封装内保护碳化硅二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。该碳化硅二极管包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联；当碳化硅二极管个数大于2时，相邻的碳化硅二极管共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管分别与串联在一起的电容器和电阻并联；所述电阻为普通电阻或氧化锌电阻。该种封装内保护碳化硅二极管，在封装结构内可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；并缩短连接电路所需的引线，消除引线电感，防止引线辐射，减少电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】
封装内保护碳化硅二极管
本技术属于半导体
，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。
技术介绍
碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，与普通硅的元器件相比，具有高耐压性，在开关电源、高频整流器上应用广泛。但由于其应用在高压电路上，在存在反向电动势时，存在爬电、漏电等危险，存在较大的安全隐患。现有硅晶二极管在使用时，由于耐压性能有限，通常会并联安全电路，从而保护电路；但碳化硅二极管应用时，由于其具有耐高压性能，除特定情况下，通常不会设置保护电路。这两种设置的保护电路需要引线长，存在电磁干扰；外置的保护电路增加了结构的复杂程度，存在安全隐患。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：针对上述缺陷，本技术提供一种封装内保护碳化硅二极管，在封装结构内可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，从而保护电路，提高炭化硅二极管的使用寿命；缩短连接电路所需的引线，防止引线辐射，减少电磁干扰。本技术解决其技术问题采用的技术方案如下：封装内保护碳化硅二极管，包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联。该结构的碳化硅二极管，可以提高碳化硅二极管在高电压时使用寿命；一方面，电容器可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，设置与电容器串联的电阻，可以控制尖峰高压的放电速度，防止瞬间电流过大，击穿电容器，从而造成短路；另一方面，将用于保护电路的电容器与电阻封装在封装外壳中，使得碳化硅二极管组装后结构更小，使用便捷，同时封装在内部可以减少引线使用长度，防止引线辐射，减少电磁干扰。进一步的，所述碳化硅二极管个数大于2时，相邻的碳化硅二极管共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管分别与串联在一起的电容器和电阻并联。对每一个碳化硅二极管进行保护电路的设置，在同等数量的碳化硅二极管串并联在一起时耐压性能更好，提高使用设备的工作效率。进一步的，所述电阻为氧化锌电阻，氧化锌电阻比普通电阻的优势在于，氧化锌电阻需要电流达到一定电压后才开始放电，可以防止产生不必要的电容器消耗，既能控制放电速度，又能保护电容器，从而更好的保护碳化硅二极管。进一步的，所述碳化硅二极管大于2个时，所述相邻碳化硅二极管之间距离不小于3mm，所述芯片与封装外壳间的距离为0.5mm—5mm。控制内部碳化硅二极管之间的距离，可以有效防止碳化硅二极管工作时产生电磁干扰，又可以避免引线长度过长，产生引线辐射；控制芯片与封装外壳之间的距离，既能避免封装外壳的材料浪费，又可以避免封装外壳被内部高电压击穿，提高封装碳化硅二极管的保护性能，防止发生漏电、爬电现象。进一步的，所述电容器和电阻为片状结构。采用片状结构的电容器和电阻，减小封装外壳内部的空间，满足封装要求，实现更小体积的高压碳化硅二极管的制备。进一步的，所述的封装外壳采用黑胶制成，黑胶制成的封装外壳散热性能良好，且粘接结实，避免内部电路产生过高的热量，影响碳化硅二极管的使用寿命。本技术的有益效果是：1、该结构的碳化硅二极管，可以提高碳化硅二极管在高电压时使用寿命；一方面，电容器可以消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压，设置与电容器串联的电阻，可以控制尖峰高压的放电速度，防止瞬间电流过大，击穿电容器，从而造成短路；另一方面，将用于保护电路的电容器与电阻封装在封装外壳中，使得碳化硅二极管组装后结构更小，使用便捷，同时封装在内部可以减少引线使用长度，防止引线辐射，减少电磁干扰；对每一个碳化硅二极管进行保护电路的设置，在同等数量的碳化硅二极管串并联在一起时耐压性能更好，提高使用设备的工作效率。