一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺，属于芯片加工领域。包括以下步骤：对晶圆片进行扩散、镀镍金、一次光刻、蚀刻沟槽、聚酰亚胺钝化保护；然后对晶圆进行测试，将不良芯片进行着色处理；再沿晶圆上预留的切割通道将晶圆片切割成芯片；最后将不良品取出，良品进行包装。本发明专利技术相对传统的GPP芯片工艺，具有流程简单，成本低，提高了产品的耐高温能力和耐高低温循环能力，可靠性更高，且可采用较薄的原硅片加工低阻抗和低功耗产品。

【技术实现步骤摘要】
一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺
本专利技术属于芯片加工领域，具体涉及一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺。
技术介绍
为了得到高可靠性的芯片，现有的主要采用高级GPP芯片工艺，其步骤经过扩散、一次光刻、蚀刻沟槽、Sipos/Sin钝化保护、玻璃钝化保护、LTO钝化保护、三次光刻、去氧化、镀镍金、切割，然后封装测试。这种传统的GPP芯片工艺工序繁多，生产流程长，破片率高，生产成本也高。为了降低GPP工艺的破片率，需要采用比较厚的原硅片进行加工，而原硅片越厚，其加工出的芯片阻抗就越高，功耗也越大。在大功率器件上，一般选用尺寸规格较大的芯片，传统的GPP芯片四周所要采用玻璃钝化保护的玻璃体积也相应增大，因为玻璃与硅的膨胀系数相差较大，器件在高低温循环使用过程中，极易导致玻璃破裂，从而致使器件失效。
技术实现思路
针对现有技术中缺陷与不足的问题，本专利技术提出了一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺，相对传统的GPP芯片工艺，具有流程简单，成本低，提高了产品的耐高温能力和耐高低温循环能力，可靠性更高，且可采用较薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺，其特征在于包括如下步骤：/na.对晶圆片进行扩散处理；/nb.表面镀镍金处理；/nc.一次光刻；/nd.蚀刻沟槽处理；/ne.在晶圆片沟槽内填涂聚酰亚胺，通过一次或多次喷涂，再经过预固化、固化处理形成对晶圆芯片PN结的保护；/nf.对晶圆进行测试，将不良芯片进行着色处理；/ng.再沿晶圆上预留的切割通道将晶圆片切割成芯片；/nh.将不良品取出，良品进行包装。/n

【技术特征摘要】
1.一种取代GPP工艺的新型芯片制作工艺，其特征在于包括如下步骤：
a.对晶圆片进行扩散处理；
b.表面镀镍金处理；
c.一次光刻；
d.蚀刻沟槽处理；
e.在晶圆片沟槽内填涂聚酰亚胺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，安启跃，
申请(专利权)人：安徽安芯电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34