切割方法技术

本发明专利技术公开了一种切割方法，包括：提供待切割的晶圆，晶圆的背面贴有背胶层，晶圆正面包括芯片区和芯片区边缘，芯片区和芯片区边缘包括多条同时贯穿芯片区和芯片区边缘且相交的切割道，以隔开各个芯片；沿着切割道切割晶圆，开始切割的位置为切割起点，停止切割的位置为切割终点，切割起点或切割终点位于芯片区边缘的内侧；和沿着其他切割道重复上述切割过程，直至将芯片区切割为多个芯片。减少切割芯片区边缘的次数，降低刀锯表面形成撞击缺口的几率，提高了切割后芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
切割方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种切割方法。
技术介绍
目前半导体芯片形成在晶圆上，通常晶圆表面形成有成千上万的芯片，在晶圆上同时形成多个芯片能够节省工艺成本。在形成芯片的同时，芯片之间也形成有便于切割的切割道，用于分离形成单个芯片。目前，在沿着切割道切割芯片时，芯片区边缘易出现较多飞溅的碎片，最终切割后得到芯片的良率较低。因此，现有技术亟须一种提高切割后芯片良率的切割方法。
技术实现思路
本专利技术实施例公开了一种切割方法，将切割终点控制在芯片区边缘的内侧，减少飞溅碎片的产生，减低了切割刀锯表面出现撞击缺口机率，提高了切割后芯片的良率。本专利技术公开了一种切割方法，包括：提供待切割的晶圆，晶圆的背面贴有背胶层，晶圆正面包括芯片区和芯片区边缘，芯片区和芯片区边缘包括多条同时贯穿芯片区和芯片区边缘且相交的切割道，以隔开各个芯片；沿着切割道切割晶圆，开始切割的位置为切割起点，停止切割的位置为切割终点，切割起点或切割终点位于芯片区边缘的内侧；和沿着其他切割道重复上述切割过程，直至将芯片区切本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割方法，其特征在于，包括：/n提供待切割的晶圆，所述晶圆的背面贴有背胶层，所述晶圆正面包括芯片区和芯片区边缘，所述芯片区和所述芯片区边缘包括多条同时贯穿所述芯片区和所述芯片区边缘且相交的切割道，以隔开各个芯片；/n沿着所述切割道切割所述晶圆，开始切割的位置为切割起点，停止切割的位置为切割终点，所述切割起点或所述切割终点位于所述芯片区边缘的内侧；和/n沿着其他所述切割道重复上述切割过程，直至将所述芯片区切割为多个所述芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种切割方法，其特征在于，包括：
提供待切割的晶圆，所述晶圆的背面贴有背胶层，所述晶圆正面包括芯片区和芯片区边缘，所述芯片区和所述芯片区边缘包括多条同时贯穿所述芯片区和所述芯片区边缘且相交的切割道，以隔开各个芯片；
沿着所述切割道切割所述晶圆，开始切割的位置为切割起点，停止切割的位置为切割终点，所述切割起点或所述切割终点位于所述芯片区边缘的内侧；和
沿着其他所述切割道重复上述切割过程，直至将所述芯片区切割为多个所述芯片。


2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述切割道包括第一方向切割道和第二方向切割道，所述第一方向切割道和所述第二方向切割道垂直相交。


3.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，沿所述第一方向切割道切割形成第一方向切口，第一方向所述切割起点位于所述芯片区边缘外侧，所述第一方向所述切割终点位于所述芯片区边缘内侧，或者所述第一方向所述切割起点位于所述芯片区边缘内侧，所述第一方向所述切割终点位于所述芯片区边缘外侧。


4.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，刀锯沿着所述第一方向切割道一端的所述芯片区边缘的内侧开始切割，切割至所述第一方向切割道另一端的所述芯片区边缘的内侧时，停止切割，所述切割起点和所述切割终点均位于所述芯片区边缘内侧。


5.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，在形成所述第一方向切...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韦锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31