DRAM器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种DRAM器件及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中厚Si

【技术实现步骤摘要】
DRAM器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种DRAM器件及其制造方法。
技术介绍
存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。RAM包括DRAM、PRAM、MRAM等。在DRAM器件的制造中，为了提高金属配线相互的电气连接特性以及硅衬底与金属配线的电气连接特性、提高器件的特性和可靠性、提高制造时的成品率需要进行氢退火，氢退火是非常重要的工艺，例如，在动态随机存储器(DynamicRandom-AccessMemory，DRAM)中，器件层间绝缘层或栅极介电层中的氧化硅与半导体衬底界面附近的硅之间存在悬空键，而导致层间绝缘层或栅极介电层与半导体衬底之间存在界面能级，通过该界面能级使漏电流从扩散层流向半导体村底，而使DRAM的器件特性恶化。在氢退火中，向界面提供氢，通过氢使悬空键终结，而能够降低界面能级。现有技术中的隔离介质层采用较厚的Si3N4层，而Si3N4层会降低H离子的渗透率，影响氢退火的效果，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DRAM器件，其特征在于，包括：/n半导体衬底，包括存储区和外围区；/n沟槽，嵌入所述存储区和所述外围区之间；/n刻蚀阻挡层，位于所述沟槽中；/n隔离区，位于所述沟槽中的所述刻蚀阻挡层上方；以及/n着陆焊盘，位于存储区中，其中，所述刻蚀阻挡层延伸到所述着陆焊盘上。/n

【技术特征摘要】
1.一种DRAM器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，包括存储区和外围区；
沟槽，嵌入所述存储区和所述外围区之间；
刻蚀阻挡层，位于所述沟槽中；
隔离区，位于所述沟槽中的所述刻蚀阻挡层上方；以及
着陆焊盘，位于存储区中，其中，所述刻蚀阻挡层延伸到所述着陆焊盘上。


2.根据权利要求1所述的DRAM器件，其特征在于，所述存储区包括：
位线；
位线侧墙，位于所述位线的侧壁上；
存储节点接触件，位于相邻的位线侧墙之间；以及
所述着陆焊盘，位于所述存储节点接触件上。


3.根据权利要求1所述的DRAM器件，其特征在于，包括电容器，所述电容器的下电极穿过所述刻蚀阻挡层与所述着陆焊盘电连接。


4.根据权利要求2所述的DRAM器件，其特征在于，包括：
位线盖层，位于所述位线上方；
盖层材料层，位于所述外围区中并与所述存储区的所述位线盖层相对应，其中，所述沟槽嵌入所述位线盖层和所述盖层材料层之间。


5.根据权利要求4所述的DRAM器件，其特征在于，包括焊盘材料层，位于所述外围区中并与所述存储区的所述着陆焊盘相对应，其中，所述沟槽嵌入所述着陆焊盘和所述焊盘材料层之间，并且所述焊盘材料层位于所述盖层材料层上方。


6.根据权利要求1所述的DRAM器件，其特征在于，包括：
后端介质层，位于所述隔离区上方并且在所述外围区中位于所述刻蚀阻挡层上方。


7.根据权利要求6所述的DRAM器件，其特征在于，所述隔离区和所述后端介质层的材料包括SiO2。


8.根据权利要求1所述的DRAM器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为Si3N4或SiBN。


9.根据权利要求4所述的DRAM器件，其特征在于，还包括位于所述盖层材料层下方的层间介质层。


10.一种DRAM器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳容，王桂磊，孔真真，白国斌，李俊杰，李琳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11