基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，缩小配置于基板处理区域的基板间的处理结果的差异。该反应管在内部构成对基板进行处理的处理室，被设于周围的加热部加热，而且具备：气体导入部，其设于上述反应管的下端侧且导入处理气体；第一供给部，其至少在与处理上述基板的基板处理区域对置的位置以沿上述反应管的侧面的方式配置；以及预加热部，其设于比上述基板处理区域低的位置，具有沿从上述气体导入部朝向上述反应管的顶棚部的方向延伸的第一预加热部和沿相对于朝向上述反应管的顶棚部的方向垂直的方向延伸的第二预加热部，且构成为，通过组合上述第一预加热部和上述第二预加热部，使上述气体导入部和上述第一供给部连通。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法
本公开涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在对基板实施氧化、扩散等处理的基板处理装置中，有时构成为，从设置于反应管下部的气体导入端口导入气体，将气体供给至反应室。专利文献1、专利文献2记载了一种反应管构造，在反应管设置有临时储存气体并调整压力的空间，气体从该空间流向反应室内。根据专利文献3，记载了，在基板保持部的比基板处理区域靠下部具备预加热筒，使来自气体导入部的气体沿预加热筒流通，使气体上升。另外，根据专利文献4，记载了，对在配置于基板保持部的比基板处理区域靠下部的配管流通的气体进行预加热。但是，有时从气体导入部导入的气体在温度未被充分加温的状态下通过配置于基板处理区域的侧面的配管。其结果，有时基板处理区域下部的外周的温度降低，基板间的处理结果产生差异。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-067750号公报专利文献2：日本特开2018-088520号公报专利文献3：日本特开2012-248本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应管，其在内部构成对基板进行处理的处理室，且被设于周围的加热部加热，其特征在于，具备：/n气体导入部，其设于上述反应管的下端侧且导入处理气体；/n第一供给部，其至少在与处理上述基板的基板处理区域对置的位置以沿上述反应管的侧面的方式配置；以及/n预加热部，其设于比上述基板处理区域低的位置，具有沿从上述气体导入部朝向上述反应管的顶棚部的方向延伸的第一预加热部和沿相对于朝向上述反应管的顶棚部的方向垂直的方向延伸的第二预加热部，且构成为，通过组合上述第一预加热部和上述第二预加热部，使上述气体导入部和上述第一供给部连通。/n

【技术特征摘要】
20190326 JP 2019-059430;20200220 JP 2020-0274591.一种反应管，其在内部构成对基板进行处理的处理室，且被设于周围的加热部加热，其特征在于，具备：
气体导入部，其设于上述反应管的下端侧且导入处理气体；
第一供给部，其至少在与处理上述基板的基板处理区域对置的位置以沿上述反应管的侧面的方式配置；以及
预加热部，其设于比上述基板处理区域低的位置，具有沿从上述气体导入部朝向上述反应管的顶棚部的方向延伸的第一预加热部和沿相对于朝向上述反应管的顶棚部的方向垂直的方向延伸的第二预加热部，且构成为，通过组合上述第一预加热部和上述第二预加热部，使上述气体导入部和上述第一供给部连通。


2.根据权利要求1所述的反应管，其特征在于，
在上述预加热部中，将上述第一预加热部和上述第二预加热部交替地组合而形成预加热路径。


3.根据权利要求2所述的反应管，其特征在于，
上述预加热路径形成为选自由矩形波状、正弦曲线形状、三角波形状构成的组的至少一个形状。


4.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
反应管和控制部，
该反应管在内部构成对基板进行处理的处理室，被设于周围的加...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸林哲也，村田慧，平野敦士，中村严，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP