背面金属图案化管芯切割系统和相关方法技术方案

本发明专利技术题为“背面金属图案化管芯切割系统和相关方法”。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：在衬底的第一侧面上形成多个管芯；在衬底的第二侧面上形成背面金属层；在背面金属层之上施加聚合物层；以及形成完全穿过聚合物层且部分地穿过一定厚度的背面金属层的沟槽。沟槽可位于衬底的管芯道中。该方法还可包括：蚀刻穿过位于管芯道中的背面金属层的剩余部分；移除聚合物层；通过移除管芯道中的衬底材料来切割衬底中的多个管芯。

【技术实现步骤摘要】
背面金属图案化管芯切割系统和相关方法相关专利申请的交叉引用本申请要求授予Seddon的名称为“背面金属图案化管芯切割系统和相关方法(BACKSIDEMETALPATTERNINGDIESINGULATIONSYSTEMSANDRELATEDMETHODS)”的美国临时专利申请62/796,651的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文档的各方面整体涉及管芯切割系统和方法。更具体的实施方式涉及从减薄的衬底切割(singulate)半导体管芯的方法。
技术介绍
半导体器件包括存在于通用电气和电子设备中的集成电路，该通用电气和电子设备诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备。通过将半导体材料的晶圆切割成多个半导体管芯来分离器件。各种层可耦接到晶圆的正面和/或背面。在切割时，可将管芯安装在封装件上并与该封装件电集成，然后可将该封装件用于电气或电子装置中。
技术实现思路
切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：在衬底的第一侧面上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：/n在衬底的第一侧面上形成多个管芯；/n在所述衬底的第二侧面上形成背面金属层；/n在所述背面金属层之上施加有机层；/n形成完全穿过所述有机层且部分地穿过一定厚度的所述背面金属层的沟槽，其中所述沟槽位于所述衬底的管芯道中；/n蚀刻穿过位于所述管芯道中的所述背面金属层的剩余部分；/n移除所述有机层；以及/n通过移除所述管芯道中的衬底材料来切割包括在所述衬底中的所述多个管芯。/n

【技术特征摘要】
20190125 US 62/796,651;20190709 US 16/505,8601.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧面上形成多个管芯；
在所述衬底的第二侧面上形成背面金属层；
在所述背面金属层之上施加有机层；
形成完全穿过所述有机层且部分地穿过一定厚度的所述背面金属层的沟槽，其中所述沟槽位于所述衬底的管芯道中；
蚀刻穿过位于所述管芯道中的所述背面金属层的剩余部分；
移除所述有机层；以及
通过移除所述管芯道中的衬底材料来切割包括在所述衬底中的所述多个管芯。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述背面金属层的厚度为10微米。


3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻还包括湿法蚀刻穿过所述背面金属层的所述剩余部分，其中所述背面金属层包括铜。


4.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述管芯道中的衬底材料还包括等离子体蚀刻。


5.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧面上形成多个管芯；
在所述衬底的第二侧面上形成背面金属层；
在所述背面金属层之上施加有机层；
形成完全穿过所述有机层且部分地穿过管芯道中的所述背面金属层的沟槽；
蚀刻所述背面金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US