弹性波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够减小杂散的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，层叠有高声速构件(2)、由钽酸锂构成的压电层(3)、IDT电极(4)，在高声速构件(2)传播的体波的声速比在压电层(3)传播的弹性波的声速高，在高声速构件(2)传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(1)求出的SH0模式的声速Vsh0和具有SH0模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为Vsh0≤Vsub≤Vsp。

【技术实现步骤摘要】
弹性波装置
本专利技术涉及在高声速构件上直接或间接地层叠有由钽酸锂构成的压电层的弹性波装置。
技术介绍
以往，提出了具有由钽酸锂构成的薄的压电层的弹性波装置。在下述的专利文献1记载的弹性波装置中，依次层叠有高声速构件、低声速膜、压电膜以及IDT电极。通过使用高声速构件以及低声速膜，从而能够将弹性波封闭在压电膜。在先技术文献专利文献专利文献1：WO2012/086639号在专利文献1记载的弹性波装置中，具有上述层叠构造，因此能够改善Q特性。然而，在专利文献1记载的弹性波装置中，根据用于IDT电极的金属的密度、杨氏模量、膜厚，有时在带外产生杂散。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种带外杂散小的弹性波装置。用于解决课题的技术方案本申请的第一专利技术是一种弹性波装置，具备：高声速构件；压电层，层叠在所述高声速构件上，由钽酸锂构成；以及IDT电极，设置在所述压电层上，在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高，在所述高声速构件传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(1)求出的SH0模式的声速Vsh0和具有SH0模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为Vsh0≤Vsub≤Vsp。[数学式1]在式(1)中，Vsh0以及Vsp的情况下的系数如下述的表1所示。[表1]模式声速V_SH0V_SPaTpiezo(2)7.048E+004.060E+01aTpiezo(1)-1.560E+00-3.466E+00bTpiezo(2)-1.250E-02-1.250E-02cTpiezo3.500E-013.500E-01aTe(2)5.482E+017.950E+01aTe(1)-7.154E+00-7.636E+00bTe(2)-3.200E-03-3.200E-03cTe1.200E-011.200E-01aθ(2)0.000E+000.000E+00aθ(1)8.215E-031.271E-02bθ(2)0.000E+000.000E+00cθ1.395E+021.395E+02aY(2)0.000E+003.371E-06aY(1)1.347E-04-6.086E-04bY(2)0.000E+00-3.954E+04cY3.515E+023.515E+02aρ(2)3.156E-033.849E-03aρ(1)-7.670E-02-8.435E-02bρ(2)-5.832E+01-5.832E+01cρ1.350E+011.350E+01dTpiezoTe0.000E+000.000E+00dTpiezoθ0.000E+000.000E+00dTpiezoY0.000E+000.000E+00dTpiezoρ9.988E-029.090E-02dTeθ0.000E+000.000E+00dTeY-7.413E-03-1.586E-02dTeρ0.000E+000.000E+00dθY0.000E+000.000E+00dθρ0.000E+000.000E+00dYρ-4.456E-05-9.875E-05e3.248E+004.270E+00本申请的第二专利技术是一种弹性波装置，具备：高声速构件；中间层，层叠在所述高声速构件上，由硅氧化物构成；压电层，层叠在所述中间层上，由钽酸锂构成；IDT电极，设置在所述压电层上，在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高，在所述高声速构件传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(2)求出的SH0模式的声速Vsh0和具有SH0模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为Vsh0≤Vsub≤Vsp。[数学式2]在式(2)中，Vsh0以及Vsp的情况下的系数如下述的表2所示。[表2]模式声速V_SH0V_SPaTpiezo(2)0.000E+00-1.163E+01aTpiezo(1)8.939E-01-1.176E+00bTpiezo(2)0.000E+001.250E-02cTpiezo2.500E-012.500E-01aTint(2)0.000E+00-2.248E+01aTint(1)-5.610E-011.908E+00bTint(2)0.000E+001.250E-02cTint2.500E-012.500E-01aTe(2)4.789E+010.000E+00aTe(1)-6.682E+00-6.371E+00bTe(2)2.000E-030.000E+00cTe1.000E-011.000E-01aθ(2)-2.255E-040.000E+00aθ(1)2.552E-040.000E+00bθ(2)1.667E+020.000E+00cθ1.400E+021.400E+02aY(2)0.000E+000.000E+00aY(1)-2.030E-056.691E-04bY(2)0.000E+00本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：/n高声速构件；/n压电层，层叠在所述高声速构件上，由钽酸锂构成；以及/nIDT电极，设置在所述压电层上，/n在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高，/n在所述高声速构件传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(1)求出的SH0模式的声速Vsh0和具有SHO模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为Vsh0≤Vsub≤Vsp，/n[数学式1]/n

【技术特征摘要】
20190322 JP 2019-0540671.一种弹性波装置，具备：
高声速构件；
压电层，层叠在所述高声速构件上，由钽酸锂构成；以及
IDT电极，设置在所述压电层上，
在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高，
在所述高声速构件传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(1)求出的SH0模式的声速Vsh0和具有SHO模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为Vsh0≤Vsub≤Vsp，
[数学式1]



在式(1)中，VshO以及Vsp的情况下的系数如下述的表1所示，
[表1]









模式声速
V_SHO
V_SP


aTpiezo(2)
7.048E+00
4.060E+01


aTpiezo(1)
-1.560E+O0
-3.466E+00


bTpiezo(2)
-1.250E-02
-1.250E-02


cTpiezo
3.500E-01
3.500E-01


aTe(2)
5.482E+01
7.950E+01


aTe(1)
-7.154E+00
-7.636E+00


bTe(2)
-3.200E-03
-3.200E-03


cTe
1.200E-01
1.200E-01


aθ(2)
0.000E+00
0.000E+00


aθ(1)
8.215E-03
1.271E-02


bθ(2)
0.000E+00
0.000E+00


cθ
1.395E+02
1.395E+02


aY(2)
0.000E+00
3.371E-06


aY(1)
1.347E-04
-6.086E-04


bY(2)
0.000E+00
-3.954E+04


cY
3.515E+02
3.515E+02


aρ(2)
3.156E-03
3.849E-03


aρ(1)
-7.670E-02
-8.435E-02


bρ(2)
-5.832E+01
-5.832E+01


cρ
1.350E+01
1.350E+01


dTpiezoTe
0.000E+00
0.000E+00


dTpiezoθ
0.000E+00
0.000E+00


dTpiezoY
0.000E+00
0.000E+00


dTpiezoρ
9.988E-02
9.090E-02


dTeθ
0.000E+00
0.000E+00


dTeY
-7.413E-03
-1.586E-02


dTeρ
0.000E+00
0.000E+00


dθY
0.000E+00
0.000E+00


dθρ
0.000E+00
0.000E+00


dYρ
-4.456E-05
-9.875E-05


e
3.248E+00
4.270E+00






。


2.一种弹性波装置，具备：
高声速构件；
中间层，层叠在所述高声速构件上，由硅氧化物构成；
压电层，层叠在所述中间层上，由钽酸锂构成；
IDT电极，设置在所述压电层上，
在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电层传播的弹性波的声速高，
在所述高声速构件传播的快横波体波声速Vsub相对于根据下述的式(2)求出的SHO模式的声速VshO和具有SHO模式以上的声速的成为杂散的模式的声速Vsp为VshO≤Vsub≤Vsp，
[数学式2]



在式(2)中，Vsh0以及Vsp的情况下的系数如下述的表2所示，
[表2]...

【专利技术属性】
技术研发人员：永友翔，大门克也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP