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本发明提供一种多晶圆划片方法及半导体结构，该方法包括以下步骤：第一键合步骤：提供一载体及第一晶圆，将二者键合，减薄第一晶圆的背面，在第一晶圆的背面引出焊盘，形成第一切割道于第一晶圆中；第二键合步骤：提供正面设有焊盘的第二晶圆，将第二晶圆的正...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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