背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法技术方案

本发明专利技术题为“背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法”。本发明专利技术提供了管芯分割系统和相关方法的实施方式，该实施方式可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯，在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成种子层，使用阴影掩模，在种子层上方施加掩模层，在种子层上方形成背侧金属层，移除掩模层，以及通过移除管芯道中的衬底材料并通过移除管芯道中的种子层材料来分割包括在衬底中的多个管芯。

【技术实现步骤摘要】
背侧金属图案化管芯分割系统和相关方法相关专利申请的交叉引用本申请要求授予Seddon的名称为“背侧金属图案化管芯分割系统及相关方法(BACKSIDEMETALPATTERNINGDIESINGULATIONSYSTEMSANDRELATEDMETHODS)”的美国临时专利申请62/796,668的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
技术介绍
1.
本文档的各方面整体涉及管芯分割系统和方法。更具体的实施方式涉及从减薄衬底分割半导体管芯的方法。2.
技术介绍
半导体器件包括存在于常用电气和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备)中的集成电路。通过将半导体材料的晶圆分割成多个半导体管芯来分离器件。各种层可被耦接到晶圆的前侧和/或背侧。在分割时，管芯可安装在封装件上并与封装件电集成，然后可将该封装件用于电气或电子设备中。
技术实现思路
管芯分割系统和相关方法的实施方式可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯，在与该衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法，所述方法包括：/n在衬底的第一侧上形成多个管芯；/n在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层；/n使用阴影掩模，在所述种子层上方施加掩模层；/n在所述种子层上方形成背侧金属层；/n移除所述掩模层；以及/n通过移除管芯道中的衬底材料并且通过移除所述管芯道中的种子层材料来分割包括在所述衬底中的所述多个管芯。/n

【技术特征摘要】
20190125 US 62/796,668;20190709 US 16/505,9021.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧上形成多个管芯；
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层；
使用阴影掩模，在所述种子层上方施加掩模层；
在所述种子层上方形成背侧金属层；
移除所述掩模层；以及
通过移除管芯道中的衬底材料并且通过移除所述管芯道中的种子层材料来分割包括在所述衬底中的所述多个管芯。


2.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述管芯道中的衬底材料还包括等离子蚀刻。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述衬底的所述第二侧减薄至小于30微米的厚度。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述衬底的背侧对准所述衬底。


5.一种将包括在衬底中的多个管芯分割的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧上形成多个管芯；
在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成种子层；
使用阴影掩模，在所述种子层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US