一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺制造技术

本发明专利技术属于超薄晶圆加工领域，公开一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，包括以下步骤：S1、对晶圆的背面进行研磨；S2、使晶圆的背面形成缓坡或阶梯分布的区域；S3、对晶圆的背面进行黄光与离子注入工艺，并进行解键合；S4、对晶圆进行热处理工艺，对晶圆进行镀金属工艺；S5、对晶圆的背面进行涂布光阻；S6、将晶圆的正面附着在切割膜板上；S7、蚀刻切割道上的Si；S8、对晶圆的背面的光阻进行除去；形成厚度为40‑120um的晶圆，同时晶圆周边有足够的厚的区域可作为机械传送或固定，甚至低速旋转的操作，晶圆由于边缘是缓坡状的厚度渐进分布，因此做旋转涂布时，仍可在不同厚度区域达成均匀分布，使得晶圆可进行双面工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺
本专利技术属于超薄晶圆加工领域，具体涉及一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺。
技术介绍
超薄晶圆若无玻璃载板键合，在面对旋转涂布或高速旋转盘式离子植入制程等工艺时，将极易产生破片问题，但若键合有玻璃载板，由于黏着剂的耐温限制，将无法进行高温回火或金属/矽界面熔合的工艺；另外若晶圆的边缘厚度与其中央厚度之间相差过大，在涂布工艺时必然产生反溅，形成厚薄界面处光阻不均导缺陷，曝光对准时在晶圆周边形成障碍。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供缓坡状晶圆键合玻璃载板用于超薄晶圆双面加工工艺，解决了
技术介绍
所提出的技术问题。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆的正面键合玻璃载板后，通过研磨工艺，对晶圆的背面进行研磨，使得晶圆厚度减到200-400um；S2、利用气环或边缘移动式保护液，对晶圆的背面边缘进行保护，用HF对晶圆的背面蚀刻，直至形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将晶圆的正面键合玻璃载板后，通过研磨工艺，对晶圆的背面进行研磨，使得晶圆厚度减到200-400um；/nS2、利用气环或边缘移动式保护液，对晶圆的背面边缘进行保护，用HF对晶圆的背面蚀刻，直至形成晶圆的最薄厚度区域，最薄厚度区域处于晶圆的中部，对于晶圆整体，晶圆的厚度由晶圆背面边缘渐进降低至晶圆中部区域，使得晶圆的背面形成缓坡或阶梯分布的区域；/nS3、对晶圆的背面进行黄光与离子注入工艺，完成晶圆的黄光及离子注入工艺后，将晶圆与玻璃载板整体进行水平翻转，将晶圆的背面搭接在环形托盘上，晶圆与玻璃载板之间进行解键...

【技术特征摘要】
1.一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将晶圆的正面键合玻璃载板后，通过研磨工艺，对晶圆的背面进行研磨，使得晶圆厚度减到200-400um；
S2、利用气环或边缘移动式保护液，对晶圆的背面边缘进行保护，用HF对晶圆的背面蚀刻，直至形成晶圆的最薄厚度区域，最薄厚度区域处于晶圆的中部，对于晶圆整体，晶圆的厚度由晶圆背面边缘渐进降低至晶圆中部区域，使得晶圆的背面形成缓坡或阶梯分布的区域；
S3、对晶圆的背面进行黄光与离子注入工艺，完成晶圆的黄光及离子注入工艺后，将晶圆与玻璃载板整体进行水平翻转，将晶圆的背面搭接在环形托盘上，晶圆与玻璃载板之间进行解键合；
S4、对晶圆进行热处理工艺，使S3注入的离子融入至晶圆内，再对晶圆的正面和背面进行镀金属工艺；
S5、对晶圆的背面进行涂布光阻，通过光阻对晶圆的背面切割道以外的区域进行保护，使得晶圆的背面的切割道区域进行暴露；
S6、将晶圆的正面附着在Dicingframe切割膜板上；
S7、使用SF6或其他含F气体的电浆，蚀刻切割道上的Si；
S8、对晶圆的背面的光阻进行除去。


2.根据权利要求1所述的一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，其特征在于，所述S2中：晶圆的最薄厚度D1为40-120um。


3.根据权利要求1所述的一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，其特征在于，所述S2中：针对于直径φ为200㎜的晶圆，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，陈政勋，李景贤，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33