高频装置制造方法及图纸

高频装置(1)具备器件(10)及器件(20)、以及安装这些器件(10、20)的安装基板(30)。至少器件(20)是包括压电性基板和功能元件的弹性波器件。器件(10)及器件(20)相邻配置在安装基板(30)上。器件(10)的基板的线膨胀系数比安装基板(30)的线膨胀系数小，器件(20)的压电性基板的线膨胀系数比安装基板(30)的线膨胀系数大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频装置
本公开涉及高频装置，更确定地是涉及搭载有多个弹性波器件的高频装置中的弹性波器件的安装技术。
技术介绍
在便携电话或智能手机等电子设备中，使用有利用了声表面波(SAW：SurfaceAcousticWave)谐振器或体波(BAW：BulkAcousticWave，体声波)谐振器的弹性波器件。近年来，电子设备的小型化、薄型化不断进展，伴随于此，对于弹性波器件本身也期望小型化、低高度化。为了实现这样的要求，提出了将弹性波器件的芯片本身用作封装的WLP(WaferLevelPackage，晶片级封装)构造。在具有通常的WLP构造的弹性波器件中，在由压电性基板、配置于压电性基板表面的周围的支承层、以及设置在支承层上的盖部形成的中空空间内，具有在压电性基板上配置有多个功能元件的结构。在声表面波(SAW)装置的情况下，作为功能元件而配置有梳齿状电极(IDT：InterDigitalTransducer，叉指换能器)。此外，还提出了在一个基板上搭载有多个弹性波器件的形成为高频模块的结构。例如，在日本特开2003-51733号公报(专利文献1)中，公开了在安装基板上以倒装芯片的形式安装有至少两个声表面波装置的高频模块。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-51733号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在将这种具有WLP构造的弹性波器件安装于安装基板的情况下，有时采用使用焊料将弹性波器件与安装基板电连接的方法(回流焊)。在该情况下，通过高温将弹性波器件及安装基板加热至焊料熔融(无应力化)的温度，之后冷却至常温，由此，利用焊料凸起将弹性波器件及安装基板的导电体相互电连接。弹性波器件的压电性基板例如通过钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、氧化铝、硅(Si)及蓝宝石这样的压电单晶材料或者由LiTaO3或LiNbO3构成的压电层叠材料而形成。另一方面，安装基板通过苯酚或环氧等树脂而形成。因此，在弹性波器件的压电性基板和安装基板中，线膨胀系数不同的情况较多。这样，在回流焊工序中的冷却时，由于压电性基板与安装基板的线膨胀系数的差异而在弹性波器件自身产生机械形变，弹性波器件的特性可能变动。尤其是在一个基板上搭载有弹性波器件和其他器件的情况下，由于弹性波器件的压电性基板和其他器件所具有的基板的线膨胀系数，形变进一步增大，对弹性波器件的特性的影响可能增加。本公开是为了解决这样的课题而完成的，其目的在于，在安装基板上搭载有弹性波器件和其他器件的高频装置中，抑制因安装工序中的形变而引起的弹性波器件的特性的下降。用于解决课题的手段本公开的高频装置具备：安装基板；第一器件，其具有配置在安装基板上的基板；以及第二器件。第二器件在安装基板上与第一器件相邻配置。第二器件包括压电性基板、以及形成在压电性基板上的多个功能元件。第一器件的基板的线膨胀系数比安装基板的线膨胀系数小，第二器件的压电性基板的线膨胀系数比安装基板的线膨胀系数大。优选的是，第一器件的基板通过硅(Si)的单晶材料、或者由Si构成的层叠材料而形成。优选的是，第一器件是体声波谐振器。优选的是，第二器件的压电性基板通过LiTaO3、LiNbO3的单晶材料、或者由LiTaO3或LiNbO3构成的层叠材料而形成。优选的是，第一器件包括压电性基板、以及形成在压电性基板上的多个功能元件。第一器件的压电性基板是在由Si构成的第一基板层的表面层叠由LiTaO3或LiNbO3构成的第二基板层而形成的层叠基板。第一器件的多个功能元件形成在第二基板层上。第二器件的压电性基板通过LiTaO3、LiNbO3的单晶材料、或者由LiTaO3或LiNbO3构成的层叠材料而形成。优选的是，在第二器件形成有梯型滤波器，该梯型滤波器包括串联臂谐振器、并联臂谐振器、以及与并联臂谐振器串联或并联连接的电感器。并联臂谐振器配置在从相邻的第一器件及第二器件彼此相邻的相邻边到通过第二器件的中央且与相邻边平行的假想线之间。优选的是，在第二器件形成有滤波器，该滤波器包括将多个声表面波谐振器纵耦合而成的纵耦合谐振器。