半导体封装方法及半导体封装组件技术

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装组件。所述半导体封装方法包括将多个待封装芯片贴装于载板上，使所述载板上形成贴装了所述多个待封装芯片的多个贴装区、以及位于至少两个所述贴装区之间的空白区；其中，所述多个待封装芯片的正面朝向所述载板；在所述载板上对所述多个待封装芯片进行封装，形成包封层；其中，所述包封层包封住所述贴装区和所述空白区；在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽，形成包封层具有凹槽的封装体。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法及半导体封装组件
本申请涉及一种半导体
，尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装组件。
技术介绍
常见的半导体封装技术，比如芯片封装技术主要包含下述工艺过程：首先将裸片正面通过胶带粘接在衬底晶圆(面板)上，进行热压塑封，将面板剥离，然后在裸片正面进行再布线工艺，形成再布线结构，并进行封装。然而，在热压塑封之后，模压成型后的成型产品容易出现翘曲，使得在后续的布线工艺中，难以定位裸片的精确位置，从而对布线工艺产生很大影响，甚至使得布线工艺难以进行。
技术实现思路
本申请的一个方面提供一种半导体封装方法，包括：将多个待封装芯片贴装于载板上，使所述载板上形成贴装了所述多个待封装芯片的多个贴装区、以及位于至少两个所述贴装区之间的空白区；其中，所述多个待封装芯片的正面朝向所述载板；在所述载板上对所述多个待封装芯片进行封装，形成包封层；其中，所述包封层包封住至少部分所述贴装区和至少部分所述空白区；在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽，形成包封层具有凹槽的封装体。可选的，所述凹槽的深度小于或等于所述包封层的最大厚度。可选的，所述凹槽包括沿所述载板的宽度方向延伸的第一槽部和沿所述载板的长度方向延伸的第二槽部。可选的，所述凹槽的第一槽部和第二槽部交叉连通。可选的，所述第一槽部的长度与所述载板的宽度相同，所述第二槽部的长度与所述载板的长度相同。可选的，所述凹槽包括至少两个交叉连通的槽部；其中，至少一个槽部沿偏离所述载板的宽度方向且偏离所述载板的长度方向的方向延伸；或，所述凹槽包括一个平直的槽部。可选的，采用激光开设所述凹槽。可选的，所述载板的热膨胀系数与所述包封层的热膨胀系数相匹配。可选的，在所述将多个待封装芯片贴装于所述多个贴装区之前，所述方法还包括：在所述多个待封装芯片的正面形成保护层。可选的，在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽之后，所述方法包括：剥离所述载板，露出所述多个待封装芯片的正面；在所述芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片正面的焊垫引出。可选的，在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽之后，剥离所述载板之前，所述方法包括：在所述包封层远离所述载板的第一表面设置固封层。可选的，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：剥离所述固封层。本申请的另一个方面提供一种半导体封装组件，其包括载板、多个芯片及包封层；所述载板具有贴装有多个芯片的多个贴装区、以及位于至少两个所述贴装区之间的空白区；所述包封层具有与所述贴装区相对应且自靠近所述载板的一侧向内凹陷的腔体，以及与所述空白区对应且自远离所述载板的一侧向内凹陷的凹槽；所述多个芯片设于所述腔体内，且所述芯片的背面朝向所述腔体的底部。本申请的又一个方面提供一种半导体封装组件，其包括包封层、多个芯片及再布线结构；其中，所述包封层具有自一个表面向内凹陷的多个腔体，及自另一表面向内凹陷的凹槽；其中，所述凹槽与所述腔体不重合，且多个所述腔体至少位于所述凹槽两侧的区域；所述多个芯片设于所述腔体内，且所述芯片的背面朝向所述腔体的底部。所述再布线结构形成于所述芯片的正面，用于将所述芯片正面的焊垫引出。本申请实施例提供的上述半导体封装方法，通过在包封层开设凹槽，将包封层的包封材料的收缩区域从整个载板的大范围区域减小到被凹槽隔离开的多个小区域，从而减小了包封材料的可收缩范围，减小了包封材料由于收缩引起的作用力，从而降低包封层及整个塑封产品的翘曲程度，保证封装的成功率及产品的良率。附图说明图1(a)是现有技术中的裸片受到模塑树脂材料收缩作用力时的结构示意图。图1(b)是热压塑封之后的成型产品产生翘曲的结构示意图。图2是根据本公开一实例性实施例提出的半导体封装方法的流程图。