基于薄膜IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片制造技术

本发明专利技术实施例提供的基于薄膜IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片，包括：带通滤波器电路，以及用于承载带通滤波器电路的基底层，其中，带通滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在基底层上生成的，并由第一端口、第二端口及连接于第一端口与第二端口之间谐振器网络构成的，其中第一端口，用于接收输入的信号；谐振器网络，用于对信号在带通的频率范围以外的频率进行阻断，其中，带通的频率范围为3.3GHz到4.2GHz或者带通的频率范围为4.4GHz到5.0GHz；第二端口，用于输出经谐振器网络处理信号以后，处于带通的频率范围的信号。

【技术实现步骤摘要】
基于薄膜IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及基于薄膜IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片。
技术介绍
随着现代无线通信系统的迅速发展与广泛应用，特别在第五代移动通信技术(5ThGenerationMobileNetworks，简称5G技术)通信技术驱动下，滤波器在射频模块中的使用数量大幅增加。常规移动终端中使用的滤波器芯片的加工工艺多种，其中一种加工工艺主要有声表面波滤波器(SurfaceAcousticWaveFilters，简称SAW)。但是一般SAW滤波器在工作频率上有一定局限性，当工作频率高于约1GHz时，频率选择性将会降低。SAW滤波器是利用压电陶瓷、铌酸锂、石英等压电石英晶体谐振器材料的压电效应和声表面波传播的物理特性制成的一种换能式无源带通滤波器，是一种采用石英晶体、压电陶瓷等压电材料，利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的滤波专用器件。这种滤波器的工作频率受到压电效应和声表面波传播的物理特性的限制，通常应用在2.5GHz以下的工作频率。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片，其特征在于，包括：/n带通滤波器电路，以及用于承载所述带通滤波器电路的基底层，其中，/n所述带通滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述基底层上生成的，并由第一端口、第二端口及连接于所述第一端口与所述第二端口之间谐振器网络构成的，其中，所述谐振器网络是由用于优化带内回波损耗与阻带抑制的第一类谐振器，用于控制高频处传输零点位置的第二类谐振器，用于控制低频处传输零点位置的第三类谐振器及用于控制通频带匹配的第四类谐振器构成的；/n所述第一端口，用于接收输入的信号；/n所述谐振器网络，用于对所述信号在带通的频率范围以外的频率...

【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜集成无源器件IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片，其特征在于，包括：
带通滤波器电路，以及用于承载所述带通滤波器电路的基底层，其中，
所述带通滤波器电路是采用薄膜集成无源器件IPD技术在所述基底层上生成的，并由第一端口、第二端口及连接于所述第一端口与所述第二端口之间谐振器网络构成的，其中，所述谐振器网络是由用于优化带内回波损耗与阻带抑制的第一类谐振器，用于控制高频处传输零点位置的第二类谐振器，用于控制低频处传输零点位置的第三类谐振器及用于控制通频带匹配的第四类谐振器构成的；
所述第一端口，用于接收输入的信号；
所述谐振器网络，用于对所述信号在带通的频率范围以外的频率进行阻断，其中，所述带通的频率范围为3.3GHz到4.2GHz或者所述带通的频率范围为4.4GHz到5.0GHz；
所述第二端口，用于输出经所述谐振器网络处理所述信号以后，处于所述带通的频率范围的信号。


2.如权利要求1所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片，其特征在于，所述第一类谐振器为两个第一类谐振器；
所述第二类谐振器为一个第二类谐振器；
所述第三类谐振器为一个第三类谐振器；
所述第四类谐振器为两个第四类谐振器。


3.如权利要求2所述的基于薄膜集成无源器件IPD技术的N77与N79带通滤波器芯片，其特征在于，所述两个第一类谐振器中的一个第一类谐振器包括：第一螺旋电感及第一电容；以及所述两个第一类谐振器中的另一个第一类谐振器包括：第二螺旋电感及第二MIM电容；
所述第二类谐振器包括：第三螺旋电感及第三MIM电容；
所述第三类谐振器包括：第四螺旋电感及第四MIM电容；
所述第四类谐振器中的一个第四类谐振器包括：第五螺旋电感及第五MIM电容；所述第四类谐振器中的另一个第四类谐振器包括：第六螺旋电感及第六MIM电容；其中，
所述两个第一类谐振器中的一个第一类谐振器中所述第一螺旋电感所在一端连接于所述第一端口，该一个第一类谐振器中所述第一MIM电容所在端连接于第一节点上；
所述第二类谐振器中所述第三螺旋电感及所述第三MIM电容并联处的一端连接于所述第一节点上，所述第二类谐振器中所述第三螺旋电感及所述第三MIM电容并联处的另一端连接于第二节点上；
所述第三类谐振器中所述第四螺旋电感及所述第四MIM电容并联处的一端连接于所述第二节点上，所述第三类谐振器中所述第四螺旋电感及所述第四MIM电容并联处的另一端连接于第三节点上；
所述两个第一类谐振器中的另一个第一类谐振器中所述第二MIM电容所在端连接于所述第三节点上，该另一个第一类谐振器中的所述第二螺旋电感所在端连接于所述第二端口；
所述第四类谐振器中的一个第四类谐振器中所述第五螺旋电感及所述第五MIM电容的并联处的一端连接于所述第一节点上，所述第五螺旋电感及所述第五MIM电容的并联处的另一端连接接地金属，所述第四类谐振器中的另一个第四类谐振器中所述第六螺旋电感及所述第六MIM电容的并联处一端连接于所述第三节点上，所述第四类谐振器中的另一个第四类谐振器中所述第六螺旋电感及所述第六MIM电容的并联处另一端连接接地金属。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴永乐，庄正，孔梦丹，王卫民，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：北京;11