纵耦合谐振器配置在从相邻的第一器件及第二器件彼此相邻的相邻边到通过第二器件的中央且与相邻边平行的假想线之间。优选的是，在第二器件形成有梯型滤波器，该梯型滤波器包括串联臂谐振器、并联臂谐振器、以及与并联臂谐振器串联或并联连接的电感器。串联臂谐振器中的规定滤波器的通带的上限频率的谐振器及并联臂谐振器中的规定滤波器的通带的下限频率的谐振器中的至少一方配置在从相邻的第一器件及第二器件彼此相邻的相邻边到通过第二器件的中央且与相邻边平行的假想线之间。优选的是，高频装置用于使用天线进行高频信号的收发的无线通信装置。在第二器件形成有多工器，该多工器包括与天线连接的发送用滤波器及接收用滤波器。发送用滤波器是包括串联臂谐振器及并联臂谐振器的梯型滤波器。串联臂谐振器中的与天线最接近地连接的谐振器配置在从相邻的第一器件及第二器件彼此相邻的相邻边到通过第二器件的中央且与相邻边平行的假想线之间。专利技术效果在本公开的高频装置中，关于在安装基板上相邻搭载的第一器件及第二器件，采用如下结构：作为第一器件的基板而使用线膨胀系数比安装基板小的基板，作为包括弹性波装置的第二器件的压电性基板而使用线膨胀系数比安装基板大的基板。由此，在两个器件相邻的部分，在回流焊工序中，在各器件的基板与安装基板之间产生的形变抵消，因此，能够抑制设置于第二器件的弹性波装置的特性下降。附图说明图1是实施方式1的高频装置中的弹性波器件的概要配置图。图2是用于说明因线膨胀系数的差异而产生的安装基板的形变的第一图。图3是用于说明因线膨胀系数的差异而产生的安装基板的形变的第二图。图4是用于说明因线膨胀系数的差异而产生的安装基板的形变的第三图。图5是示出弹性波器件的结构的第一例的图。图6是示出弹性波器件的结构的第二例的图。图7是示出弹性波器件的结构的第三例的图。图8是示出弹性波器件的结构的第四例的图。图9是用于说明比较例1的仿真中的高频装置的结构的图。图10是用于说明实施例1的仿真中的高频装置的结构的第一例的图。图11是用于说明实施例1的仿真中的高频装置的结构的第二例的图。图12是用于说明实施例1的仿真中的高频装置的结构的第三例的图。图13是用于说明仿真结果的图。图14是用于说明仿真结果的图表。图15是用于说明形变被改善的区域的图。图16是示出实施方式2中的梯型滤波器的一例的图。图17是示出实施方式3中的纵耦合型滤波器的一例的图。图18是用于说明纵耦合型滤波器中的弹性波谐振器的形变的影响的图。图19是示出实施方式4中的梯型滤波器的一例的图。图20是用于说明弹性波谐振器的形变对滤波器的频率特性造成的影响的图。图21是示出弹性波谐振器中的应力与形变的关系的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频装置，具备：/n安装基板；/n第一器件，其具有配置在所述安装基板上的基板；以及/n第二器件，其与所述第一器件相邻地配置在所述安装基板上，/n所述第二器件包括：/n压电性基板；以及/n形成在所述压电性基板上的多个功能元件，/n所述第一器件的所述基板的线膨胀系数比所述安装基板的线膨胀系数小，/n所述第二器件的所述压电性基板的线膨胀系数比所述安装基板的线膨胀系数大。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171225 JP 2017-2482461.一种高频装置，具备：
安装基板；
第一器件，其具有配置在所述安装基板上的基板；以及
第二器件，其与所述第一器件相邻地配置在所述安装基板上，
所述第二器件包括：
压电性基板；以及
形成在所述压电性基板上的多个功能元件，
所述第一器件的所述基板的线膨胀系数比所述安装基板的线膨胀系数小，
所述第二器件的所述压电性基板的线膨胀系数比所述安装基板的线膨胀系数大。


2.根据权利要求1所述的高频装置，其中，
所述第一器件的所述基板通过硅Si的单晶材料或者由Si构成的层叠材料而形成。


3.根据权利要求2所述的高频装置，其中，
所述第一器件是体声波谐振器。


4.根据权利要求1所述的高频装置，其中，
所述第二器件的所述压电性基板通过钽酸锂LiTaO3、铌酸锂LiNbO3的单晶材料、或者由LiTaO3或LiNbO3构成的层叠材料而形成。


5.根据权利要求1所述的高频装置，其中，
所述第一器件包括：
压电性基板；以及
形成在所述压电性基板上的多个功能元件，
所述第一器件的所述压电性基板是在由Si构成的第一基板层的表面层叠由LiTaO3或LiNbO3构成的第二基板层而形成的层叠基板，
所述第一器件的所述多个功能元件形成在所述第二基板层上，
所述第二器件的所述压电性基板通过LiTaO3、LiNbO3的单晶材料、或者由LiTaO3或LiNbO3构成的层叠材料而形成。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP