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本发明题为“等离子体管芯切割系统以及相关方法”。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括:通过去除耦接到该衬底的管芯道中的金属层,暴露该管芯道中的该衬底的衬底材料,其中该管芯道中的该衬底材料的仅一部分被去除;以及通过等离子体蚀刻该管...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明题为“等离子体管芯切割系统以及相关方法”。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括:通过去除耦接到该衬底的管芯道中的金属层,暴露该管芯道中的该衬底的衬底材料,其中该管芯道中的该衬底材料的仅一部分被去除;以及通过等离子体蚀刻该管...