半导体结构制造技术

一种半导体结构，包括：存储芯片；温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。当本实用新型专利技术的半导体结构工作在低温环境时，通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值，从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大，从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间，提高了存储器写入的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。现有在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性仍需要提高的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是怎样减小在低温环境中对存储器进行数据写入时的写入时间，提高写入的稳定性。为此，本技术提供了一种半导体结构，包括：存储芯片；温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。可选的，所述存储芯片的数量为1个或者大于等于2个，所述存储芯片的数量大于等于2个时，若干存储芯片依次向上堆叠。可选的，所述存储芯片位于控制芯片上，所述存储芯片与所述控制芯片电连接。可选的，还包括线路基板，所述线路基板中具有连接线路，所述存储芯片以及控制芯片均位于线路基板上，所述存储芯片和控制芯片通过线路基板中的连接线路连接。可选的，所述温度检测单元与所述控制芯片电连接，所述温度检测单元的数量为1个或者大于等于2个，所述温度检测单元位于控制芯片中或者位于存储芯片中，或者位于存储芯片和控制芯片之间的线路基板上。可选的，所述温度检测单元数量为1个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元检测的温度达到设定阈值时，则控制所有所述存储芯片启动。可选的，所述温度检测单元数量为1个，且所述存储芯片的数量为大于等于2个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元的温度达到设定阈值时，先控制离所述控制芯片最近的存储芯片启动，然后再控制上面的其他存储芯片依次启动。可选的，所述温度检测单元数量为大于等于2个时，且所述存储芯片的数量大于等于2个时，每一个存储芯片中具有一个温度检测单元，所述控制芯片依次判断所有的所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值时，若某一个温度检测单元检测的温度达到设定阈值，则控制该温度检测单元对应的存储芯片启动。可选的，所述控制芯片控制所述存储芯片启动后，所述控制芯片还控制所述存储芯片进行写入、读取和擦除操作。可选的，所述控制芯片对所述存储芯片进行加热之前，所述控制芯片先进行启动，所述控制芯片利用启动后自生产生的热量对存储芯片进行加热。可选的，所述控制芯片中具有额外的加热电路，用于对所述存储芯片进行加热。可选的，所述控制芯片在对所述存储芯片进行加热之前或之后，所述控制芯片判断所述温度检测单元检测的存储芯片的温度是否达到设定阈值，若未达到设定阈值，则控制所述加热电路对存储芯片进行加热，如达到设定阈值，则控制所述加热电路停止对存储芯片进行加热。可选的，所述存储芯片为DRAM存储芯片。与现有技术相比，本技术技术方案具有以下优点：本技术的半导体结构，包括：存储芯片；温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。通过控制芯片和温度检测单元的配合，所述控制芯片在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，所述温度检测单元在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度，所述控制芯片判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动，因而当本技术的半导体结构工作在低温环境时，通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值，从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大，从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间，提高了存储器写入的稳定性。进一步，所述温度检测单元的数量为1个，具体的，所述1个温度精测单元可以位于控制芯片中，或者所述1个温度检测单元也可以位于存储芯片中，或者所述1个温度检测单元也可以位于存储芯片和控制芯片之间的线路基板上，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元检测的温度达到设定阈值时，则控制所有所述存储芯片启动。对于半导体结构存在多个存储芯片时，前述的这种控制结构和控制方式相对简单，并能减小低温环境下的对存储芯片进行数据写入时的写入时间，提高了存储芯片写入的稳定性。进一步，所述温度检测单元数量为1个，且所述存储芯片的数量为大于等于2个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元的温度达到设定阈值时，先控制离所述控制芯片最近的存储芯片启动，然后再控制上面的其他存储芯片依次启动。对于半导体结构存在多个存储芯片时，前述的这种控制结构和控制方式能使得每一个存储芯片均能在达到设定阈值温度后启动，提高了每一个存储芯片启动时机的精度，并能减小低温环境下的对每一个存储芯片进行数据写入时的写入时间，提高了对每一个存储芯片写入的稳定性。进一步，所述温度检测单元数量为大于等于2个时，且所述存储芯片的数量大于等于2个时，每一个存储芯片中具有一个温度检测单元，所述控制芯片依次判断所有的所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值时，若某一个温度检测单元检测的温度达到设定阈值，则控制该温度检测单元对应的存储芯片启动。对于半导体结构存在多个存储芯片时，前述的这种控制结构和控制方式能使得每一个存储芯片每一个存储芯片启动时机的精度进一步提高，并能进一步减小低温环境下的对每一个存储芯片进行数据写入时的写入时间，进一步提高了对每一个存储芯片写入的稳定性。进一步，所述控制芯片对所述存储芯片进行加热之前，所述控制芯片先进行启动，所述控制芯片利用启动后自生产生的热量对存储芯片进行加热，无需额外的加热电路，从而简化了半导体结构的结构。进一步，所述控制芯片中可以具有额外的加热电路，用于对所述存储芯片进行加热。所述控制芯片在对所述存储芯片进行加热之前或之后，所述控制芯片判断所述温度检测单元检测的存储芯片的温度是否达到设定阈值，若未达到设定阈值，则控制所述加热电路对存储芯片进行加热，如达到设定阈值，则控制所述加热电路停止对存储芯片进行加热。从而实现对加热过程的精确控制，使得存储芯片的温度能保持在设定阈值附近，防止存储芯片的温度过高或过低，从而使得对存储器的写入时间始终能保持较短。附图说明图1-7为本技术实施例中半导体结构的结构示意图；图8为本技术实施例中半导体结构预热方法的流程示意图。具体实施方式如
技术介绍
所言，现有在低温环境中对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性仍需要提高的问题。研究发现，现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n存储芯片；/n温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；/n控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
存储芯片；
温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；
控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储芯片的数量为1个或者大于等于2个，所述存储芯片的数量大于等于2个时，若干存储芯片依次向上堆叠。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述存储芯片位于控制芯片上，所述存储芯片与所述控制芯片电连接。


4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括线路基板，所述线路基板中具有连接线路，所述存储芯片以及控制芯片均位于线路基板上，所述存储芯片和控制芯片通过线路基板中的连接线路连接。


5.如权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元与所述控制芯片电连接，所述温度检测单元的数量为1个或者大于等于2个，所述温度检测单元位于控制芯片中或者位于存储芯片中，或者位于存储芯片和控制芯片之间的线路基板上。


6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元数量为1个时，所述控制芯片判断所述1个温度检测单元检测的温度达到设定阈值时，则控制所有所述存储芯片启动。


7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述温度检测单元数量为1个，且所述存储芯片的数量为大于等于2个时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：寗树梁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34