动轮均匀间隔布置在进出口室、缓冲室、前过渡室、工艺室、后过渡室和旋转室内，沿着所述U形通道形成U形传送路径，磁导向位于内传动轮上方，装载基片的基片架位于多个磁导向和多个内传动轮之间、沿着所述U形传送路径运行。


5.根据权利要求4所述的ARC镀膜生产线，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄乐，黄国兴，祝海生，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43