2、氧化锌电阻比普通电阻的优势在于，氧化锌电阻需要电流达到一定电压后才开始放电，可以防止产生不必要的电容器消耗，既能控制放电速度，又能保护电容器，从而更好的保护碳化硅二极管。3、控制内部碳化硅二极管之间的距离，可以有效防止碳化硅二极管工作时产生电磁干扰，又可以避免引线长度过长，产生引线辐射；控制芯片与封装外壳之间的距离，既能避免封装外壳的材料浪费，又可以避免封装外壳被内部高电压击穿，提高封装碳化硅二极管的保护性能，防止发生漏电、爬电现象。4、采用片状结构的电容器和电阻，减小封装外壳内部的空间，满足封装要求，实现更小体积的高压碳化硅二极管的制备；黑胶制成的封装外壳散热性能良好，且粘接结实，避免内部电路产生过高的热量，影响碳化硅二极管的使用寿命。附图说明通过下面结合附图的详细描述，本技术前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。图1为本技术实施例1结构示意图；图2为本技术实施例2结构示意图；图3为本技术实施例3结构示意图；图4为本技术实施例4结构示意图；其中：1为封装外壳，2为芯片，3为引线，4为碳化硅二极管，5为电容器，6为电阻。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1参照图1，封装内保护碳化硅二极管包括封装外壳1、位于封装外壳1内具有一组芯片2以及连接于封装外壳1两端的引线3，封装外壳1采用黑胶制成，所述芯片2内设有碳化硅二极管4、电容器5和电阻6，所述电容器5与电阻6串联，串联后的电容器5、电阻6与碳化硅二极管4并联；其中电容器5和电阻6为片状结构。实施例2参照图2，封装内保护碳化硅二极管包括封装外壳1，封装外壳1采用黑胶制成，封装外壳1内的设有一组的芯片2，所述芯片2内共阴并联设有两个碳化硅二极管4，所述封装外壳1两端的引出与芯片2连接的引线3，共阴并联处引出一根引线3，每个碳化硅二极管分别与串联的电容器5和电阻6并联，具体为：碳化硅二极管4包括碳化硅二极管D1和碳化硅二极管D2，碳化硅二极管D1与串联在电容器C1与电阻R1并联，碳化硅二极管D2与串联在电容器C2与电阻R2并联；碳化硅二极管D1和碳化硅二极管D2共阴设置；其中碳化硅二极管D1和碳化硅二极管D2之间的距离为3mm，所述芯片2与封装外壳1之间的距离为3mm；所述电阻6为氧化锌电阻，电容器5和电阻6为片状结构。实施例3参照图3，封装内保护碳化硅二极管包括封装外壳1，封装外壳1采用黑胶制成，封装外壳1内的设有两组的芯片2，每组芯片2内共阴并联设有两个碳化硅二极管4，所述封装外壳1两端的引出与芯片2连接的引线3，每组共阴并联处分别引出一根引线3，每个碳化硅二极管分别与串联的电容器5和电阻6并联，具体为：碳化硅二极管4包括碳化硅二极管D1、碳化硅二极管D2、碳化硅二极管D3、碳化硅二极管D4；碳化硅二极管D1、碳化硅二极管D2通过引线连接在同一组芯片2中，碳化硅二极管D1与串联在电容器C1与电阻R1并联，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.封装内保护碳化硅二极管，包括封装外壳(1)、位于封装外壳(1)内的一个或多个串联在一起的芯片(2)以及连接于封装外壳(1)两端的引线(3)，其特征在于：所述芯片(2)内并联设有碳化硅二极管(4)和电容器(5)，所述电容器(5)与电阻(6)串联。/n

【技术特征摘要】
1.封装内保护碳化硅二极管，包括封装外壳(1)、位于封装外壳(1)内的一个或多个串联在一起的芯片(2)以及连接于封装外壳(1)两端的引线(3)，其特征在于：所述芯片(2)内并联设有碳化硅二极管(4)和电容器(5)，所述电容器(5)与电阻(6)串联。


2.如权利要求1所述的封装内保护碳化硅二极管，其特征在于：所述碳化硅二极管(4)个数大于2时，相邻的碳化硅二极管(4)共阴设置或共阳设置；每个碳化硅二极管(4)分别与串联在一起的电容器(5)和电阻(6)并联。


3.如权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕全亚，郭建新，刘域庭，徐晨辰，陈莉娜，
申请(专利权)人：常州佳讯光电产业发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32