半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括一基底、多个第一图案以及多个第二图案。多个第一图案与多个第二图案系设置在基底上，第一图案与第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置。第一图案与第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各第一图案的第一侧具有一第一凸出部，各第二图案的第二侧具有一第二凸出部，且第一凸出部的面积不同于第二凸出部的面积。该半导体装置内的特定图案布局相对密集且尺寸相对微小，有利于配合后续组件的制作工艺，且提供充足的制作空间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其是涉及多重图案化(multiplepatterning)工艺所形成的一种半导体装置及其形成方法。
技术介绍
在半导体制作工艺中，一些微结构的制造，需要在半导体基材/膜层、介电材料层或金属材料层等适当的基材或材料层中，利用光刻及蚀刻等制作工艺，形成具有精确尺寸的微小图案。为达到此目的，在传统的半导体技术中，在目标材料层之上形成掩模层(masklayer)，以便先在所述掩模层中形成/定义这些微小图案，随后将所述等图案转移至目标膜层。一般而言，掩模层例如是通过光刻制作工艺形成的图案化光致抗蚀剂层，和/或利用所述图案化光致抗蚀剂层形成的图案化掩模层。随着集成电路的复杂化，这些微小图案的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，所以用来产生特征图案的设备就必须满足制作工艺分辨率及叠对准确度(overlayaccuracy)的严格要求，单一图案化(singlepatterning)方法已无法满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。是以，如何改良所述微结构的现有制作工艺即为本领域现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一基底；以及/n多个第一图案与多个第二图案，设置在所述基底上，所述第一图案与所述第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置，所述第一图案与所述第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各所述第一图案的所述第一侧具有一第一凸出部，各所述第二图案的所述第二侧具有一第二凸出部，且所述第一凸出部的面积不同于所述第二凸出部的面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一基底；以及
多个第一图案与多个第二图案，设置在所述基底上，所述第一图案与所述第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置，所述第一图案与所述第二图案分别具有相对的第一侧与第二侧，各所述第一图案的所述第一侧具有一第一凸出部，各所述第二图案的所述第二侧具有一第二凸出部，且所述第一凸出部的面积不同于所述第二凸出部的面积。


2.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述第一凸出部的形状不同于各所述第二凸出部。


3.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第一凸出部的间距大于相邻的所述第一图案与所述第二图案之间的间距。


4.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第二凸出部的间距大于相邻的所述第一图案与所述第二图案之间的间距。


5.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，任意相邻的两个所述第一图案的所述第二侧彼此切齐。


6.依据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，各所述第一图案的所述第二侧不重叠于所述第二图案的所述凸出部。


7.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一图案的所述凸出部的部分重叠于所述第二图案的所述第一侧。


8.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一图案与所述第二图案设置在所述基底的一第一区域内，所述基底上还包括多个第三图案，相互平行且交替地沿着所述第一方向设置在一第二区域中。


9.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
多个字线设置在所述基底内，所述字线相互平行地沿着第二方向设置，所述第二方向垂直于所述第一方向。


10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：
提供一基底；
于所述基底上形成一材料层；以及
图案化所述材料层形成多个第一图案与多个第二图案，所述第一图案与所述第二图案相互平行且交替地沿着第一方向设置，所述第一图案与所述第二图案分别具有相...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35