弹性波装置、高频前端电路及通信装置制造方法及图纸

提供压电体层不容易破损，并且滤波器特性不容易恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：硅支承基板(2)，具有相互对置的第一、第二主面(2a、2b)；压电性构造体(12)，设置在第一主面(2a)上，并具有压电体层(6)；IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上；支承层(3)，在硅支承基板(2)的第一主面(2a)上设置为包围压电体层(6)；覆盖层(4)，设置在支承层(3)上；通孔电极(11)，设置为贯通硅支承基板(2)和压电性构造体(12)；第一布线电极(8)，连接于通孔电极(11)，并电连接于IDT电极(7)。压电性构造体(12)具有包括压电体层(6)的至少1层具有绝缘性的层。第一布线电极(8)设置在压电性构造体(12)中的具有绝缘性的层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置、高频前端电路及通信装置
本专利技术涉及弹性波装置、高频前端电路及通信装置。
技术介绍
以往，弹性波装置广泛使用于便携式电话机的滤波器等。在下述专利文献1中，公开了WLP(晶圆级封装)构造的声表面波装置的一个例子。在该声表面波装置中，在硅基板上设置有压电体薄膜，在压电体薄膜上设置有梳状电极。在压电体薄膜上设置有具有包围梳状电极的壁状的部分的保护膜。在保护膜上设置有树脂膜，使得密封利用保护膜的壁状的部分构成的开口部。在专利文献2中，也公开了WLP构造的弹性波装置的一个例子。在该弹性波装置中，与IDT电极(叉指式换能器)电连接的布线电极延伸至支承基板上。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-295363号公报专利文献2：国际公开第2016/208427号
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1中，由于在作为压电体薄膜的压电体层上设置有作为保护膜的支承层，该支承层支承作为树脂膜的覆盖层，因而存在在制造工序等中会向压电体层附加大的外力的情况。因而，存在在压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：/n硅支承基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；/n压电性构造体，设置在所述硅支承基板的所述第一主面上，并具有压电体层；/nIDT电极，设置在所述压电体层上；/n支承层，在所述硅支承基板的所述第一主面上设置为包围所述压电体层；/n覆盖层，设置在所述支承层上；/n通孔电极，设置为贯通所述硅支承基板和所述压电性构造体；和/n第一布线电极，连接于所述通孔电极，并且电连接于所述IDT电极，/n所述压电性构造体具有包括所述压电体层的至少1层具有绝缘性的层，/n所述第一布线电极设置在所述具有绝缘性的层上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2456731.一种弹性波装置，具备：
硅支承基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；
压电性构造体，设置在所述硅支承基板的所述第一主面上，并具有压电体层；
IDT电极，设置在所述压电体层上；
支承层，在所述硅支承基板的所述第一主面上设置为包围所述压电体层；
覆盖层，设置在所述支承层上；
通孔电极，设置为贯通所述硅支承基板和所述压电性构造体；和
第一布线电极，连接于所述通孔电极，并且电连接于所述IDT电极，
所述压电性构造体具有包括所述压电体层的至少1层具有绝缘性的层，
所述第一布线电极设置在所述具有绝缘性的层上。


2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述压电性构造体包括低声速膜，在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低，
所述低声速膜设置在所述硅支承基板与所述压电体层之间。


3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述压电性构造体包括高声速膜，在所述高声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，
所述高声速膜设置在所述硅支承基板与所述低声速膜之间。


4.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述压电性构造体包括声反射膜，所述声反射膜具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层和声阻抗相对高的多个高声阻抗层，
所述声反射膜设置在所述硅支承基板与所述压电体层之间。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述通孔电极贯通所述压电性构造体中的所有层，
所述第一布线电极设置在所述压电体层上。


6.根据权利要求2或3所述的弹性波装置，其中，
所述通孔电极未贯通所述压电性构造体中的所述压电体层，并且贯通所述低声速膜，
所述低声速膜是所述具有绝缘性的层中的1层，
所述第一布线电极从所述压电体层延伸至所述低声速膜上。


7.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
所述通孔电极未贯通所述压电性构造体中的所述压电体层和所述低声速膜，并且贯通所述高声速膜，
所述高声速膜是所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸勇藏，岸本谕卓，泽村诚，甲斐诚二，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP