一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构制造技术

本发明专利技术公开了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本发明专利技术提供的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，由于采用高热导率介质层来实现硅衬底层与缓冲层之间的键合，既保持了高键合强度、高机械强度、高稳定性，又减小了器件的热阻，从而提高了硅基氮化镓微波器件的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。
技术介绍
随着微电子技术的发展，以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料，有更大的禁带宽度、更高的临界击穿电场和较高的电子饱和漂移速度、稳定的化学性能、以及耐高温和抗辐射等物理性质，用氮化镓材料制作电子器件可以进一步减少芯片面积、提高工作频率、提高工作温度、降低导通电阻以及提高击穿电压等，氮化镓材料在制备微波器件方面有巨大的潜力。氮化镓以及与氮化镓同一材料体系的铝镓氮、铟铝氮等具有很高的极化系数，氮化镓与比氮化镓禁带宽度大的铝镓氮或铟铝氮形成的异质结构能够形成二维电子气，在室温下可以获得高于1500cm2/V·s的电子迁移率、高达1.5×10cm7/s的饱和电子速度和高于1×1013cm-2的二维电子气浓度，由此基于氮化镓材料研制的高速肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode，简称SBD)和高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，简称HEMT)器件能够具有更低的导通电阻和更高的输出电流。另外，氮化镓材料的较高的临界击穿电场强度可以使电子器件具有更高的击穿电压，从而使器件能够在更高的工作电压下工作，使器件拥有更高的微波输出功率密度。跟同等输出功率的硅或者砷化镓微波电子器件相比，氮化镓的器件具有更高的功率附加效率，从而具有更低的能量损耗。由于氮化镓自支撑衬底技术的不成熟，目前氮化镓微波器件中，氮化镓基的材料主要淀积在异质衬底上。目前为止用于氮化镓材料生长的衬底主要有碳化硅和硅。碳化硅基氮化镓的器件得益于碳化硅与氮化镓的较小的晶格失配、碳化硅较高的导热性能，具有较低的热阻和较高的输出功率密度，研发比较早，技术也比较成熟。碳化硅基氮化镓的微波器件已经广泛应用于军事雷达、卫星、通信基站等领域。但是，受限于价格比较高、尺寸比较小的碳化硅衬底，碳化硅基氮化镓器件的成本比较高。而硅基氮化镓器件由于硅衬底晶圆的大尺寸、低成本、和硅生产线的规模生产优势，其成本比较低，性价比比较高。硅基氮化镓微波器件以后有望大规模应用于5G通信基站和手机等移动通信终端。但是，与碳化硅基氮化镓器件相比，硅基氮化镓器件的一个重要缺点是热阻比较高，从而散热性能比较差，因此限制了硅基氮化镓微波器件的输出功率密度和效率。散热性能比较差的物理机制有两条。第一，硅衬底的热导率比较差，典型碳化硅衬底的室温热导率值为4.0W/cm·K，而硅衬底只有1.5W/cm·K；第二，在硅衬底上进行氮化镓基的材料外延时，由于硅与氮化镓晶体材料的晶格失配比较大，需要在氮化镓器件有源结构与硅衬底之间插入很厚的成核层和过渡层，例如渐变铝组分的铝镓氮材料或者氮化铝/氮化镓超晶格材料，这种成核层和过渡层的晶体材料质量比较差，缺陷比较多，热导率也很差。因此，提高硅基氮化镓微波器件的散热性能，需要解决这两个问题。目前提高硅基氮化镓微波器件散热性能的方法主要有几种技术路线：1、器件裸芯工艺完成后，尽量减薄硅衬底，然后将减薄衬底后的器件划片后转移到一个具有高热导率的热沉上。目前硅基氮化镓微波器件的产品大部分是将硅衬底减薄到100μm，处于开发状态的技术是将硅衬底减薄到50μm。比如，“A.Pantellini,A.Nanni,C.Lanzieri,“ThermalbehaviorofAlGaN/GaNHEMTonsiliconMicrostriptechnology,”6thEuropeanMicrowaveIntegratedCircuitConference,Oct.2011”，提出了一种通过减薄硅衬底提高器件散热性能的方法，这种方法的缺点是硅衬底减薄后的工艺操作难度加大，从而导致器件的成品率降低。2、在硅基氮化镓微波器件的表面上淀积一层高热导率介质材料，比如，“N.Tsurumi,H.Ueno,T.Murata,H.Ishida,Y.Uemoto,T.Ueda,K.Inoue,T.Tanaka,“AlNPassivationOverAlGaN/GaNHFETsforSurfaceHeatSpreading”,IEEETransactionsonElectronDevices,Vol.57,No.5,pp.980-985,May2010”提出了在氮化镓微波器件的表面上淀积一层氮化铝、“Z.Lin,C.Liu,C.Zhou,Y.Chai,M.ZhouandY.Pei,"ImprovedperformanceofHEMTswithBNasheatdissipation,"2016IEEEInternationalNanoelectronicsConference(INEC),Chengdu,2016,pp.1-2.”提出了在硅基氮化镓微波器件的表面上淀积一层氮化硼、“MarkoJ.Tadjer,TravisJ.Anderson,KarlD.Hobart,TatyanaI.Feygelson,JoshuaD.Caldwell,CharlesR.Eddy,Jr.,FritzJ.Kub,JamesE.Butler,BradfordPate,andJohnMelngailis,“Reducedself-heatinginAlGaN/GaNHEMTsusingnanocrystallinediamondHeat-spreadingfilms”,IEEEelectrondeviceletters,Vol.33.No.1,pp.23-25,Jan.2012”提出了在氮化镓微波器件的表面上淀积一层纳米晶粒金刚石等，这类在氮化镓微波器件的表面上淀积高热导率介质材料的方法存在的缺点是：这些高热导率材料往往会带来额外的应力，影响器件的性能，或者造成器件长期可靠性的降低。3、优化硅基氮化镓微波器件的版图设计，比如“K.BelkacemiandR.Hocine,“Efficient3D-TLMModelingandSimulationfortheThermalManagementofMicrowaveAlGaN/GaNHEMTUsedinHighPowerAmplifiersSSPA,”JournalofLowPowerElectronicsandApplications,Vol.8,No.23,1-19,2018”提出了增加栅指间距，减少栅极密度，以减小发热源密度的方法，这种方法的缺点是会增加器件的面积，另外散热的效果也不高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。本专利技术的一个实施例提供了一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，该散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构包括：硅衬底层；高热导率介质层，位于所述硅衬底层的上表面；缓冲层，位于所述高热导率介质层的上表面；沟道层，位于所述缓冲层的上表面；复合势垒层，位于所述沟道层的上表面，以构成硅基氮化镓微波器件材料结构。在本专利技术的一个实施例中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：/n硅衬底层(1)；/n高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面；/n缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面；/n沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；/n复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面，以构成所述散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：
硅衬底层(1)；
高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面；
缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面；
沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；
复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面，以构成所述散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。


2.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述高热导率介质层(2)包括氮化铝、氮化硼、碳化硅或金刚石，厚度为20～20000nm。


3.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述缓冲层(3)包括氮化镓、铝镓氮或氮化铝，厚度为100～5000nm。


4.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述沟道层(4)为氮化镓，厚度为10～1000nm。


5.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述复合势垒层(5)包括隔离层(51)和核心势垒层(52)，其中，
所述隔离层(51)，位于所述沟道层(4)的上表面；
所述核心势垒层(52)，位于所述隔离层(51)的上表面。


6.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，郝璐，张进成，赵胜雷，周弘，张雅超，张苇杭，段小玲，陈大正，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61