图3(a)是根据本公开一示例性实施例提出的载板和贴装芯片的正面结构示意图。图3(b)是根据本公开一示例性实施例提出的载板和贴装芯片的剖视示意图。图3(c)是热压塑封之后的成型产品产生翘曲的结构示意图。图3(d)是图3(c)所形成的封装结构开设有一凹槽的剖视示意图。图3(e)是图3(c)所形成的封装结构开设有一凹槽的正面结构示意图。图3(f)是根据图3(c)所形成的封装结构开设有另一凹槽的剖视示意图。图3(g)是根据本公开另一示例性实施例提出的载板和贴装芯片的剖视结构示意图。图3(h)是图3(g)所形成的封装结构开设有另一凹槽的正面结构示意图。图4(a)-图4(l)是根据本公开一示例性实施例中半导体封装方法的工艺流程图。图5是根据本公开一示例性实施例提供的利用上述半导体封装方法得到的半导体封装结构的结构示意图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”表示两个或两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”和/或“下”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。在封装过程中，芯片的正面贴装于载板上后，在对芯片的背面进行包封时，通常需要高压高温成型的方式形成包封层(即热压塑封)，在热压塑封之后，模压成型后的成型产品容易出现翘曲，而使芯片偏离预定粘接位置从而影响后期的布线工艺。请参考图1(a)和图1(b)所示，专利技术人(们)经过研究发现，对于面板级封装，在热压成型工艺中，由于钢性载板200和包封层204材料的热膨胀系数之间的差异，在升温及降温过程中，载板和包封材料膨胀和收缩的程度不同；且成型的包封材料)即包封层204在热压过程中，在常温条件下急速升温到热压温度的急速升温过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：/n将多个待封装芯片贴装于载板上，使所述载板上形成贴装了所述多个待封装芯片的多个贴装区、以及位于至少两个所述贴装区之间的空白区；其中，所述多个待封装芯片的正面朝向所述载板；/n在所述载板上对所述多个待封装芯片进行封装，形成包封层；其中，所述包封层包封住至少部分所述贴装区和至少部分所述空白区；/n在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽，形成包封层具有凹槽的封装体。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：
将多个待封装芯片贴装于载板上，使所述载板上形成贴装了所述多个待封装芯片的多个贴装区、以及位于至少两个所述贴装区之间的空白区；其中，所述多个待封装芯片的正面朝向所述载板；
在所述载板上对所述多个待封装芯片进行封装，形成包封层；其中，所述包封层包封住至少部分所述贴装区和至少部分所述空白区；
在所述包封层的包封住所述空白区的区域开设凹槽，形成包封层具有凹槽的封装体。


2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述包封层的最大厚度。


3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述凹槽包括沿所述载板的宽度方向延伸的第一槽部和沿所述载板的长度方向延伸的第二槽部。


4.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述凹槽的第一槽部和第二槽部交叉连通。


5.如权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一槽部的长度与所述载板的宽度相同，所述第二槽部的长度与所述载板的长度相同。


6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述凹槽包括至少两个交叉连通的槽部；其中，至少一个槽部沿偏离所述载板的宽度方向且偏离所述载板的长度方向的方向延伸；或，
所述凹槽包括一个平直的槽部。


7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，采用激光开设所述凹槽。


8.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板的热膨胀系数与所述包封层的热膨胀系数相匹配。


9.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述将多个待封装芯片贴装于所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：周辉星，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50