一种临时承载板及使用其制造无芯基板的方法技术

本申请公开了一种临时承载板，包括核心层和在所述核心层两侧表面上的第一铜箔层和第二铜箔层，其中所述第一铜箔层和第二铜箔层均为双层铜箔并且两层铜箔物理附着在一起。本发明专利技术还公开了一种利用所述临时承载板制造无芯基板的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种临时承载板及使用其制造无芯基板的方法
本专利技术涉及临时承载板，具体涉及用于制造无芯基板的临时承载板及无芯基板的制造方法。
技术介绍
现今所有电子产品的元器件都在追求轻、薄、短、小，为此负载元器件的电路板也要求越来越薄。传统工艺是采用有芯基板作为电路板，但是有芯基板的厚度即使可以达到例如0.06mm，但在工艺制作过程中，设备能力很难满足传输如此薄的基板，而且人员的上、下板操作也很容易带来不可控的板破、折板的风险，大大降低产品的良率。为此，无芯基板技术应运而生，无芯基板技术的关键是在临时承载板上预先将基板增层到一定的厚度，达到设备和人员可以安全操作的厚度，如0.08mm、0.1mm厚度，然后去除临时承载板，完成后续的工艺流程。因此，临时承载板是无芯基板前期增层作业的关键要素。中国专利公报CN101241861B公开了一种多层无芯支撑结构及其制造方法，其中使用金属承载板如铜板作为临时承载板。在完成前期增层后，通常用蚀刻的方法去除该金属承载板。金属承载板具有0.2mm～0.3mm厚度才能在支撑强度和成本上实现最优搭配，这种厚度的金属承载板例如铜板一般采用压延方式制作，在铜板表面不可避免会有大量凸起和凹陷，深度为3～8微米左右。通常会采用电镀或气相沉积的方式在金属承载板上制作一层蚀刻阻挡层，而这层阻挡层只会复制铜箔上缺陷。在蚀刻移除金属承载板的过程中，至少需要0.25～0.35mm的蚀刻量才能完成蚀刻，而蚀刻液可轻松通过缺陷位置穿透阻挡层破环或蚀穿上方的线路层或铜柱层，因无芯基板上一般都是薄的线路层(10～40um)和铜柱(30～100um)，远小于蚀刻承载板的蚀刻量，因此使用金属承载板制作的产品缺陷高。另外0.2mm～0.3mm厚度的金属承载板很重，人员搬运、设备的吸附和传送难度都很大，不利于量产，而且成本也很高。专利公报TWI425900B公开了一种无核心基板的制造方法及电路薄板的制造方法，其中采用覆铜板作为临时承载板，在覆铜板上引入能够选择性粘合覆铜板而不与后续压合的绝缘层粘合的耐热膜，此种耐热膜由于直接压合绝缘层，不能直接做嵌埋线路，存在产品设计局限，而且由于需要一整套新的设备和配套药剂，导致成本高，难以普及。显然，上述现有技术的技术方案存在以下技术缺陷：1)成本高、良率低、难操作，而且只能进行单侧增层作业，产出率低；2)需要使用新的设备和材料(例如新的贴膜设备、新的显影设备和药水、新的退膜药水材料等)，普及率低、工艺适配性低、成本高，而且流程对产品的设计局限大。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种可以用于制造无芯基板的临时承载板，以克服现有技术中的技术缺陷。本专利技术的另一个目的是提供一种利用该临时承载板制造无芯基板的方法。在一个方面，提供一种临时承载板，包括核心层和在所述核心层两侧表面上的第一铜箔层和第二铜箔层，其中所述第一铜箔层和第二铜箔层均为双层铜箔并且两层铜箔物理附着在一起。在一些实施方案中，所述核心层包括至少一层半固化片。优选地，所述核心层包括彼此粘合在一起的两层半固化片，分别粘附第一铜箔层和第二铜箔层。作为替代方案，所述核心层还可以包括夹在半固化片之间的覆铜板。优选地，所述核心层的厚度为0.1-0.5mm。在一些实施方案中，所述双层铜箔包括外层铜箔和内层铜箔，其中内层铜箔的厚度大于外层铜箔的厚度。优选地，外层铜箔的厚度为2-5微米，内层铜箔的厚度为15～20微米。更优选地，外层铜箔的厚度为3微米，内层铜箔的厚度为18微米。在一些实施方案中，外层铜箔的宽度小于内层铜箔的宽度，从而暴露出内层铜箔的外缘区域。在一些实施方案中，在第一铜箔层和第二铜箔层的表面上施加有蚀刻阻挡层，并且所述蚀刻阻挡层覆盖所述外缘区域以密封外层铜箔与内层铜箔之间的缝隙。优选地，所述蚀刻阻挡层包括镍层。更优选地，所述蚀刻阻挡层还包括在所述镍层上的铜层。优选地，所述镍层的厚度为5-10微米，所述铜层的厚度为2-5微米。在另一方面，提供一种制造无芯基板的方法，包括以下步骤：(a)制造如权利要求1-11中任一项所述的临时承载板；(b)在所述承载板的两面上分别进行增层操作；(c)沿与所述内层铜箔的外周边缘重叠的切割线整体切割；(d)通过分别将所述双层铜箔中间分开以移除临时承载板，由此得到第一无芯基板和第二无芯基板。在一些实施方案中，步骤(a)还包括：(a1)在核心层的两个表面上分别压合第一铜箔层和第二铜箔层，其中所述第一铜箔层和第二铜箔层均为双层铜箔并且两层铜箔物理压合附着在一起；(a2)在第一铜箔层和第二铜箔层上涂布光刻胶层并曝光显影，其中光刻胶层的外周边缘与第一和第二铜箔层的外周边缘间隔一定距离形成暴露的外缘区域；(a3)蚀刻所述外缘区域的外层铜箔，直至暴露出第一和第二铜箔层的内层铜箔；(a4)移除所述光刻胶层。在一些实施方案中，步骤(a)还包括(a5)在移除光刻胶层后，在第一和第二铜箔层的表面上施加蚀刻阻挡层，其中蚀刻阻挡层覆盖所述外缘区域。优选地，所述蚀刻阻挡层包括镍层。更优选地，所述蚀刻阻挡层还包括在所述镍层上的铜层。优选地，所述镍层的厚度为5-10微米，所述铜层的厚度为2-5微米。在一些实施方案中，所述核心层包括至少一层半固化片或夹在半固化片之间的覆铜板。在一些实施方案中，步骤(d)包括从所述双层铜箔中间用机械外力分开外层铜箔和内层铜箔。优选地，在用机械外力分开外层铜箔和内层铜箔时，外层铜箔和内层铜箔之间的分离夹角为30度-60度。在一些实施方案中，所述方法还包括(e)蚀刻移除第一无芯基板和第二无芯基板上的内层铜箔和蚀刻阻挡层。在一些实施方案中，所述方法还包括在第一和第二无芯基板上继续增层形成最终产品。附图说明为了更好地理解本专利技术并示出本专利技术的实施方式，纯粹以举例的方式参照附图。现在具体参照附图，必须强调的是，具体图示仅为示例且出于示意性讨论本专利技术优选实施方案的目的，提供图示的原因是确信附图是最有用且易于理解本专利技术的原理和概念的说明。就此而言，没有试图将本专利技术的结构细节以超出对本专利技术基本理解所必需的详细程度来图示。在附图中：图1是本专利技术的临时承载板的侧视示意图；图2是本专利技术的临时承载板的两种叠合方式的侧视示意图；图3(a)-3(h)示意性示出使用本专利技术的临时承载板制造无芯基板的步骤的中间结构的图示。具体实施方式本专利技术涉及用于制造无芯基板的临时承载板，临时承载板作为无芯基板制造工艺的起始支撑板起到临时支撑的作用，常规厚度范围是0.1mm～0.5mm。如图1所示，临时承载板100包括核心层140和在核心层140两侧表面上的第一铜箔层141和第二铜箔层142，其中第一铜箔层141和第二铜箔层142均为双层铜箔并且两层铜箔物理附着在一起。通常双层铜箔是通过物理层压结合在一起，彼此之间不存在化学键而只是以物理方式附着，这样可以便于后续制程的分板和移除临时承载板的操作。参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种临时承载板，包括核心层和在所述核心层两侧表面上的第一铜箔层和第二铜箔层，其中所述第一铜箔层和第二铜箔层均为双层铜箔并且两层铜箔物理附着在一起。/n

