一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片，属于半导体技术领域，解决了现有技术中有源接触件与位线侧墙的拖尾部位接触而导致的导体间的短路的问题。一种半导体结构包括：半导体衬底；位线，位于所述半导体衬底上；以及位线侧墙，位于所述位线两侧，所述位线侧墙包括从内向外的第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。通过氧化物侧墙层的底部高于第一氮化物侧墙层和第二氮化物侧墙层的底部能够避免位线与有源接触件短路。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法、DRAM和半导体芯片。
技术介绍
存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。RAM包括DRAM、PRAM、MRAM等，晶体管是制造这些RAM的关键部件之一。DRAM器件中的每个存储单元由1T1C(即1个晶体管和1个电容器)组成。晶体管的栅极与字线连接，晶体管的漏极与位线(即，数据线)连接，以及晶体管的源极与电容器连接。位线通常是在对金属线进行图案化以后，以绝缘物质形成间隔件后所制成。通常来说，如图8所示，位线侧墙是氮化硅814-氧化物834-氮化硅816的三层结构。但是在刻蚀侧墙中的氧化物层时，容易形成拖尾现象。参考图9，在后续形成与有源区824电连接的有源接触件820时，刻蚀凹槽时氧化物层拖尾部分容易被腐蚀，使得填入的多晶硅836进入到氧化物侧墙，从而容易造成有源接触件820与位线短路。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n位线，位于所述半导体衬底上；以及/n位线侧墙，位于所述位线两侧，所述位线侧墙包括从内向外的第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，/n其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位线，位于所述半导体衬底上；以及
位线侧墙，位于所述位线两侧，所述位线侧墙包括从内向外的第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，
其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底包括位于所述位线下方的缓冲层，所述缓冲层包括下面的氧化物层和上面的氮化物层，其中，所述氧化物侧墙层的底部位于所述氮化物层的底部和顶部之间。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化物侧墙层的顶部低于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的顶部。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
所述半导体衬底上包括第一有源区和第二有源区，其中，所述位线通过位线接触件与所述第一有源区接触；
所述半导体结构进一步包括有源接触件，所述有源接触件位于相邻的位线侧墙之间并与所述第二有源区部分接触。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线包括阻挡层、所述阻挡层上方的金属层和所述金属层上方的盖层。


6.一种DRAM，其特征在于，包括权利要求1至5中的任一项所述的半导体结构。


7.一种半导体芯片，其特征在于，包括权利要求7所述的DRAM。


8.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包含第一有源区以及所述第一有源区上的缓冲层；
在所述缓冲层上形成位线；
在所述位线两侧从内向外依次形成第一氮化物侧墙层、氧化物侧墙层和第二氮化物侧墙层，其中，所述氧化物侧墙层的底部高于所述第一氮化物侧墙层和所述第二氮化物侧墙层的底部。


9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳容，杨涛，卢一泓，胡艳鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11