弹性波装置、高频前端电路及通信装置制造方法及图纸

提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6)，在压电体(6)上设置有功能电极，在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3)，在俯视观察的情况下，支承层(3)设置于功能电极的外侧，在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4)，形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A)，硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置、高频前端电路及通信装置
本专利技术涉及具有硅支承基板和硅盖层的弹性波装置、高频前端电路及通信装置。
技术介绍
在下述的专利文献1中，公开了一种具有设置有中空空间的封装构造的弹性波装置。在硅基板上设置有功能电极。在硅基板上设置有粘接剂层，使得包围功能电极。而且，通过该粘接剂层，接合有由硅构成的密封构件，使得与硅基板对置。由此，功能电极位于所形成的中空空间内。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特表2004-503164号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在使用了由硅构成的支承基板和由硅构成的密封构件的专利文献1所记载的弹性波装置中，当带电时，有时在由硅构成的支承基板流动电荷。其结果是，在由硅构成的支承基板上所形成的功能电极中，有可能产生因静电破坏而引起的动作不良、破损。本专利技术的目的在于，提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置、高频前端电路及通信装置。用于解决课题的手段本专利技术是一种弹性波装置，具备：硅支承基板；压电体，其直接或间接地层叠在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：/n硅支承基板；/n压电体，其直接或间接地层叠在所述硅支承基板上；/n功能电极，其设置在所述压电体上；/n支承层，其直接或间接地层叠在所述硅支承基板上，并且在俯视观察的情况下，设置在所述功能电极的外侧，由绝缘物构成；以及/n硅盖层，其层叠在所述支承层上，/n形成有由所述硅支承基板、所述支承层以及所述硅盖层包围的空间，/n所述硅支承基板的电阻比所述硅盖层的电阻高。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2456741.一种弹性波装置，具备：
硅支承基板；
压电体，其直接或间接地层叠在所述硅支承基板上；
功能电极，其设置在所述压电体上；
支承层，其直接或间接地层叠在所述硅支承基板上，并且在俯视观察的情况下，设置在所述功能电极的外侧，由绝缘物构成；以及
硅盖层，其层叠在所述支承层上，
形成有由所述硅支承基板、所述支承层以及所述硅盖层包围的空间，
所述硅支承基板的电阻比所述硅盖层的电阻高。


2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述支承层由感光性聚酰亚胺系树脂构成。


3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述硅盖层由p型半导体构成，
所述硅支承基板由n型半导体构成。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
在所述硅盖层的接合有所述支承层的接合面设置有金属膜。


5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述金属膜设置在所述硅盖层的接合有所述支承层的一侧的整个面。


6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承层具有包围所述功能电极的框状的形状，
所述压电体配置在由所述支承层包围的部分。


7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
所述功能电极为IDT电极。


8.根据权利要求7所述的弹性波装置，其中，
当将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述压电体的厚度为3.5λ以下。


9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的弹性波装置，其中，
在所述硅支承基板上直接层叠有...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽村诚，甲斐诚二，岸本谕卓，岸勇藏，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP