半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和/或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请主张2019年3月6日提出申请的韩国专利申请第10-2019-0025713号的优先权以及从所述韩国专利申请产生的全部权益，所述韩国专利申请的公开全文通过引用方式被并入本申请。
本专利技术构思涉及一种半导体器件，且更具体来说涉及一种使用电容器作为数据存储元件的半导体器件。
技术介绍
近年来，半导体元件的容量和/或集成度已得到增大，且设计规则也减少了。此种趋势也表现在作为存储器半导体元件之一的动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)中。为使DRAM器件运行，每一单元需要一定水平或更多的电容(静电容量)。电容的增大使存储在电容器中的电荷量增大，从而改善半导体器件的刷新特性。半导体器件的改善的刷新特性可提高半导体器件的良率。为增大电容，已研究出将具有高介电常数的介电膜用于电容器或增大电容器的下部电极与介电膜之间的接触面积的方法。
技术实现思路
本专利技术构思的各个方面提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料(ferroelectri本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及/n电容器介电膜，位于所述第一电极与所述第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜，/n其中所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，/n所述第一介电膜具有正交晶系，/n所述第二介电膜包含顺电材料，且/n所述电容器介电膜的介电常数大于所述第二介电膜的介电常数。/n

【技术特征摘要】
20190306 KR 10-2019-00257131.一种半导体器件，包括：
彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及
电容器介电膜，位于所述第一电极与所述第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜，
其中所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，
所述第一介电膜具有正交晶系，
所述第二介电膜包含顺电材料，且
所述电容器介电膜的介电常数大于所述第二介电膜的介电常数。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一介电膜及所述第二介电膜中的每一者是单膜。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一介电膜包括第一子介电膜及第二子介电膜，且
所述第一子介电膜位于所述第二子介电膜与所述第二介电膜之间。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二介电膜包括第三子介电膜及第四子介电膜，且
所述第三子介电膜位于所述第四子介电膜与所述第一介电膜之间。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器介电膜还包括包含顺电材料的第三介电膜，且
所述第一介电膜位于所述第二介电膜与所述第三介电膜之间。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一介电膜及所述第二介电膜形成介电膜群组，且
所述电容器介电膜包括多个所述介电膜群组。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一单金属氧化物膜包含铪(Hf)及镧系稀土金属元素中的一者。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一双金属氧化物膜包含铪(Hf)及锆(Zr)。


9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二介电膜包括第二单金属氧化物膜及第二双金属氧化物膜中的一者，且
所述第二单金属氧化物膜及所述第二双金属氧化物膜中包含的金属包括铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
保护层，位于所述第一电极与所述第二电极之间且包含金属氧化物，
其中所述保护层位于所述第一电极与所述电容器介电膜之间和/或位于所述第二电极与所述电容器介电膜之间。


11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器介电膜的电容大于所述第二介电膜的电容。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉镇，金奇南，丁炯硕，郑圭镐，黄棋铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR