一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法技术

本发明专利技术公开的属于半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具；S2：打磨成型。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度低，晶圆提升销点位置厚度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法。
技术介绍
钽酸锂、铌酸锂晶圆具有压电性、介电性、热释电性以及电光效应、非线性光学效应和声光效应等重要特性，是指制作声表面波(SAW)滤波器、窄带滤波器、光子可调滤波器等新型元器件的重要材料。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，晶圆片对温度很敏感，导致晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，钽酸锂、铌酸锂晶圆片对温度很敏感，导致晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常的问题。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，晶圆提升销点位置厚度低的问题。>为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径。优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm-3.2mm。优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm。优选的，所述销帽的外壁直径为3.677mm，所述销杆的外壁直径为3.182mm。优选的，所述销帽的外壁直径为3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.2mm。优选的，所述销杆和销帽的总长度为79.954mm。一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽、销杆的尺寸，即得到成品。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1)在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，晶圆提升销点位置厚度低的问题；2)减少热量散失，保证产品的质量。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为现有陶瓷提升销与加热器盖板配合的结构示意图；图3为耐高温胶带块堵住加热器盖板的结构示意图；图4为本专利技术与加热器盖板配合使用时的结构示意图；图5为本专利技术制备方法流程图。图中：1销杆、2销帽、3加热器盖板、4加热器、5限位挡圈。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。请参阅图1-5，本专利技术提供一种技术方案：一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆1和销帽2，所述销帽2连接在销杆1的一端，所述销杆1和销帽2同轴连接，所述销杆1和销帽2为陶瓷材料一体成型结构，且销帽2、销杆1均呈圆柱状，所述销帽2的外壁直径大于销杆1的外壁直径。进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆1的外壁直径为3.1mm-3.2mm。进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.5mm，所述销杆1的外壁直径为3.1mm。进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.677mm，所述销杆1的外壁直径为3.182mm。进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.8mm，所述销杆1的外壁直径为3.2mm。进一步地，所述销杆1和销帽2的总长度为79.954mm。一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽2、销杆1的尺寸，即得到成品。如图2所示，为现有陶瓷提升销与加热器盖板3配合的结构示意图。由于起升销孔(限位挡圈5中部的孔)与加热器4和加热器盖板3中部销孔间距太大，导致陶瓷提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，晶圆片对温度又很敏感，所以晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色厚度异常。如图3所示，为耐高温胶带块堵住加热器盖板3的结构示意图。当气室运行过程中，过程气体将流入为了消除缝隙，带走一些热量,所以销点厚度很低,经过试验，把陶瓷提升销取出，并使用高温胶带块堵住加热器盖板3的孔。用一个晶圆片检查均匀性很好。如图4所示，为本专利技术与加热器盖板3配合使用时的结构示意图。在陶瓷提升销的顶端加宽提升陶瓷提升销的直径，使它跟加热器盖板3的中部销孔直径相接近，防止制程过程中有大量气体从陶瓷提升销跟加热盖板3的中部销孔缝隙流入带走一些热量，预防提升销点温度较低，晶圆提升销点位置厚度异常的问题。实施例一：该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆(1)和销帽(2)，其特征在于：所述销帽(2)连接在销杆(1)的一端，所述销杆(1)和销帽(2)同轴连接，所述销杆(1)和销帽(2)为陶瓷材料一体成型结构，且销帽(2)、销杆(1)均呈圆柱状，所述销帽(2)的外壁直径大于销杆(1)的外壁直径。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆(1)和销帽(2)，其特征在于：所述销帽(2)连接在销杆(1)的一端，所述销杆(1)和销帽(2)同轴连接，所述销杆(1)和销帽(2)为陶瓷材料一体成型结构，且销帽(2)、销杆(1)均呈圆柱状，所述销帽(2)的外壁直径大于销杆(1)的外壁直径。


2.根据权利要求1所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm-3.2mm。


3.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm。


4.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.677mm，所述销杆(1)的外壁直径为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李得平，王虎斌，黄中山，张建锐，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33