背面金属图案化管芯切单系统及相关方法技术方案

本发明专利技术涉及背面金属图案化管芯切单系统及相关方法。本公开提供了切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式，其可以包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在衬底的第二侧上形成背面金属层；在所述背面金属层上方施加光刻胶层；沿所述衬底的管芯划道将所述光刻胶层图案化；以及蚀刻穿过位于所述衬底的所述管芯划道中的所述背面金属层。可以通过所述蚀刻来暴露所述衬底。所述方法还可以包括通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切单所述衬底中包括的多个管芯。

【技术实现步骤摘要】
背面金属图案化管芯切单系统及相关方法相关申请的交叉引用本申请要求授予Seddon的名称为“BACKSIDEMETALPATTERNINGDIESINGULATIONSYSTEMANDRELATEDMETHODS(背面金属图案化管芯切单系统及相关方法)”的美国临时专利申请62/796,659的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文件的各方面整体涉及管芯切单系统和方法。更具体的实施方式涉及从减薄衬底切单半导体管芯的方法。
技术介绍
半导体器件包括常见电气和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板计算机、其他计算设备和其他电子设备)中出现的集成电路。该器件通过将半导体材料的晶圆切单为多个半导体管芯而分离。可以将各种层耦接到晶圆的正面和/或背面。在切单时，管芯可以安装在封装上并与该封装电气地集成，该封装然后可供用在电气或电子设备中。
技术实现思路
切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式可以包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在衬底的第二侧上形成背面金属层；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法，所述方法包括：/n在衬底的第一侧上形成多个管芯；/n在所述衬底的第二侧上形成背面金属层；/n在所述背面金属层上方施加光刻胶层；/n沿所述衬底的管芯划道将所述光刻胶层图案化；/n蚀刻穿过位于所述衬底的所述管芯划道中的所述背面金属层，其中通过所述蚀刻来暴露所述衬底；以及/n通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切单所述衬底中包括的所述多个管芯。/n

【技术特征摘要】
20190125 US 62/796,659;20190709 US 16/505,8781.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧上形成多个管芯；
在所述衬底的第二侧上形成背面金属层；
在所述背面金属层上方施加光刻胶层；
沿所述衬底的管芯划道将所述光刻胶层图案化；
蚀刻穿过位于所述衬底的所述管芯划道中的所述背面金属层，其中通过所述蚀刻来暴露所述衬底；以及
通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切单所述衬底中包括的所述多个管芯。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述衬底的所述第二侧减薄，其中将所述衬底减薄到小于30微米厚或小于50微米厚中的一种。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述背面金属层为10微米厚。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过等离子体蚀刻切单所述衬底中包括的所述多个管芯，以及还包括：移除所述衬底的所述衬底材料中的宽度小于所述管芯划道的宽度的部分。


5.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法，所述方法包括：
在衬底的第一侧上形成多个管芯；
在与所述衬底的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US