一种多晶圆划片方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种多晶圆划片方法及半导体结构，该方法包括以下步骤：第一键合步骤：提供一载体及第一晶圆，将二者键合，减薄第一晶圆的背面，在第一晶圆的背面引出焊盘，形成第一切割道于第一晶圆中；第二键合步骤：提供正面设有焊盘的第二晶圆，将第二晶圆的正面与第一晶圆的背面键合，减薄第二晶圆的背面，在第二晶圆的背面引出焊盘，形成第二切割道于第二晶圆中；裂片步骤：沿切割道将载体裂开，得到多个分开的芯片。本发明专利技术能够实现多片层叠硅片晶圆级的切割与划片，其中，对每一层键合的晶圆进行独立切割，能够降低崩边、裂片、污染或多晶改变的风险，提高生产效率与封装产品的良率，并能够收缩切割道面积，提高晶圆利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶圆划片方法及半导体结构
本专利技术属于半导体集成电路
，涉及一种多晶圆划片方法及半导体结构。
技术介绍
目前多层堆叠器件的制作通常是将晶圆键合后再打薄切割。多层晶圆切割目前主要有三种方式：(1)传统机械正面切割：当工作物属硬、脆材质，钻石颗粒以撞击(Fracturing)的方式，将工作物敲碎，再利用刀口将粉末移除。其相关特点如下：切割速度：5～10mm/s；切割线宽：40～80μm；切割效果：切痕深且宽，晶圆易崩片、破碎；热影响区：大(需要引入水冷和清洗步骤)；残留应力：大(切割振动和应力导致破碎)；对晶圆厚度要求：≥100μm；适应性：较厚晶片切割的优选方法，但不同类型晶圆片需更换道具及水冷；有无损耗：需要去离子水，更换道具，损耗大；工艺成本：成熟工艺，广泛应用。(2)传统激光正面切割：正面无接触式加工，聚焦点(亚微米级)处，材料吸收激光直接将硅材料气化，在最低限度的炭化影响下形成沟道。其相关特点如下：切割速度：1～150mm/s；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶圆划片方法，其特征在于，包括以下步骤：/n第一键合步骤：提供一载体及第一晶圆，将所述第一晶圆的正面与所述载体键合，减薄所述第一晶圆的背面，在所述第一晶圆的背面引出焊盘，形成第一切割道于所述第一晶圆中，所述第一切割道上下贯穿所述第一晶圆；/n第二键合步骤：提供正面设有焊盘的第二晶圆，将所述第二晶圆的正面与所述第一晶圆的背面键合，减薄所述第二晶圆的背面，在所述第二晶圆的背面引出焊盘，形成第二切割道于所述第二晶圆中，所述第二切割道上下贯穿所述第二晶圆；/n裂片步骤：沿切割道将所述载体裂开，得到多个分开的芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶圆划片方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一键合步骤：提供一载体及第一晶圆，将所述第一晶圆的正面与所述载体键合，减薄所述第一晶圆的背面，在所述第一晶圆的背面引出焊盘，形成第一切割道于所述第一晶圆中，所述第一切割道上下贯穿所述第一晶圆；
第二键合步骤：提供正面设有焊盘的第二晶圆，将所述第二晶圆的正面与所述第一晶圆的背面键合，减薄所述第二晶圆的背面，在所述第二晶圆的背面引出焊盘，形成第二切割道于所述第二晶圆中，所述第二切割道上下贯穿所述第二晶圆；
裂片步骤：沿切割道将所述载体裂开，得到多个分开的芯片。


2.根据权利要求1所述的多晶圆划片方法，其特征在于：所述第一切割道未切割所述载体。


3.根据权利要求1所述的多晶圆划片方法，其特征在于：所述第一切割道切割部分所述载体。


4.根据权利要求1所述的多晶圆划片方法，其特征在于：在所述裂片步骤之前，重复所述第二键合步骤至少一次，得到至少三层晶圆自下而上依次堆叠的键合结构。


5.根据权利要求1或4所述的多晶圆划片方法，其特征在于：在进行下一片晶圆键合之前，还包括在前一片晶圆的切割道中填入填充物的步骤。


6.根据权利要求5所述的多晶圆划片方法，其特征在于：所述填充物包括透明胶体、聚酰胺、自旋涂布电介质中的任意一种。


7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42