等离子体管芯切割系统以及相关方法技术方案

本发明专利技术题为“等离子体管芯切割系统以及相关方法”。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到该衬底的管芯道中的金属层，暴露该管芯道中的该衬底的衬底材料，其中该管芯道中的该衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻该管芯道中的该衬底的该暴露的衬底材料来切割包括在该衬底中的多个管芯。

【技术实现步骤摘要】
等离子体管芯切割系统以及相关方法
本文档的各方面整体涉及等离子体管芯切割系统和方法。更具体的实施方式涉及从衬底切割(singulate)半导体管芯的方法。
技术介绍
半导体器件包括存在于常见的电气设备和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备)中的集成电路。通过将半导体材料晶圆单颗化成多个半导体管芯来分离器件。一般用锯子进行对晶圆的切割。在切割时，可将管芯安装在封装上并与封装电集成，然后可将其用于电气设备或电子设备中。
技术实现思路
切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到衬底的管芯道中的金属层，暴露管芯道中的衬底的衬底材料，其中管芯道中的衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻管芯道中的衬底的暴露的衬底材料来切割包括在衬底中的多个管芯。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：衬底厚度可小于50微米。衬底厚度可小于30微米。去除管芯道中的金属层还可包括通过锯切、激光作用、划线或射流烧蚀中的一种来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：/n通过去除耦接到衬底的管芯道中的金属层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及/n通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。/n

【技术特征摘要】
20190109 US 16/243,3531.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：
通过去除耦接到衬底的管芯道中的金属层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及
通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是厚度小于30微米或厚度小于50微米中的一种。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分和所述金属层被基本上同时去除，并且其中去除的所述衬底材料的所述部分延伸到所述衬底中5微米至15微米。


4.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：
通过去除耦接到衬底的管芯道中的钝化层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及
通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分、所述钝化层和所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US