【技术实现步骤摘要】
一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体封装
,具体而言,涉及一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
声表面滤波器(SAWFilter)是以石英、铌酸锂或钎钛酸铅等压电晶体为基片,经表面抛光后在其上蒸发一层金属膜,通过光刻工艺制成两组具有能量转换功能的交叉指型的金属电极,分别称为输入叉指换能器和输出叉指换能器。利用输入叉指换能器和输出叉指换能器能够将电波的输入信号转换成机械能,经过处理后,再把机械能转换成电信号输出,以达到过滤不必要的信号及杂讯的目的,从而起到提升收讯品质的作用。因声表面波滤波器产品性能和设计功能需求,需要保证声表面波滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即声腔结构设计。现有技术中的声腔结构设计如图1所示,印制电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)1上设置溢胶槽,微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem,MEMS)芯片3倒装在印制电路板1上,在微机电系统芯片3底部四周点封胶2形成密闭的声腔。由于现有的结构中 ...
【技术保护点】
1.一种声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,包括基板,所述基板上表面设置有凹槽,所述凹槽上方倒装设置声表面波滤波芯片,所述声表面波滤波芯片的外缘与所述凹槽的边缘搭接,所述芯片与所述凹槽之间用于形成声腔,在设置有所述声表面波滤波芯片的基板表面覆设喷胶层。/n
【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,包括基板,所述基板上表面设置有凹槽,所述凹槽上方倒装设置声表面波滤波芯片,所述声表面波滤波芯片的外缘与所述凹槽的边缘搭接,所述芯片与所述凹槽之间用于形成声腔,在设置有所述声表面波滤波芯片的基板表面覆设喷胶层。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述声表面波滤波芯片的下表面与所述凹槽的槽底通过导电柱电连接。
3.根据权利要求2所述的声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述导电柱为焊锡膏。
4.根据权利要求1所述的声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述基板包括基板本体和阻焊层,所述阻焊层设置于所述基板本体上,所述凹槽开设于所述阻焊层上。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述声表面波滤波芯片划分有功能区和非功能区,所述声表面波滤波芯片的非功能区与所述凹槽的边缘搭接。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞宏林,钟磊,李利,
申请(专利权)人:甬矽电子宁波股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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