【技术特征摘要】
1.一种临时承载板，包括核心层和在所述核心层两侧表面上的第一铜箔层和第二铜箔层，其中所述第一铜箔层和第二铜箔层均为双层铜箔并且两层铜箔物理附着在一起。


2.根据权利要求1所述的临时承载板，其中所述核心层包括至少一层半固化片。


3.根据权利要求2所述的临时承载板，其中所述核心层包括两层半固化片，分别粘附第一铜箔层和第二铜箔层。


4.根据权利要求2所述的临时承载板，其中所述核心层还包括夹在半固化片之间的覆铜板。


5.根据权利要求1所述的临时承载板，其中所述双层铜箔包括外层铜箔和内层铜箔，其中内层铜箔的厚度大于外层铜箔的厚度。


6.根据权利要求5所述的临时承载板，其中所述外层铜箔的厚度为2-5微米，所述内层铜箔的厚度为15～20微米。


7.根据权利要求1所述的临时承载板，其中所述外层铜箔的宽度小于所述内层铜箔的宽度，从而暴露出所述内层铜箔的外缘区域。


8.根据权利要求7所述的临时承载板，其中在所述第一铜箔层和第二铜箔层的表面上施加有蚀刻阻挡层，并且所述蚀刻阻挡层覆盖所述外缘区域。


9.根据权利要求8所述的临时承载板，其中所述蚀刻阻挡层包括镍层。


10.根据权利要求9所述的临时承载板，其中所述蚀刻阻挡层还包括在所述镍层上的铜层。


11.根据权利要求10所述的临时承载板，其中所述镍层的厚度为5-10微米，所述铜层的厚度为2-5微米。


12.一种制造无芯基板的方法，包括以下步骤：
(a)制造如权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，彭建，张吉大，黄本霞，冯磊，谢炳森，高峻，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44